多层陶瓷电容器的失效分析

采用外观观察和金相分析方法,对绝缘电阻偏低的多层陶瓷电容器(MLCC,简称为C1)、以及无容值且端电极短路的MLCC(简称为C2),进行了失效原因分析,研究了这两种MLCC的失效机理。结果表明:C1的失效是因电路板过度弯曲使电容器受到过大的机械应力,以致C1内部产生裂纹;C2的失效是因额定电压为500 V,耐压不足而致电压击穿,产生瞬间高压裂纹。生产过程中避免电路板弯曲及选用匹配的电容器,可有效降低MLCC的失效率。     

高g冲击载荷下多层陶瓷电容结构失效分析

基于弹性力学和有限元方法对冲击载荷作用下多层陶瓷电容力学响应开展了理论和数值仿真计算。结果表明:由于自身结构特点,冲击载荷下电容易出现应力集中,基板变形对电容失效影响较大,分析了各工况下电容内部易失效位置及失效机理,其主要破坏特征为焊锡开裂造成脱焊。     

MLCC的一种典型失效形式及优化方式

对多层陶瓷电容器的一种典型失效形式进行研究.将多层陶瓷电容器焊后进行极限高低温冲击试验,试验发现焊接端头会出现微裂纹.微裂纹底部与外电极金属边缘重合,裂纹斜向上延伸,与焊接面之间呈锐角.裂纹贯穿交叠电极时会导致陶瓷电容器的电性能失效.后续可以根据实际情况为多层陶瓷电容器设计适宜的上下护片厚度、外电极端头宽度及单侧电极宽...     

电子元件、组件

TN60 2003030760片式多层电容电阻复合元件的研制/周少荣,陈世忠,陈锦清介电子元件与材料.一2002,21(6)一6一7,19采用低温共烧陶瓷(LT CC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和颇率特性.结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值.图6表1参6(刚)TM53 2003030766电化学电容器最新研究进展1.双电层电容器/杨红生.周啸,冯天富,汤孝平(清华大学)11电子元件与材料一2 003,22(2).一13-16,1…     

多层陶瓷电容器的失效与分析

本文陈述了多层陶瓷电容器的失效模式,分析了造成多层陶瓷电容器失效的内在因素和外在的因素。结合电容的失效模式与实例,进一步阐述多层陶瓷电容器的失效分析方法和几点使用建议。     

贴片电容器失效分析

采用外观检查、金相切片、SEM和EDS分析等手段,通过对贴片电容器失效实例的分析,介绍了对贴片电容器失效的分析过程与方法,得出了内部电极间的陶瓷介质裂纹存在并联电阻特性,这是导致电容器产生漏电失效的主要原因,该裂纹属制造缺陷。失效分析对贴片电容器制造工艺有质量控制作用。     

64路交换子多层陶瓷基板可靠性研究

本文介绍64路交换子多层陶瓷基板的结构、失效模式、失效机理,提出相应的改进措施,在此基础上制作的50×50mm六层基板,通过了QZJ840616标准的考核。     

片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。     

多层介质电容失效分析

针对GaAs MMIC因电容失效而导致性能异常的问题,分析了电容失效模式及失效机理。对GaAs MMIC中多层介质电容的制作过程进行了重点监控,分析了电子束蒸发工艺缺陷对多层介质电容失效的影响。基于扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDX)分析,研究了电容基板金属颗粒对电容失效的影响。结果表明,电子束蒸发工艺产生的金属颗粒造成短路是电容主要失效模式。蒸发难熔金属时,在金属源形成的深坑导致蒸发速率瞬时增大,产生的大量金属颗粒造成电容极板短路,从而导致电路性能异常。最后,对金属蒸发工艺参数进行优化,采用分段蒸发增加熔源过程的方法降低了电容失效率。     

微波组件中多层陶瓷电容器装联工艺研究

多层陶瓷电容器(MLCC)在微波模块或组件电子装联焊接过程中,经常出现裂纹、断裂故障。通过模拟MLCC多种焊接方式,制备样品,进行DPA分析,发现目前常用的手工焊接方式会使MLCC产生不同程度的裂纹缺陷。这些裂纹在后续的环境试验中将不断扩大,从而导致产品失效。分析了MLCC裂纹产生的原因和机理,给出了MLCC无损伤的焊接方式。     

压电效应对多层陶瓷电容器放电性能的影响

为研究压电效应对多层陶瓷电容器放电性能的影响,搭建了放电周期可调的电路平台和基于光学多普勒效应的高精度振动测量平台。研究了陶瓷介质压电特性,电容在不同放电周期、不同加载电压下的振动状态和放电特性,以及失效放电周期和厚度的关系。结果表明,陶瓷介质具有压电效应,放电时,介质按交流电场频率规律振动,当振动频率与电容固有谐振频率一致时,激发机械共振,且振动幅度随电压增大而增大,当振动产生的应变超过介质承受极限时,介质开裂,导致击穿失效。失效放电周期随电容厚度增大而增大,呈线性关系。     

片状多层瓷介电容器常见可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题,如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等,分析了可靠性失效原因和机理.     

共烧多层陶瓷基板制造技术

本文对共烧多层陶瓷基板制造技术作了较为全面的探讨，详细分析和研究了它的工艺物性和材料系统特性。在分析和研究过程中用大量的数据和实例说明共烧多层陶瓷基板技术在微组装领域具有强大的生命力。事实表明，共烧多层陶瓷基板制造技术在未来的微电子封装技术中将发挥重要作用。     

陶瓷多层布线基板的高密度封装

系统的高密度封装或在功能块化方面的进展,都使高性能的小型多层电路基板成为迫切需要的了。作为半导体器件直接装配的多层电路基板,由其性能特点陶瓷多层布线基板引起重视。关于陶瓷多层布线基板的制造方法,特长以及应用方法阐述如下:     

片状多层瓷介电容器可靠性问题分析

本文介绍了片状多层瓷介电容器在生产和使用过程中出现的可靠性问题，如片状电容瓷体断裂、微裂和电性能-绝缘电阻下降失效等，分析了可靠性失效原因和机理。     

导致MLCC失效的常见微观机理

多层陶瓷电容器(MLCC)在实际使用过程中,电参数会发生不同程度的偏离,降低了可靠性,直到MLCC失效。其失效原因可分为外部因素和内在因素,分析讨论了影响MLCC可靠性的内在因素——MLCC内部分层、导电粒子、金属离子迁移和介电老化等常见微观失效机理,并提出了主要应对措施。     

钽电容器和独石电容器应用中的失效分析

通过对钽电容器和多层独石瓷介电容器的几个失效分析实例,得出以下结论：（1）钽电容器使用中常见的失效现象是焊接不当,导致内部焊锡流动引起短路失效,应引起起装机工作人员高度重视;（2）通过分立元器件的解剖方法结合详细的测试分析,找出独石瓷介电容器内部的质量问题在于介质中的缺陷,导致电极材料局部突起,以至发生离子迁移或短路失效。     

化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响

研究了化学镀镍对铌镁酸铅多层瓷介电容器的影响及其机理。结果表明，化学镀镍以后许多样品因其绝缘电阻严重下降、介电损耗大幅度增加而失效。通过对比实验发现，这些样品的失效不是由于镀液的渗透引起的，而是与化学镀镍过程中的化学反应有关。提出了化学镀镍过程中产生的氢原子还原铌镁酸铅陶瓷的观点。经过一定温度的氧化热处理，失效样品的性能可以得到恢复。     

一种3层无芯基板制造过程及翘曲变形模拟和机理分析

制造与装配过程的翘曲问题是应用无芯基板最大的挑战之一,其主要原因是不同材料间热机械性能不匹配所造成的。介绍了一种3层无芯基板的制造过程,并利用有限元软件ABAQUS6.10对该过程进行了模拟。通过对模拟结果与实验测试结果的对比,再对翘曲变形的机理进行分析,对比了不同因素对翘曲变形大小的影响,对减少翘曲变形给出了有效的工艺设计建议。     

脉冲激光沉积制备TiN/AlN多层膜的变形机理研究

本文采用纳秒脉冲激光沉积法在单晶硅试样表面制备了调制周期为20nm和200nm的TiN/AlN硬质多层膜,通过有限元模拟和纳米压痕方法研究了调制周期对多层膜的开裂机理的影响。结果表明:调制周期200nm时,载荷致使能量表层积累形成应力集中,一定程度后界面应变梯度劣化促使界面裂纹萌生、扩展。载荷继续增加后,主裂纹沿纵向扩展,其两侧也形成新的应力集中区,原有应力释放。薄膜应力近表层的应力集中超过多层膜的强度极限时,多层膜表层发生开裂。调制周期20nm时,加载诱导应力沿着AlN软膜向多层薄膜内部传递,能量在纵深方向累积储存,直至超过薄膜的屈服极限时,多层膜内部损伤失效。