对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响及CoCr软盘的研究

本文系统地研究了对向靶溅射参数P_Ar、I_s、T_s、V_b对CoCr膜结构和磁性的影响。结果发现较低的P_Ar和适当的V_b对提高CoCr膜C轴的取向度有利,T_s、I_s对CoCr的磁性有很大影响。在此基础上研制出了CoCr软磁盘。     

高速溅射垂直磁记录CoCr膜的现况

<正> 前言 1975年,岩崎俊一教授提出垂直磁记录技术以后,该技术迅速引起各国的广泛注意。1982年以来,已有东芝等多家公司采用垂直磁记录方式制成了软盘样机,其记录介质大部分采用Co-Cr单层膜或Co-Cr/Ni-Fe和Co-Cr/Ge双层膜。     

射频溅射参数对CO-Cr膜取向的影响

用于垂直磁记录的 Co-Cr 膜是采用射频(RF)溅射的方法沉积的。几个最重要的溅射参数,即RF 溅射电压 VRF、氩气压力 Par 和基片保持器温度 Tsh,决定着磁化垂直取向的最佳值。其晶体结构在各种参数变化的范围内总是 hcp(六方密排—译注)。如果不使用最佳溅射参数,则会观察到 C 轴沿膜面取向的附加 h■p 化合物(an additional hcp compound)。这种取向会使平面剩磁 S■=(Mr/Ms)增加。我们对溅射参数引起的基片温度变化进行了测量,发现只有在 Ts 大约150℃时才能获得纯粹的 C 轴垂直取向。若因改变 Tsh 或溅射条件而导致改变 Ts 的取值,结果就会出现 C 轴沿膜面取向的附加 hcp 化合物。因此认为 Ts 对于 Co-Cr 膜的溅射是一个相当重要的参数。     

对向靶溅射参数对CoCr膜性质的影响

<正> 本文系统地研究了对向靶溅射参数对垂直磁记录介质 CoCr 膜结构和磁性的影响。一、引言近年来,随着垂直磁记录介质研究的发展,关于二极溅射、磁控溅射和射频溅射的溅射条件对 CoCr 膜性质的影响已有许多研究,但新型对向靶溅射仪溅射条件对 CoCr 膜性质的影响还不甚清楚。对向靶溅射中影响 CoCr 膜性质的因素很多。通过实验研究,我们发现氩气压力 P_(Ar),溅射电流 I_s,基板温度 T_s和基板负偏     

软磁盘耐磨性能测试方法的研究

<正> 软磁盘的耐磨性能常称之为寿命。虽然目前还未被纳入ISO标准,但是不少国家级软磁盘标准,以及一些软磁盘制造企业集团的企业标准都对软磁盘的耐磨性能做了具体的规定。由此可见,该项性能也是衡量软磁盘性能优劣的重要指标。不少专家、学者为鉴定软磁盘的耐磨性能做了很多工作,提出了许多测试方案。     

Co-Cr垂直记录软磁盘的研究

本文论述了用射频磁控溅射方法制备Co-Cr垂直记录软盘及其特性。Co-Cr介质的耐磨性与淀积期间的氩气压(PA_r)有很强的依赖关系。我们研制成功的3.5英寸聚酰亚胺/CoCr软盘,当写入电流为4mA时,读出幅度对于500 kHZ频率为320～350 mV,对于1 MHz频率为300 mV。分辨力为85％～93％。     

CoCr垂直磁记录薄膜的温度特性研究

本文利用射频磁控溅射方法制备了CoCr垂直磁化膜样品,研究了其磁光克尔效应及其不同温度下的磁光克尔回线。并利用CoCr膜的磁光克尔效应的温度特性来说明CoCr膜具有很好的温度稳定性。     

软磁盘质量及涂布缺陷的分析

<正> 前言随着计算机的问世,软盘作为外存储介质应运而生,又随计算机的发展而发展。我国从91年下半年出现了软盘生产热,从沿海到内地,从中央到乡镇,一股脑儿上了几十条后加工生产线,使软盘的年生产能力提高了3倍,高达5亿片。如此巨大的软盘加     

软磁盘的峰值移动

<正> 前言自从美国IBM公司1972年宣布使用软磁盘以来,特别是美国Shugart公司1976年采用51/4英寸软盘后,软磁盘的发展异常迅速,应用范围日趋广泛,已深入到各个领域和部门,其品种也越来越多。     

软磁盘的最新发展

<正> 软磁盘是由衬底(聚酯薄膜)和磁记录介质构成的数字记录媒体,它基于磁带工艺,结合计算技术的需要,首先由美国IBM公司研制成功(1967年,1594bpi,32tpi),于1971年正式宣布用于计算机系统作数据站(3268bpi,48tpi)。因为它价格低、体积小,重量轻、随机存取、     

软磁盘的发展动向

<正> 软磁盘是作为外存储器的核心部件,广为应用于小型和微型计算机系统。软磁盘也可与键盘显示器等组成数据输出装置,用于中、大型计算机的信息存储器和各种智能终端机的辅助存储器。具有记录     

软磁盘性能的测试

<正> 引言软磁盘作为数字磁记录介质,其产品测试的重要性是不言而喻的。一般工业产品允许抽样检查,而软磁盘则需要逐片测试才能保证产品质量的可靠性。软磁盘的测试有两方面的问題要考虑:一是确定它作为检验依据的测试标准。目前国际标准化组织欧洲计算机制造     

具有非磁性中间层的RE-TM双层垂直磁化膜耦合研究

研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层（TbFeCo）和写入层（DyFeCo）中加入TiN非磁性层后的耦合性能。当 TiN层为 3～21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为 0.2～0.3 erg/cm2,如果能精确控制 TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,从而改善MO薄膜的读写特性。