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高压并联电容器用放电线圈放电性能试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
文章就高压并联电容器用放电线圈放电性能的考核问题,进行了分析及试验研究,提出试验设备、试验方法和测试手段,以及验证试验与结果。 相似文献
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以放电线圈已有的试验研究成果和现行产品技术标准为基础,从梳理放电线圈故障案例切入,按故障原因及发生时段分成“自身缺陷引发故障(投入后运行多时)”、“使用不当引发故障(投入后数分钟)”、“并发性故障(投切操作过程中)”等3类,可供实用参考;来自生产实践经验得出的3条预防事故措施建议为新编国标所采纳;提出的增设“连续运行”和“差压测试”2项检验项目有助于保证产品质量. 相似文献
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高压并联电容器组放电线圈的选用 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了工程实践中选择高压并联电容器组放电线圈所涉及的诸多方面,详细论述了放电线圈的产品型式、额定电压、放电容量、接线方式、安装布置、二次线圈设置、产品参数和技术特点等,并结合相关标准要求,对选择高压并联电容器组放电线圈的原则和方法进行了探讨,为相关技术人员提供了参考依据。 相似文献
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放电线圈连接方式的探讨 总被引:1,自引:0,他引:1
探讨了放电线圈跨接在电容器与串联电抗器两端的可行性,理论分析和数值计算证明放电线圈的这种跨接并不影响电容器回路的放电特性,且有利于放电线圈的安全运行和产品型号规格的简化。同时,还指出在采用相差动保护的电容器线和需要直接检测电容器端电压的场合,放电线圈不能使用跨接方式。 相似文献
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对照电压互感器的原理和特点,分析了单相电磁式高压并联电容器专用放电线圈与电压互感器的相同点和差异,并对放电线圈主要特点进行了阐述。结合放电线圈的特点,对放电线圈的选用和试验研究提出一些建议。 相似文献
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放电线圈和电压互感器的对比 总被引:1,自引:0,他引:1
周国良 《电力电容器与无功补偿》2008,29(2):46-47
对照电压互感器的原理和特点,分析了单相电磁式高压并联电容器专用放电线圈与电压互感器的相同点和差异,并对放电线圈主要特点进行了阐述。结合放电线圈的特点,对放电线圈的选用和试验研究提出一些建议。 相似文献
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并联电容器组作为一种常用的无功补偿方法在电力系统广泛应用,文章通过试验和理论分析对并联电容器组的放电线圈参数选取进行了深入探讨。 相似文献
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1问题的提出双星形接线并联电容器组每相有两个臂,而放电线图只能接入其中的一个臂,其接入后,对电流不平衡保护会产生什么影响?对这问题,有必要进行研究。2$接入放电线圈的双星形并联电容器组的中供线电流\的计算现设:①电容器组的三相电容量相等,且各相的两臂电容量亦相等,其容抗为乙二一一77。————“”’—”’””——””“一”toC“②当其中一臂出现故障,单台熔丝将故障电容器切除时,其容抗为Zg=77-。””’”’”””“”“””“gcoH“③中性线阻抗近似为零。电源中性点O为零电位。为了计算N-n支路的中性线电流… 相似文献
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继电保护二次回路不可靠会影响保护装置的正确动作,产生误动和拒动,增加电气设备运行的不稳定性。通过分析二次回路不可靠造成的危害及原因,提出提高二次回路可靠性的措施,确保电气设备安全稳定运行。 相似文献
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针对多绕组移相变压器单个绕组短路故障难于检测的问题,介绍了基于原边三相电流及三相电压采样的故障判断方法.该方法通过计算原边电流无功及负序分量,能够及时判别变压器副边短路故障.理论仿真及实际测试结果表明,该方法可实现多绕组变压器副边短路的快速保护. 相似文献
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通过理论分析,现场试验和计算机计算,对断路器开断变压器二次侧短路故障进行了较深入的研究,得到断路器母线侧、变压器侧以及断口间的过电压倍数和高频振荡频率及其随各种因素的变化规律,研究了此种故障的开断条件,确定了确保断路器顺利开断的几项措施。 相似文献
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本文着重介绍了微机控制电池自动放电检测系统中开路电压与短路电流测试方法的构思过程及现行测试方法的设计原理和运行过程,特别是其经济实用的特点。 相似文献
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考虑到城市轨道交通中均采用TN系统,重点分析了TN系统中短路保护兼做接地故障保护的条件,并通过具体的计算案例,给出了当短路保护不能兼做接地故障保护时,可供采取的改进措施,改进措施主要有加大导体截面、采用带短延时过电流保护的断路器及采用三相不平衡电流保护或剩余电流保护等. 相似文献
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为了保障碳化硅(silicon carbide,Si C)在发生短路故障时可安全可靠的关断,需在掌握其短路特性基本规律的前提下,针对Si C短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征,展开去饱和保护电路(desaturation fault protection,DESAT)电路中关键参数的研究,并制定其工程化设计的参考标准。在此基础上,文中进一步提出基于氮化镓(galliumnitride,GaN)的高速、低传输延时的DESAT短路保护电路,短路保护电路的驱动动作延时仅为常规基于硅器件DESAT电路的23.2%。所提出的氮化镓DESAT电路为SiC MOSFET短路保护电路的更优越的实现方案。 相似文献
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继电保护二次回路试验方法 总被引:1,自引:0,他引:1
针对继电保护二次回路的试验方法,详细介绍了二次回路通电试验前应具备的条件,电流、电压互感器回路、控制回路、备用电源自动投入控制回路、电动机联锁回路、继电保护回路的试验方法、内容及注意事项,以及检验后全部设备及回路应恢复到工作前状态,向运行人员详细交待定值变更、二次接线更改情况,以及未解决问题和缺陷,运行注意事项等。 相似文献