8位精度200MHz流水线结构CMOS电压比较器

提出了一种新颖的高速ＣＭＯＳ电压比较器的电路结构，它由一个差分输入组、两组串 ＣＭＯＳ锁存电路和两个ＣＭＯＳ倒相器所组成，并且在外部的三相不交叠时钟信号控制下进行流水线操作。整个电路根据标准的双吕布线１．５μｍ，ｎ阱工艺设计规则和工艺参数进行设计版图面积为为１００μｍ×８０μｍ。整个电路在５Ｖ单电源从电条件下进行具有８位精度的电压比较工作，在以最大采样频率（２００ＭＨｚ）工作时，功耗仅为１．２ｍＷ     

一个超低通开关电容滤波器的设计

介绍了转折频率为３５Ｈｚ的超低通开关电容滤波器单元的设计。滤波器的时钟频率为８ｋＨｚ，最大电容比为５１，单位电容为０．２ｐＦ，采用３μｍＣＭＯＳ ＳＭＤＰ工艺实现。该电路对小信号有较好的信噪比。     

用LPE研制的室温连续工作的1．48μm单量子阱激光器

利用液相外延（ＬＰＥ）技术研制出室温连续工作的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制单量子阶（ＳＣＨ－ＳＱＷ）双沟平面掩埋（ＤＣ－ＰＢＨ）激光器。室温下，腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为２３ｍＡ（激光器腔长为２００μｍ，ＣＷ，１３℃）。激射波长为１．４８μｍ，最高输出功率达１８．８ｍＷ（Ｌ＝２００μｍ．ＣＷ，１８℃）。脉冲输出峰值功率大于５０ｍＷ（脉冲宽度１μｓ、频率１ｋＨｚ），未见功率饱和。量子阱的阱宽为２０ｎｍ［１］．     

P~+-Si_(1-x)Ge_x/p-Si红外探测器微结构的研究

随着遥感遥测科学技术的发展和军事上的需要，红外探测器及红外焦平阵列的应用日益迫切［１］。Ｐ＋－Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／ｐ－Ｓｉ异质结内光发射红外探测器因其具有易和ＣＭＯＳ或ＣＣＤ读出电路实现单片集成，工艺简单，成本较低，可同时工作于３～５μｍ和８～１４μｍ...     

一种分区式高速12位A／D转换器

介绍了一个高速１２位分区式Ａ／Ｄ转换器的设计。电路采用“３位＋３位＋８位”的三级分区式结构。其中的８位ＡＤＣ为折叠插入式ＡＤＣ，误差校正采用模拟校正、数字编码形式。采用２μｍＢｉＣＭＯＳ设计规划设计的电路，经ＰＳＰＩＣＥ仿真，在±５Ｖ电源下，采样频率高达３ＭＨｚ。     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极的速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主。因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ技术显得愈发相似。本文例举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点，ＢｉＣＭＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍有增加，但其性能提高一倍。     

0．1μm栅长的CMOS电路门延迟为11．8Ps

０．１μｍ栅长的ＣＭＯＳ电路门延迟为１１．８Ｐｓ据《ＮＩＫＫＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ》１９９３年第１２—２０期报道，１９９３年１２月６～８日在美国召开的国际电子器件会议（ＩＥＤＭ）上，美国ＡＴ＆Ｔ贝尔实验室，ＩＢＭ公司，日本富士通研究所和东芝研究开发...     

亚微米BiCMOS工艺技术

ＢｉＣＭＯＳ是双极速度和驱动能力与ＣＭＯＳ的高密度和低功耗的结合。考虑到功耗原因，ＢｉＣＭＯＳ器件主要以ＣＭＯＳ为主，因此，双极器件通常并入ＣＭＯＳ核心工艺流程。当器件尺寸减小时，双极和ＣＭＯＳ的技术显得愈发相似。本文列举了０．８μｍ和０．５μｍ的技术论点。ＢｉＣＯＳ电路与ＣＭＯＳ相比，成本稍高但其性能提高一倍。     

2～3μm AlSi的反应离子刻蚀及实用化技术研究

在Ｔｅｇａｌ１５１２ｅ反应离子刻蚀（ＲＩＥ）设备上，利用Ｃｌ＿２、ＳｉＣｌ＿４为主要刻蚀气体进行了Ａｌ－Ｓｉ１．２％的反应离子刻蚀，研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上，本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究，并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到１．５μｍ，实用达２～３μｍ，体刻蚀率大于１μｍ／ｍｉｎ，均匀性小于±５％，线宽损失小于１０％，对热氧化ＳｉＯ＿２和ＡＥ１４５０Ｊ正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达８：１和３：１。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中，效果良好。     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ。频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。     

用单片机设计发音电路

本文介绍使用ＡＴ８９Ｃ２０５１制作的一种发音电路，各种声音通过编程实现，灵活方便。原理图如图１所示。图１　发音电路原理该电路利用方波谐波成份丰富的特点，编程采用计时器延迟法发音，即每个音的半周期计时中断一次，而使输出Ｐ１．０（或其他Ｉ／Ｏ口）反相，重复执行产生某种频率的信号。例如：中音ＤＯ的频率为５２３Ｈｚ，其周期为１９１２μｓ，半周期为９５６μｓ，若初始Ｐ１．０＝１，经９５６μｓ后应使Ｐ１．０＝０，再经９５６μｓ恢复Ｐ１．０＝１，这样就可发出中音ＤＯ。若选择振荡频率为１２Ｈｚ，则机器周期为１μ…     

8～16GHzGaAs单片宽带分布放大器

报道了８～１６ＧＨｚＧａＡｓ单片宽带分布放大器的设计与制作。单级ＭＭＩＣ电路采用三个栅宽为２８０μｍ的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ作为有源器件，芯片尺寸为１．１ｍｍ×１．６ｍｍ。在８～１６ＧＨｚ频率范围，用管壳封装的两级级联放大器增益Ｇ＿ａ，为１１．３±１ｄＢ，噪声系数Ｆ＿ｎ＜６ｄＢ，输出功率Ｐ＿（１ｄＢ）＞１６ｄＢｍ。     

短沟道CMOS／SIMOX器件与电路的制造

本文简要介绍短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件与电路的研制。在自制的ＳＩＭＯＸ材料上成功地制出了沟道长度为１．０μｍ的高性能全耗尽ＳＩＭＯＸ器件和１９级ＣＭＯＳ环形振荡器。Ｎ管和Ｐ管的泄漏电流均小于１×１０－１２Ａ／μｍ，在电源电压为５Ｖ时环振电路的门延迟时间为２８０ｐｓ。     

数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ，频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。     

音响测试器

４６４．音响测试器测试一种音频的简单装置，通常是使用ＴＴＬ电路或ＣＭＯＳ电路。这里，以ＩＣ＿１ａ为基础的振荡器能产生５００Ｈｚ～１．５ｋＨｚ范围内的由Ｐ＿１预置的一个频率，信号被使用之前由ＩＣ＿１ｂ进行缓冲。开关Ｓ＿２用于使信号与被测试设备相匹配。若...     

高速BiCMOS工艺研究

研究开发了一种准２μｍ高速ＢｉＣＭＯＳ工艺，采用自对准双埋双阱及外延结构．外延层厚度为２．０～２．５μｍ，器件间采用多晶硅缓冲层局部氧化（简称ＰＢＬＯＣＯＳ）隔离，双极器件采用多晶硅发射极（简称ＰＳＥ）晶体管．利用此工艺已试制出ＢｉＣＭＯＳ２５级环振电路，在负载电容ＣＬ＝０．８ｐＦ条件下，平均门延迟时间ｔｐｄ＝０．８４ｎｓ，功耗为０．３５ｍＷ／门，驱动能力为０．６２ｎｓ／ｐＦ．明显优于ＣＭＯＳ门．     

XD—C波段频率合成器方式直接分频锁相介质振荡器

本文介绍了微波通信领域的新技术－频率合成器方式直接分频锁相介质振荡器在ＸＤ－Ｃ波段电路的设计方法。通过对其工作原理的分析讨论，给出了采用微波ＣＡＤ辅助设计软件完成的６．１－８．５ＧＨｚ频段该电路的设计和测试结果。     

在音频电路中减小Vcc微波

图１所示电路可以降低至少超出音频波段（１００Ｈｚ到２０ＫＨｚ）３５ｄＢ的噪声和微波。该音频电路采用标准５Ｖ电源供电。大多数线性稳压器只能抑制大约１００Ｈｚ的噪声,并且在便携机方面使用大体积的无源低通滤波器很不方便。图１整个电路的布局很小,其中包括一个ＳＯＴ－２３的晶体管ＦＭＭＴ６１９ＣＴ,一个紧缩型的ＳＯ－８运算放大器ＴＬＣ４５０１ＣＤ和一些无源器件,最大电容是１０μＦ,电阻选用０．１Ｗ功率的。所以在便携式产品,例如蜂窝电话和多媒体笔记本电脑等方面应用很方便。 如图所示的电路可以接受Ｖｃｃ在４．…     

CMOS浮地电源交叉耦合运算跨导放大器

提出了一种高线性度运算跨导放大器．该电路采用ＣＭＯＳ对管和浮地电源交叉耦合作输入级。对所描述的电路进行了理论分析和计算机模拟．结果表明，在传输特性的非线性误差不大于１％时，电路的差动输入电压范围可达±２．８Ｖ。