金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应

金属.二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数.为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013～1×1014cm-2屯的电子束作为辐照源.实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷.通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了10-2cm-2.同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系.     

MOS结构低温负偏压温度不稳定性

本文报道了在氧等离子体中暴露过的热生长二氧化硅ＭＯＳ结构，置于－１７０至１００℃的环境中，经受－０．３至－１０ＭＶ／ｃｍ电场作用１ｍｓ至１００ｓ的时效处理后，仍然表现出不稳定性的实验结果．１至１０ｍｓ的时效时间是常规负偏压温度不稳定性试验时间的几百，乃至几十万分之一，用这样短的低温负偏压应力，研究了光照对ＭＯＳ结构负偏压温度不稳定性的影响，实验与预想一致，Ｎ型ＭＯＳ结构应力处理时，若无光照，时效时间短于１０ｍｓ，处理后Ｃ－Ｖ曲线不位移，若有光照，Ｃ－Ｖ曲线向左位移０．１５Ｖ左右．对于Ｐ型ＭＯＳ结构，Ｃ－Ｖ     

MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

本文介绍了ＭＯＳ集成电路的静电击穿机理，提出了在ＭＯＳ集成电路生产过程中的一些防静电措施。     

MOS结构SiO2膜陷阱化动力学

本文建立了在高电场Ｆ－Ｎ隧穿注入条件下，ＭＯＳ结构ＳｉＯ膜中包含陷阱产生现象的陷阱化动力学方程。由这些方程导出若干结果；并这些结果，提出了确定ＳｉＯ膜内陷阱特性参量的分析方法。也简单讨论了二氧化硅膜内几各不同类型陷阱。     

含氟超薄栅氧化层的抗击穿特性研究

对含 F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究。实验结果表明 ,在栅介质中引入适量的 F可以明显地提高栅介质的抗击穿能力。分析研究表明 ,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的 ,F的引入可以对 Si/Si O2 界面和 Si O2 中的 O3 ≡ Si·与 Si3 ≡ Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱进行补偿 ,从而减少了初始固定正电荷和 Si/Si O2 界面态 ,提高了栅氧化层的质量。研究结果表明 ,器件的击穿电压与氧化层面积有一定的依赖关系 ,随着栅氧化层面积的减小 ,器件的击穿电压增大。     

恒流应力下栅氧层与时间有关的击穿

本文用恒定电流应力加速寿命试验研究了栅氧层与时间有关的击穿及诱性电荷的产生规律。     

MOS结构中的两类慢界面态

通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反，ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央．并探讨了这些慢态的微观机理．     

新结构MOS/晶闸管的器件机理与研制

本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新结构MCT器件，其电流关断能力分别达到114A／cm2和41A／cm2．     

深亚微米MOS器件的物理,结构与工艺

本文从器件物理、器件结构和工艺等三个方面介绍了深亚微米器件。包括 :短沟道效应 ;LDD和SOI结构 ;移相掩模光刻技术和多层金属布线工艺。     

MOS器件的栅氧化层抗HPM击穿效应的研究

随着集成度的不断提高,集成电路的绝缘层越来越薄.如CMOS器件绝缘层的典型厚度约为0.1μm,其相应的耐击穿电压在80～100V间.当器件特征尺寸进人深亚微来时,栅氧化层厚度仅为数纳米,而器件工作的电源电压却不宜降低,这使栅氧化层工作在较高的电场强度下,栅氧化层的抗电性能成为一个突出的问题.往往一个能量不算大的电磁脉冲,就可以让集成电路的栅氧击穿,将直接导致MOS器件的失效.     

注入光敏器件与MOS场效应结构比较

通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种ＭＯＳ效应结构,对文献「９」中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自己的见解。     

直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为

基于一阶速率方程,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为.通过对应力电流的拟合,发现存在三类缺陷产生的前身.更进一步的统计实验显示,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系.这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命.与常规的氧化层击穿实验相比,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效.     

直接隧穿应力下超薄栅氧化层中的多缺陷产生行为

基于一阶速率方程 ,讨论了恒定电压应力下应力电流的饱和行为 .通过对应力电流的拟合 ,发现存在三类缺陷产生的前身 .更进一步的统计实验显示 ,在缺陷产生时间常数、击穿时间以及应力电压之间存在着明确的关系 .这意味着缺陷产生时间常数能够被用于有效预测氧化层的寿命 .与常规的氧化层击穿实验相比 ,基于缺陷产生时间常数的预测更快、更有效     

MOS型硅功率器件平面终端结构

本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。     

新型MOS氧化层TiO2薄膜

采用低压MOCVD法在(111)取向硅基上制备了TiO2薄膜代替通常MOS结构的SiO2，并测量了TiO2薄膜的介电常数、表面固定电荷密度和电阻率．与SiO2作比较，结果表明：TiO2的MOS结构比SiO2具有更优良的性质．更适应于超大规模集成电路制造。