铁基超导材料研究进展

<正>2008年2月,日本东京工业大学Hideo Hosono教授团队的研究发现,铁基氧磷族元素化合物LaOFeAs中,将部分氧(O)以掺杂的方式用氟(F)取代,可使其临界温度达到26K,这一突破性进展开启了科学界新一轮的高温超导研究热潮。我国科研人员凭借在该领域的长期积累,开展了一系列卓有成效的研究工作,发现了众多新型超导结构类型,创造了56K     

新型超导材料的研究进展

综合评述了铜氧化合物高温超导材料研究进展,详细介绍了近年来发展的铜氧高温超导材料改性的各种方法,阐述了硼化镁、有机超导体研究现状,特别是有关硼化镁结构及性质的研究结果;简要介绍了最近开展的钴氧化物新型超导材料研究等.     

有机高分子超导材料——结构与性能

一、前言自1911年荷兰科学家Heike Kamerlingh Onnes首次发现汞在4K时具有超导电性以来,3/4世纪过去了,很多科学家都致力于寻找新的超导材料和提高超导临界转化温度(Tc)。 1986年以来,超导研究进入了新的发展阶段。J.G.Bedontz和K.A.Multer宣布BaxLa_(5-x)Cu5Cs_((3-y))(其中X=1、0.75,Y>0)可能是Tc=30K的超导体。在许多科学家     

超导材料的研究进展及应用

<正>导电材料由于电阻的存在,在输电过程中会不断消耗电能,尤其是远距离电能传输,造成极大的能源浪费,这个问题一直困扰着各国学者。找到一种材料电阻很小甚至没有电阻代替现有的导电材料以减少输电损耗一直是各国科学家们梦寐以求的愿望。通常来说,导体的电阻随温度的降低而降低,所以人们致力于寻找一个低温环境,获得小电阻的导体。1908年莱顿实验室成功制得液氦,获得4.25K的低温,这一技术促     

多孔锰氧化物材料的制备与性能研究进展

孔径从微孔到介孔的多孔锰氧化物材料有多种制备方法.不同的制备方法,材料的性能有所不同.多孔锰氧化物材料在可充锂电池、高级分离技术、化学传感、催化以及环保等领域有潜在的重要应用价值.综述了多孔锰氧化物材料在结构、制备和性能等方面的研究进展.     

超导材料辐照效应的研究进展

超导材料由于具有一系列的优异特性如零电阻效应、迈斯纳效应、约瑟夫森效应等,已逐渐应用在信息能源、电力交通、科学仪器、医疗技术、国防军事等重要领域,有力推动了国民经济和人类社会的发展。目前,超导材料在强磁场、强辐射、超低温等极端环境下的辐照效应是国内外研究者们普遍关注的热点。在高能粒子轰击作用下,超导材料晶格中的原子发生一系列的碰撞,从而产生大量的辐照缺陷(如离位峰、贫原子区、空位、间隙原子、位错、空洞)、缺陷团以及新的析出相,这些对其超导性能(临界温度T_C、临界磁场H_C、临界电流I_C以及临界电流密度J_C等)存在显著影响。本文全面综述了不同超导材料辐照效应的国内外研究进展。按临界温度TC分类,超导材料可分为低温超导材料(T_C25 K,主要有NbTi、Nb_3Sn和Nb_3Al)和高温超导材料(T_C25 K,主要有铋系、钇系、MgB_2以及铁基超导材料)。重点综述了辐照源(包括中子、离子(He、B、C、O、Ne、Si、Ar、Ti、Ni、Xe、Au、Pb等)、质子、电子以及射线(γ、χ射线))、辐照条件(能量、剂量、温度)、超导材料的初始状态、掺杂(MgO、B、Sn、Ag等)等因素对其超导性能的影响。大量研究表明,超导材料经辐照后可引入缺陷,磁通钉扎强度和密度增大,临界电流密度J_C得到改善;此外,增加超导材料中的载流子或改善晶体的有序化可提高其临界温度T_C。最后,针对当前超导材料亟待解决的一些关键问题,提出了通过优化材料体系及其制备工艺、热处理、掺杂以及数值模拟与实验相结合等方式改善其辐照效应的技术途径,为超导材料的研究开发和商业化应用提供思路。     

FeSe基超导材料的研究进展

介绍了FeSe基超导材料的物理性能及其优点;简单介绍了FeSe基超导材料的发展历程;详细综述了FeSe基超导材料的研究进展,如FeSe块材、线材、薄膜的制备过程;分析了各种制备方法的优劣;并展望了FeSe基超导材料今后的研究方向。     

Vitrimer材料的制备及性能研究进展

Vitrimer材料是一种含动态交联网络的高分子聚合物,在高温条件下,快速的动态交换反应使网络的拓扑结构发生改变和重排,从而使材料具有黏弹性和"流动性";并在保持材料化学结构和性能完整的情况下具有可塑性和可再加工性能。文中重点从酯交换反应、转酰胺反应、二硫化物重排反应和烷基转移反应等可逆交换反应类型论述了近年来国内外Vitrimer材料最新研究进展,对材料的动态可逆机理及性能特征进行了分析和对比,并对未来研究发展趋势进行了展望。     

西部超导材料科技有限公司获批组建超导材料制备国家工程实验室

为了进一步提高我国超导材料制备的技术水平以及工程化和批量化制备能力,2008年底,国家发展和改革委员会批复[发改为高技[2008]2636号]由西部超导材料科技有限公司牵头组建"超导材料制备国家工程实验室".     

实用化超导材料与超导技术——超导材料及应用论坛侧记

<正>"十二五"期间,国内外超导材料及应用技术不断取得新的突破。以智能电网、新型医疗装备、高能物理、新一代高速轨道交通为代表的领域对超导材料的综合性能提出了更高的要求。若干超导应用技术已开始实现商业应用。为了更好地凝练超导材料的发展方向,推动重点领域持续取得突破,保持我国在超导材料及应用技术在国际的先进地位,更好地满足国民经济发展需要,在"2017新材料国际发展趋势高层论坛"举办之际,专门组织召开了"超导材料及应用论坛",由西北有色金属研究院、西部超导材料科技股份有限公司、超     

超导材料

一、完全反磁性完全反磁性是超导的基本性质之一。在有磁铁存在时,物质的磁性可以分为:受到磁铁引力的顺磁性和受到磁铁斥力的反磁性。象铁等则显示了强大的顺磁性。这些磁场的性质都属于量子力学的现象,用宏观角度不能完全说清楚。关于反磁性,可以理解为是由于物体处于磁场中时其表面产生了“屏蔽电流”造成的。象这种物质的表面,有一个与     

高性能聚合物泡沫材料的制备性能与应用研究进展

聚合物泡沫材料具有质量轻、隔热隔声等优异的综合性能,广泛应用于农业、工业、建筑等多个方面。随着科技的发展,国防、军工等使用环境苛刻的领域,对聚合物泡沫性能提出了越来越高的要求,例如耐高温、高力学强度等,因此开发高性能的耐高温结构泡沫成为重要的研究方向。文中介绍了几种主要的耐高温结构泡沫,包括酚醛泡沫、聚甲基丙烯酰亚胺泡沫、硬质聚酰亚胺泡沫、聚醚酰亚胺泡沫、聚芳醚酮泡沫等,从制备方法、泡沫性能以及市场应用等几个方面,对各类泡沫的优缺点及研究进展做了综述,并对其未来发展进行了展望。     

二维材料MXene的制备与电学性能研究进展

具有层状结构的二维过渡金属碳/氮化物材料(MXene)因其优良的导电性、良好的亲水性以及丰富的表面化学结构得到了大部分研究者的关注.着眼于MXene的先进制备方法及过程展开综述,同时综述了其在电学方面(包括超级电容器,电池材料和电催化)的研究进展.在MXene超级电容器中相较于普通水系电解液,有机电解液或离子电解液往往...     

铁基超导材料的探索和研究进展

首先回顾了发现铁基超导体的历史,然后从材料学的角度,根据晶体结构的不同,系统地介绍和总结了目前发现的所有铁基超导材料.同时简要介绍了近期新铁基超导材料探索方面的进展以及单晶生长方面的工作.最后根据铁基超导体表现出来的奇特物理性质展望了铁基超导体的物理研究和应用前景.     

铁基超导材料的结构及研究进展

<正>一、前言2006年和2007年,日本东京工业大学的Hosono小组相继发现LaOFeP~([1])和LaNiPO~([2])具有超导电性,超导临界转变温度(TC)均在10K以下,这一发现没有引起外界的关注。2008年初,Hosono小组通过在LaFeAsO体系中掺杂F元素得到具     

超导材料的研究进展及应用现状

超导体不仅在临界温度下具有零电阻特性,而且在一定的条件下具有常规导体完全不具备的电磁特性,因而在电气与电子工程领域具有广泛的应用价值。我国在超导材料及其应用领域总体上处于国际先进行列,基本掌握了各种实用化超导材料的制备技术,在多个应用方面也取得了良好的发展。我国超导材料及其应用领域将不断探索更高临界温度的超导体,提升超导材料及其应用技术的发展水平。本文将介绍超导材料的研究进展及其实际应用情况。     

先进热管理材料研究进展

热管理系统广泛应用于国民经济以及国防等各个领域,控制着系统中热的分散、存储与转换。先进的热管理材料构成了热管理系统的物质基础,而热传导率则是所有热管理材料的核心技术指标。本文针对先进热管理材料的应用、种类以及其中热传导的物理机制等关键问题进行了综述。重点介绍了热界面材料、高导热封装材料、蓄热材料以及热电材料等的研究进展及存在的问题。对均质及复合材料中的热传导机制进行归纳,并指出分子动力学、密度泛函理论及大规模并行计算技术将在揭示多尺度的热传输机制方面发挥越来越重要的作用。     

碳化硅作为先进材料的应用与制备

很少材料具有和碳化硅(SiC)一样卓越的综合性能。在物理性质方面,碳化硅具有几乎和金刚石一样的极高硬度,它能耐1000℃以上的温度,在这样的高温下不发生明显变化。作为半导体,和硅一样,碳化硅具有许多优良特性,适合用于在高温和高频条件下工作及在辐射环境中工作的电子器件。它还有透明性,刚性和强度极高的特点。由于具有这样一些引人注目的特性,SiC一直是由研磨材料到高温器件的各种传统与精密用途的首选材料。     

超导衬底材料制备技术适合联机生产

为了制备单晶Ni衬底,将大约100 nm厚的牺牲外延铜层电沉积在单晶镍基极层上,然后再沉积一个10～50μm的外延镍层,利用选择性的腐蚀去除铜层,把顶部的Ni层从基极层上分离.