磁场中硅熔体的磁黏度

利用魔环磁场,对硅熔体施加横向可调的磁场.采用回转振荡法,测量了硅熔体在不同温度、不同水平方向磁场下的磁黏度.研究结果表明,引入磁场,使硅熔体的磁黏度增加,且磁黏度与磁场强度呈抛物线关系.     

磁场中硅熔体的磁黏度

利用魔环磁场,对硅熔体施加横向可调的磁场.采用回转振荡法,测量了硅熔体在不同温度、不同水平方向磁场下的磁黏度.研究结果表明,引入磁场,使硅熔体的磁黏度增加,且磁黏度与磁场强度呈抛物线关系.     

电磁位场的边界元法

边界元法(BEM)是近年来提出的一种数值分析方法,它由Brebbia等人系统总结并应用于弹性力学等问题中。BEM可看做加权留数法(WRM)的一个特例,因此其结果精确而且稳定。与有限元法等区域法相比,有着计算量较小,处理问题灵活等优点。 本文系统地研究BEM在电磁位场中的应用,讨论了Dirichlet,Neumann和混合型边值问题的解法。研究表明,边界元方程中[H]矩阵是奇异的,所以Neumann问题的解有个待定常数,这就是通常所谓电位参考点问题。 本文对常数元和线性元均导出可供计算矩阵元的解析公式,因此比Brebbia采用的四点Gauss积分法大大缩短了计算时间。 本文还给出边界元法在双导体传输系统中的应用实例,并提供一组通用计算机程序。     

水工结构可靠度分析中随机边界元法的应用

随机边界元法有着精度高、计算量小的优点,适用于复杂大体积结构问题,本文结合对水工结构可靠度的分析,对随机边界元法在其计算中的运用进行了积极探讨,用JC法计算可靠度,研究了基本随机变量离散性的影响,以期能为想时期水工结构的各种工程指标的状况提供有益的参考。     

潜艇内波建模中电磁散射方法分析

潜艇内波不同于传统的舰船尾迹,虽然波幅小,但其范围广并且有规律性,可作为一种探测潜艇的手段来加以利用。该文通过Matlab建模,并用物理光学法（PO）对潜艇尾迹的RCS进行计算,为潜艇内波SAR成像提供了有效的实验数据和基础。     

高压互连线的Galerkin边界元法

针对有限元法难以处理求解区域具有奇异边界的边值问题和计算量相对较大的不足,采用常单元离散形式的Galerkin边界元法处理简化的二维高压互连线问题.在计算系数矩阵元的奇异二重积分时,采用解析的方法,将该算法的误差限制在边界及边界函数的离散上,提高了精度.用Matlab编写了程序,计算结果表明,所提出的方法是有效可行的.     

解决有限元辐射问题的边界元法

音频换能器的计算机模拟已经适时地成为生产优良装置的一种可行的途径。随着对模拟的细节及精度上的要求不断提高,从而必须发展更有效的技术。本文首先讨论了用计算机模拟扬声器的可行性技术,首先,简略地在杂志上进行讨论,然后就扬声器的有限元模型中的应用导出了“边界元”法。     

Multisim中磁耦合线圈的建模

EDA技术已经广泛地用于电路仿真和设计,Multisim软件因其丰富形象的虚拟器件得到实验仿真使用者的一致青睐。本文针对Multisim9．0以下版本缺少磁耦合线圈元件的缺陷,提出一种建立虚拟磁耦合线圈分析模型的方法,推导了该虚拟器件模型参数与磁耦合线圈参数之问的对应关系,通过与实测数据、PSpicc和Multisim10．0仿真结果进行比较,验证了该模型的正确性。还可以利用该虚拟器件实现基于磁耦合线圈的耦合谐振以及无接触电能传输的实验仿真研究。     

用边界元法求波导中不连续的S参量

用数值计算方法求波导不连续等效电路参量已有许多文章发表,可以采用差分方法,有限元法以及矩量法等。但是这些方法都有着缺点,或者计算过程太烦,或者占有较多计算机内存等。本文是利用最近发展的边界无法来解决这类问题,通过对电容膜片和电感膜片参量的计算,以说明这种方法的特色和简单方便之处。     

在设计中使用边界扫描

大多数电子工程师都了解边界扫描(边界扫描有时也称为JTAG、Scan和B-Scan),但可能许多人在设计中并没有使用这种用途广泛的测试技术.边界扫描也称为IEEE1149,它可提供许多好处,远远不止是测试印刷电路板(PCB)上的导线连接状态.设计人员现在利用边界扫描技术来初始化内建自测试(BIST)操作、编程闪存器件、检查模拟器件以及测试高速串行路径.     

低频脉冲磁场中磁屏蔽体磁饱和效应的试验研究

针对磁屏蔽体在低频脉冲磁场环境中可能存在的磁饱和问题,利用试验方法开展了磁饱和效应研究,证实了常规工程屏蔽体可在低频脉冲磁场环境中达到磁饱和状态,并通过观测屏蔽效能的变化获得了磁饱和规律,同时分析了磁饱和效应对屏蔽效能的影响及其与屏蔽体的材料磁导率、壳体厚度、外形尺寸等参数的关系.研究表明：磁屏蔽体屏蔽效能在磁饱和效应影响下,呈现出明显的动态变化特点,具有与屏蔽壳体磁导率类似的变化趋势;壳体厚度2 mm以内、长宽高为2 m×2 m×2 m左右的屏蔽体在上升时间为300μs、持续时间为1.2 ms的磁场环境中,达到磁饱和状态的磁化场强度约为10 mT,其磁饱和难易程度与磁导率及外形尺寸负相关,与壳体厚度正相关.试验研究结果与理论分析结论一致,可为磁屏蔽体的科学合理设计提供参考,具有较高的工程应用价值.     

三维VLSI互连电容提取的边界元法

对互连寄生电容提取的研究背景进行了简要的介绍。重点介绍了直接边界元和间接边界元方法的原理,比较了各种方法的优缺点,对和边界元法相关的各种加速算法、预条件处理及建库方法也作了简要介绍。     

采用边界元法求解带状传输线的特性阻抗

本文运用边界元法研究了带状传输线特性阻抗的求解,推导出了有关表达式,并对一些典型的例子进行了计算。得到的数据均与其它方法的结果进行了比较;文章所述方法具有计算量小、结果精确、处理问题灵活等特点。     

平板介质波导不连续性问题的边界元法分析

本文应用边界元法分析了不对称平板介质波导不连续性结构的散射特性,编制了一个通用的计算机程序,对几个算例进行了计算,结果与已发表文献一致。     

矩形波导结中多介质柱散射特性边界元法分析

应用边界元法数值分析了n个端口矩形波导结中加载多介质柱的散射特性,对介质柱所在区域和除去介质柱后的空气区域分别用单连域和多连域问题的边界元法进行了分析。为了验证此方法的正确性,编制了一个通用的计算机程序,对几个算例进行了计算,结果与文献值一致。     

毫米波微带线色散特性研究的边界元法

本文采用边界元法对微线进行了混合模分析，该方法具有结果精确，计算量小，处理灵活等特点，它可用于各种形式微带线的研究，也可处理任意横截面形状及多种介质。     

微束斑X射线源的边界元法分析

本文详细的讨论了边界元法在处理微束斑X射线源的电子束发射系统是,LaB6阴极电子枪内部结构的剖分、计算公式的推导;为提高精度,并讨论了在求解间接边界元方程时,采用二次等参元插值方法等,在此基础上,通过Gauss消元法和三次样条插值法等解得了系统对称轴上电位分布以及内部场强分布,并利用四阶Runge-Kutta法追踪了电子从阴极开始到阳极入口处的运动轨迹且得到了合适的束斑大小。