杨近怡的辉光夜灯

WY-2P真空稳压管看似是一个简单的灯炮,但它工作时产生的暖暖的,温馨的辉光,相信可以让人过目不忘。其实辉光夜灯的制作线路非常简单,整个装置的功耗很小,     

用氧化还原反应气体清洗不锈钢超高真空系统

对粒子加速器和储存环的超高真空系统，消除其表面污染的标准方法是化学清洗、真空炉焙烧、辉光放电清洗及原位烘烤真空系统，本文介绍一种可替代辉光放电的清洗方法；用一氧化氮反应气体进行清洗，它已被用于处理几种不锈钢制作的加速器真空室，用ＮＯ气体处理的效果与其它方法相比，优于普通化学清洗和真空炉焙烧，完全可以和辉光放电清洗相比较，却避免了溅射情况下可能引起的表面损伤。     

低气压辉光放电溅射的放电形式

冷阴极气体放电的伏安特性如图1所示。通常所谓的辉光放电是指正常辉光放电(EF)和异常辉光放电(FG),二者除在伏安特性上有区别外,它们的阴极位降区的宽度也不同。前者不随电流而变,后者随电流的增加而减小,如图2所示(图中下标n、an分别表示正常辉光放电和异常辉光放电)。     

用于大尺寸衍射光栅的光刻胶残余物的灰化系统研制

在制作大尺寸厚基底衍射光学元件时,经常需要清除残余底胶,为此我们研制了大尺寸衍射光栅灰化装置.该装置可以在450mm×450mm(φ650mm)范围内产生均匀性良好的等离子体,通过气体辉光放电来达到去残胶的目的,辉光放电速率可通过调节工作气体的浓度来控制.已用该装置灰化处理了200 mm×400mm×50mm的脉宽压缩光栅.     

辉光离子氮化的物理基础与实践

前言 在学院各级党组织领导下,工农兵学员、工人师付和革命教师一起群策群力,使辉光离子氮化新工艺逐渐完善。这是以阶级斗争为纲,贯彻毛主席的教育路线的又一丰硕成果。 1932年德国B.Berghaus首先利用辉光放电发明了离子氮化法。但当时还未掌握稳定大电流辉光放电的技术。随后W. Weizel和 B.Brant等人进一步研究,辉光离子氮化才在生产上得到应用,现在国内外在热处理工业中都很重视。 辉光离子氮化是使含氮气体电离,N离子在电场作用下对工件表面轰击加热工件,并被吸附向里扩散形成氮化层。这个工艺过程与辉光放电有密切的关系。但国外文…     

大气压氦气射频介质阻挡辉光放电的均匀性研究

为了研究大气压射频介质阻挡辉光放电的时空特性,采用一个表面覆盖有石英介质的铜电极和一个自制水电极的放电系统,在氦气中获得了大面积和较大电极间距下的辉光放电。对ICCD高速相机拍摄的径向放电图像和轴向放电图像分析揭示了射频介质阻挡辉光放电不仅具有较好的径向均匀性,而且具有很好的轴向均匀性,并不存在沿径向的发展。这是不同于中频介质阻挡辉光放电的一个显著特征。此外,注意到射频介质阻挡辉光放电在径向和轴向上的发展均与射频周期有很强的关联性。分析认为这是由于空间电荷在射频介质阻挡辉光放电的形成和发展中发挥主导作用。因此,可以认为射频介质阻挡辉光放电所具备非常好的径向和轴向均匀性,与中频介质阻挡辉光放电相比,可能会更有利于工业生产中进行均匀薄膜沉积和对薄膜表面改性处理等。     

理论分析辉光放电对碳纳米管生长速率的影响

利用负偏压增强热丝化学气相沉积 ,在沉积过渡层Ta和催化剂NiFe层的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的形貌。发现辉光放电后 ,碳纳米管的平均长度比无辉光放电时大 ,并且随着负偏压的增大而增大 ,即辉光放电增大了它们的生长速率。结合辉光放电和扩散理论分析了辉光放电对碳纳米管生长速率的影响 ,结果表明在生长碳纳米管的过程中 ,由于辉光放电的产生 ,碳在催化剂中的活度得到增强 ,从而增大了碳纳米管的生长速率。     

贫铀表面Ar气脉冲辉光放电清洗

贫铀极易氧化,为了提高其表面薄膜的结合性能,薄膜沉积前铀表面的辉光放电清洗是极为重要的。利用计算机模拟对Ar气脉冲辉光放电等离子体特性进行了研究,采用俄歇电子能谱仪(AES)对辉光放电清洗后铀表面化学元素进行了分析,同时对铀表面铝薄膜界面元素分布进行了深度剖析。结果表明:氩分压和脉冲电压是影响辉光放电等离子体特性的关键因素;脉冲电压和氩分压越高,辉光放电等离子体中Ar+密度越大;脉冲电压辉光放电清洗效果优于直流电压;在2.0Pa氩分压、-900V脉冲电压下,等离子体Ar+密度高达1.29×1014/m3,采用该参数对铀表面进行清洗可以获得洁净的表面,并有利于薄膜原子向铀基体内部迁移,促使膜基界面"伪扩散层"的增宽,从而增强铀表面薄膜的结合性能。     

辉光等离子放电体在表面合金化技术中的研究EI北大核心

辉光等离子放电体直接影响着材料表面合金化时的电压、气压及温度分布从而影响到材料表面的均匀性、组织结构与性能特征。本工作利用发射光谱分析法对表面合金化技术中辉光等离子放电体进行了研究,通过玻尔兹曼方程式和谱线展宽法求得在不同工艺条件下辉光等离子体的电子温度、电子密度。分析了电压、气压对电子温度、电子密度的影响。结果表明:电子温度随工作电压的升高,工作气压的增大先减少后增大,然后又减少;电子密度在放电电压500~1000V,放电气压30~100Pa时是1021m-3在1012~1025m-3范围内,表明该辉光放电体属于典型的异常辉光等离子放电。     

辉光放电光谱分析在航空材料上的应用

辉光放电光谱分析是渗层逐层定量分析最有效方法之一。本文介绍了辉光灯头结构和电源,研究了辉光放电的基本特性和应用,特别是在高含量组分和渗层逐层定量分析的应用,分析结果是令人满意的。     

理论分析辉光放电对碳纳米管生长速率的影响

利用负偏压增强热丝化学气相沉积，在沉积过渡层Ta和催化剂NiFe层的Si衬底上制备了碳纳米管，并用扫描电子显微镜研究了它们的形貌。发现辉光放电后，碳纳米管的平均长度比无辉光放电时大，并且随着负偏压的增大而增大，即辉光放电增大了它们的生长速率。结合辉光放电和扩散理论分析了辉光放电对碳纳米管生长速率的影响，结果表明在生长碳纳米管的过程中，由于辉光放电的产生，碳在催化剂中的活度得到增强，从而增大了碳纳米管的生长速率。     

母排制作专用尺的设计应用

随着母排制作技术的不断进步和发展,传统的母排制作是借助于卷尺,但这种方法采用了最古老的人工操作,由于现场往往存在人的因素或设备基础偏差等原因引起母排制作后发现尺寸、角度等问题,需要重新制作的情况,再者目前母排制作常用的材料是铜牌。一方面铜牌不易多次弯曲,另一方面更换的、成本较高。本文研究设计了一种适合母排制作的专用尺,通过具体的实施措施来解决上述存在的问题。     

并接型双辉光放电中的双辉交链增强现象

介绍了发生在双辉光离子金属技术中的双辉光交链增强型放电现象，分别采用交链等效电路法和微变等效电路法，对这种双辉光交链增强型放电现象进行了描述。     

并接型双辉光放电中的双辉交链增强现象

介绍了发生在双辉光离子渗金属技术中的双辉光交链增强型放电现象，分别采用交链等效电路法和微变等效电路法，对这种双辉光交链增强型放电现象进行了描述。     

双层辉光离子渗金属技术的现状与发展

双层辉光离子渗金属技术是目前世界上在表面合金化领域中的一项最新技术。该技术已获得美国、加拿大、英国、澳大利亚、法国、瑞士及比利时等国专利权。 本文主要介绍了双层辉光离子渗金属技术的现状与发展,双层辉光离子渗金属技术在工业用钢铁材料和零件表面进行合金化的研究及其在工业上的应用。     

湘中隆回八角楼皮纸制作技艺

通过湖南省邵阳市隆回县八角楼村的古老传统技艺——皮纸制作的文献研究与调研,介绍了隆回八角楼皮纸的自然背景、纸张种类和制作工具;对皮纸的传统制作工艺进行了整理,从原材料收割、粗加工、制作纸浆到最后制作纸张,进行了详细的描述。并对皮纸传承与发展提出建议。     

低气压下空心阴极辉光放电等离子体的特性

为掌握10-2Pa～10-3Pa的低气压、磁场条件下空心阴极辉光等离子体的特性及其与常规辉光放电伏安特性的区别,我们对其伏安特性和电子密度进行了测量。实验结果表明:低气压、磁场条件下空心阴极辉光放电的整个过程可分为三个不同阶段,即随着电流的增大,依次为起辉阶段、空心阴极放电阶段和反常辉光放电阶段。其中,起辉阶段与空心阴极放电阶段的伏安特性与常规辉光放电的伏安特性曲线不同,而反常辉光放电阶段类似。实验证实了电子密度随电流增大而增大的关系,实验结果表明,在轴线方向上,阳极附近的电子密度大于阴极附近的;在与轴线垂直的平面上,电子密度差别不大。     

HL-2A装置直流辉光自动调节控制系统

直流辉光放电清洗的主要作用是去除HL-2A装置内的低Z杂质C、O,以及放电期间所产生的残余气体和杂质。介绍了直流辉光放电自动调节控制系统。在辉光放电过程中,实现了真空室工作气体气压和放电电压的自动调节和信号采集。本文描述了系统的设计原理,控制方案和系统实现后的具体应用效果。直流辉光放电系统的性能得到了提高,放电电流稳定性得到了显著提高,放电电压的控制精度改善为1%FS,系统从启动到稳定运行状态的时间小于40 s,HL-2A装置的清洗效率也明显获得改善。     

新型弧光辉光协同共放电(APSCD)真空镀膜机的研制

本文阐述了新型的弧光辉光协同共放电真空镀膜机的设计思想及应用,叙述了镀膜机的整体结构、圆柱靶的设计和磁场模拟、工件篮的结构和辉光弧光共放电的原理.实验对比了辉光弧光共放电和单独的辉光放电、弧光放电在镀膜速度、膜层硬度和耐蚀性等方面的差别,表明了这种新型镀膜机的优越性.     

EAST辉光放电清洗电极的升级及实验研究

本文介绍了EAST装置辉光放电清洗电极的升级及实验研究.在常规的杆式辉光电极基础上,升级为具备主动水冷散热的板式电极,通过数值模拟和实验研究,证实新电极能满足辉光电流从3 A提升至6 A的散热需求,可长时间稳定运行.新电极在1000 V电压下的击穿气压略低于常规电极,提高He辉光运行电流,从而显著提升对氘(D)的清除率...