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分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。根据非晶硅中亚稳态产生的特点,并针对驱动OLED的两管a-Si∶H-TFT像素电路,提出了一种通过对数据信号时序的重新设计来补偿阈值电压漂移的方法,即在数据信号间加插一个与数据信号极性相反的补偿信号。通过这种正负交替的信号,使驱动管TFT中由亚稳态造成的阈值电压漂移始终保持在一个动态平衡的过程,来实现驱动OLED电流稳定的目的。 相似文献
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目前各行业应用的多数压力变送器是利用压阻式扩散硅压力传感器作为信号的传送环节。但由于技术等多方面限制的原因,压阻式压力传感器易受现场温度变化的影响,从而产生零点漂移。文章针对此问题进行了探讨。 相似文献
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设计了一款应用于硅基OLED微显示驱动芯片的Cuk型DC-DC变换器,用于给硅基OLED的公共阴极提供负电压,输出电压范围为0~-4V,可以实现动态可调。Cuk变换器采用单周期和III型补偿的混合控制方式,使电路获得了良好的抗输入扰动性和负载调整率。该变换器使用0.35μm CMOS工艺模型进行设计,工作在2 MHz开关频率。仿真结果显示,在150mA负载跳变时,瞬态恢复时间为24μs,过冲电压为33.47 mV,同时负载调整率为0.003 mV/mA,输出电压的纹波小于5mV。 相似文献
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无功补偿自控方案在电力设计中的应用比较 总被引:1,自引:0,他引:1
简述了无功补偿的原因和意义、补偿途径和方式。研究了传统电子式自动补偿控制方案、基于单片机控制技术的无功补偿自控方案以及基于PLC控制技术的无功补偿自控方案等设计结构和原理。并对其性能和电路结构特点进行比较,为电力设计提供参考。 相似文献
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针对测量设备中存在的温漂问题,本文提出了一种软件补偿算法,来降低温漂。文中详细介绍了补偿算法的原理。此算法已在实践中得到证明。能够较好地解决测温设备中的温漂问题。 相似文献
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卫星飞秒激光测距理论上可达到亚微米量级的测距精度,但飞秒激光脉冲在大气中传输时由色散导致的脉冲展宽显著,会使测距精度下降。为补偿飞秒激光脉冲在大气中的色散需对其色散量进行定量计算。推导了飞秒激光脉冲在大气中的群速度色散和脉冲展宽公式,表明脉冲展宽程度和群速度色散及传输距离有关;中心波长相同的飞秒激光脉冲脉宽越窄色散越严重,而当脉宽相同时,中心波长越短色散越严重。计算比较了大气和BK7玻璃的群延时、群速度色散和三阶色散。卫星激光测距系统应采用中心波长较长的1 550 nm的飞秒激光脉冲,脉宽应适当选取。由于飞秒激光色散严重,提出了采用单模光纤序列进行粗补偿和采用光栅对进行精密补偿的两种补偿相结合的方式对其色散进行补偿。 相似文献
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热透镜是限制激光器功率提升的重要因素,薄片 结构在散热方面有一定的优势,但在 高功率泵浦下热透镜效应仍是不能回避的问题。本文从热传导方程出发,借助有限元软件, 构建了水冷薄片激光器的模型,在300 W的泵浦功率条件下对薄片晶 体的温度分布、端面变形 量和激光器整机结构的应力分布进行了详细分析,在此基础上,分析了薄片晶体安装时的机 械应力对晶体热透镜的改善作用。对比补偿前后的分析结果可知,当热沉盖板中产生100 N的 正压力对薄片晶体的热变形进行补偿时,其薄片晶体的端面变形量小于未补偿时的变形量, Yb:YAG水冷薄片激光器的热透镜效应有了明显改善。此外,适当增加薄片晶体安装时产生正 压力的大小可以更好地改善激光器的热透镜效应。 相似文献
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OLED像素电路存在驱动晶体管阈值电压漂移的问题,引起显示效果的下降.在专利数据库中进行检索和分析,对韩国三星近年来提出的多种用于抑制驱动晶体管阈值电压漂移的OLED像素电路的原理进行了分析,并提出了一些设计方面的考虑因素. 相似文献
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a-SiTFTLCD技术的进展正在加快,但也仍然存在一些影响提高图像质量与拓宽应用领域的问题。最严重的问题之一是a-SiTFT各个电极上电压的失真,本文旨在讨论其像素电极电压跃变效应及其补偿方法。 相似文献
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薄膜a-Si PIN/OLED图像传感显示器的设计与模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种将薄膜a-SiPIN光敏传感单元与OLED有机发光显示单元合二为一的新型图像传感显示器件;通过对每个单元的分别建模以及叠层器件的串联结构特点,对器件单元像素的电流电压特性进行了模拟.结果表明:器件驱动电压的降低主要通过增大OLED的幂指数因子实现;薄膜a-Si PIN的灵敏度对器件灵敏度有决定性的影响;降低a-Si PIN隙态密度能有效地展宽器件的线性响应区域;器件应用领域的不同,对a-SiPIN的并联等效电阻的大小有不同的要求. 相似文献
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a—SiNx:H薄膜对a—Si:H TFT阈值电压的影响 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了测定a-Si:HTFT闽值电压的实验方法。重点研究了改变a-SiNx:H薄膜淀积时反应气体NH3/SiH4流速比以及a-SiNx:H膜厚对a-Si:HTFT阈值电压的影响。对实验结果进行了分析。实验结果表明:a-Si:HTFT的阈值电压随a-SiNx:H的膜厚增加而增大;增大X-SiNx:H薄膜淀积时NH3/SiH4气体流速比,可明显减小a-Si:HTFT的阈值电压。 相似文献
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XIONG Zhibin WANG Chang''''an XU Zhongyang ZOU Xuemei ZHAO Bofang DAI Yongbing WAN Xinheng 《半导体光子学与技术》1997,(4)
DependenceofThresholdVoltageofa-Si:HTFTona-SiNx:HFilm①XIONGZhibin,WANGChang’an,XUZhongyang,ZOUXuemei,ZHAOBofang,DAIYongbing,W... 相似文献
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N/A 《半导体光子学与技术》1997,3(4):290-295
The relation between threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon thin film transistors(a-Si:HTFTs)and deposition conditions for hydrogenated amorphous silicon nitride(a-SiNx:H)films is investigated.It is observed that the threshold voltage,Vth,of a-Si:HTFT increases with the increase of the thickness of a-SiNx:H film,and the threshold voltage is reduced apparently with the increase of NH3/SiH4 gas flow rate ratio. 相似文献
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文章依据OLED器件的结构和发光机理介绍了OLED的驱动电路,并讨论了各种驱动电路在使用中的一些问题,提出了它们的适用场合. 相似文献