一种10位50MHz流水线模数转换器的设计

采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。     

5 Msample/s两倍增益差分采样/保持电路的设计和分析

设计和分析了一种用于10位分辨率,5 MHz采样频率流水线式模数转换器中的差分采样/保持电路.该电路是采用电容下极板采样、开关栅电压自举、折叠式共源共栅技术进行设计,有效地消除了开关管的电荷注入效应、时钟馈通效应引起的采样信号的误差,提高了采样电路的线性度,节省了芯片面积、功耗.电路是在0.6 μm CMOS工艺下进行模拟仿真,当输入正弦波频率为500 kHz,采样频率为5 MHz时,电路地无杂散动态范围(SFDR)为75.4 dB,能够很好的提高电路的信噪比,因此该电路适用于流水线式模数转换器.     

基于无采样保持和运放共享的10-bit 50-MS/s亚采样流水线模数转换器

摘要：本文采用提出的面积和功耗优化结构,设计了一个10-bit 50-MS/s的流水线模数转换器。本设计将采样保持和第一级转换电路融合为一个模块,既省去了前端采样保持电路,又避免了第一级中余差放大电路和子模数转换器延时路径需要匹配的问题,该模块具有功耗低稳定性高的特点。为了进一步降低面积和功耗,相邻两级间采用运放共享结构,该结构具有运放失调电压和级间串扰影响小的特点。该10-bit模数转换器的实现仅采用了四个运放。测试结果表明,当采样率为50MHz、输入为奈奎斯特频率时,获得52.67dB SFDR和59.44dB SNDR。当输入频率上升到两倍奈奎斯特频率时,该模数转换器仍然保持了稳定的动态性能。本设计采用0.35μm CMOS工艺实现,芯片有效面积仅为1.81mm2,50MHz采样率3.3V供电时功耗为133mW。     

一种1.8V 10位100Ms/s流水线模数转换器设计

针对自举开关中的寄生效应和导通电阻的非线性问题提出了一种新的低压低电阻的自举开关.同时利用增益增强技术设计高直流增益和高单位增益带宽的运放,从而保证采样保持电路和子级电路的性能.基于以上技术,设计了一个10位100Ms/s流水线模数转换器,该模数转换器用0.18μm CMOS工艺流片验证.经测试,该模数转换器可以在采样率为100MHz,输入频率分别为在6.26和48.96MHz的情况下分别获得54.2和49.8dB的信噪比.     

一种1.8V 10位100Ms/s流水线模数转换器设计

针对自举开关中的寄生效应和导通电阻的非线性问题提出了一种新的低压低电阻的自举开关.同时利用增益增强技术设计高直流增益和高单位增益带宽的运放,从而保证采样保持电路和子级电路的性能.基于以上技术,设计了一个10位100Ms/s流水线模数转换器,该模数转换器用0.18μm CMOS工艺流片验证.经测试,该模数转换器可以在采样率为100MHz,输入频率分别为在6.26和48.96MHz的情况下分别获得54.2和49.8dB的信噪比.     

一种具有84.8dB SFDR和72dB SNDR的14位80MS/s CMOS模数转换器

本文描述了一种基于0.35μm CMOS工艺的14位采样率80MS/s的流水线型模数转换器的设计. 所提出的电荷分享校正技术消除了与信号相关的电荷注入效应, 加上片内的低抖动时钟电路, 保证了模数转换器的高动态性能. 一种信号电容开关技术和高对称版图减小了电容失配, 确保了模数转换器的总线性度. 测试结果表明, 该模数转换器在36.7MHz输入频率下, 实现了11.6位的有效位, 84.8dB的无杂散动态范围(SFDR), 72dB的信号噪声失真比(SNDR), 在无校准情况下获得了＋0.63/－0.6 LSB的微分非线性和＋1.3/－0.9 LSB的积分非线性. 输入频率200MHz时,仍然可以保持75dB的SFDR和59dB的SNDR.     

一种时间交叉采样ADC失调与增益误差校准方案

针对时间交叉采样模数转换器的失调、增益误差提出了校准方案.该方案主要通过各通道模数转换器向同一通道校准的方法,首先计算出误差参数,再根据误差参数对数字量进行校准.采用该校准方案对四通道10位640 Msps模数转换器进行校准,经MATlAB仿真,结果表明输入频率为79.14 MHz时,校准后的无杂散动态范围为75.17 dB,信噪比为55.98 dB,有效精度为9.01 bit,比较准前分别提高了24.6 dB、6.47 dB、1.08 bit.     

0.35μm CMOS 4位1 Gsample/s全并行模数转换器设计

介绍了一种基于0.35μm CMOS工艺的4位最大采样速率为1GHz的全并行结构模数转换器的设计.因为在高采样率的情况下,比较器的亚稳态问题降低了模数转换器的无杂散动态范围,在本次设计中对其进行了优化.后仿真结果表明,输入信号为22.949MHz,在1GHz采样率的情况下,信噪比达到25.08dB,积分非线性和微分非线性分别小于0.025LSB和0.01LSB,无杂散动态范围达到32.91dB.芯片采用具有两层多晶硅的0.35μmCMOS工艺设计,总面积为0.84mm2.     

用于低中频GPS接收机的CMOS闪烁型模数转换器

模数转换器引入的信噪比的降低会直接影响GPS接收机的灵敏度,需仔细设计以减小信噪比的降低。采用TSMC0.25μm CMOS单层多晶硅五层金属工艺设计了一个用于低中频GPS接收机的CMOS4bit16.368MHz闪烁型模数转换器。实现一个高性能闪烁型模数转换器的关键是得到一个低功耗、低回程噪声、低失调电压的前置放大器和比较器电路,因此重点放在了提出的新的前置放大器和比较器的设计和优化上。在时钟采样率16.368MHz和输入信号频率4.092MHz的条件下,转换器测试得到的信噪失真比为24.7dB,无杂散动态范围为32.1dB,积分非线性为 0.31/-0.46LSB,,差分非线性为 0.66/-0.46LSB,功耗为3.5mW。转换器占用芯片面积0.07mm2。测试结果表明了该模数转换器的有效性,并已成功应用于GPS接收机芯片中。     

德州仪器推出13位210MSPS ADC

日前，德州仪器（TI）宣布推出一款13位210MSPS的模数转换器（ADC），在最大采样率为210MSPS以及输入频率为230MHz的条件下，该产品的信噪比（SNR）为68dB，无杂散动态范围（SFDR）为79dB。新型ADS5440具有突破性的动态性能，提供更加优异的接收机性能，广泛适用于软件定义的无线电、基站功率放大器线性化系统以及测试与测量系统等领域。     

Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100)存储器

利用准分子激光原位淀积方法制备了BIT／PZT／BIT，PZT／BIT和BIT层状铁电薄膜，获得了电流密度－电压（I－V）回线和极化强度P－V电滞回线。在这三种结构中，Au/BIT/PZT/BIT/p-Si(100）结构的界面电位降、内建电压及频率效应是最小的。在电压转变电VT、饱和极化强度Ps及矫顽场Vc之间有三种关系，他们与I－V回线及P－V回线的关系相匹配，这种匹配关系使得以I－V回线操作的存储器将能够非挥发和非破坏读出及具有保持力。     

TiO2/n-Si/p-Si及n-PS/p-PS/Si的光伏特性

在抛光的p型单晶硅上通过扩散工艺制备pn结,采用此种硅片利用阳极腐蚀法制备多孔硅(PS).用磁控溅射镀膜机在有pn结的单晶硅表面镀上一层TiO2纳米结构薄膜,并用表面光电压谱(SPS)研究了n-PS/p-PS/Si和TiO2/n-Si/p-Si的表面光伏特性.结果表明TiO2/n-Si/p-Si和n-PS/p-PS/Si的光伏效应比n-Si/p-Si在不同程度上有所提高.在300～600 ℃热处理温度范围内TiO2/n-Si/p-Si的光伏效应随温度的升高而增强,600～800 ℃范围内随温度的升高而降低.     

A compact microstrip fed dual polarised multiband antenna for IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax applications

A compact microstrip fed dual polarised multiband monopole antenna for IEEE 802.11 a/b/g/n/ac/ax communication based applications is presented. The antenna is circularly polarised in IEEE 802.11 b/g bands while linearly polarised in IEEE 802.11 a/n/ac/ax bands. The asymmetric U-shaped slot in the ground plane of proposed antenna is used to introduce the necessary 90° phase shift between two orthogonal electric field vectors necessary for circular polarisation. The Ω-shaped slot on patch is used to introduce a band elimination notch between the usable frequency bands. The radiation characteristics of the proposed antenna (at 2.4 GHz) can be changed from left hand circular polarisation (LHCP) to right hand circular polarisation (RHCP) by replacing asymmetric U-shaped slot with its mirror image on the opposite side of ground plane. The proposed antenna has a wide impedance bandwidth of 110.8% and can also be used in various applications including worldwide interoperability for microwave access (WiMAX) and IEEE 802.11p standard based V2V (Vehicle to Vehicle) communication.     

难熔金属与n-GaAs的欧姆接触特性

用磁控溅射系统和快速合金化法制备了Mo/W/Ti/Au多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触,在溅射金属层之前分别用HCl溶液和(NH4)2S溶液对n-GaAs材料的表面进行处理．用传输线法对比接触电阻进行了测试,并利用俄歇电子能谱（AES）、X射线衍射图谱（XRD）对接触的微观结构进行了分析．结果表明,用(NH4)2S溶液对n-GaAs材料表面进行处理后,比接触电阻最小;在700℃快速合金化后获得最低的比接触电阻,约为4.5×10－6Ω·cm2．这是由于(NH4)2S溶液钝化处理后降低了GaAs的表面态密度,消除了费米能级钉扎效应,从而改善了难熔金属与GaAs的接触特性．     

M/M/C/m/m排队系统模型的飞机战伤抢修研究

抢修力量配置是飞机战伤抢修复杂系统的核心因素.损伤飞机在抢修系统中的停留时间是进行抢修力量配置的关键指标.首先用排队论的观点,从飞机战伤抢修系统的特性出发,结合对系统榆入过程的分析,得出抢修力量预测模型即M/M/C/m/m排队模型.然后通过对该排队系统状态转移方程求解,计算出损伤飞机在系统停留时间.最后通过实例分析,得出对战伤抢修力量配置的方法.     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 0℃时接触电阻几乎不受温度的影响     

Transient analysis of the MMPP/G/1/K queue

In this paper the transient behaviour of a finite-buffer queue fed by the Markov-modulated Poisson process is studied. The results include formulas for the transforms of transient queue size distribution, transient full buffer probability and transient delay (workload). Computational issues are discussed and numerical samples presented.This material is based upon work supported by the Polish Ministry of Scientific Research and Information Technology under Grant No. 3 T11C 014 26.     

Microstructural analysis of a Au/Pt/Pd/Zn ohmic contact to an AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor

Gold-based ohmic contacts, incorporating Pt, Pd, and Zn layers, to AIGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) have been characterized using transmission electron microscopy (TEM). The metallization was deposited onto a 30 nm graded emitter layer of n-type Al_xGa_1−xAs, which was on a 30 nm emitter layer of n-type Al_0.3Ga_0.7As, with the aim of contacting the underlying 80 nm thick graded base layer of p-type Al_xGa_1−xAs. Metal layers were deposited sequentially using electron beam evaporation and the resultant metallizations were annealed at temperatures ranging from 250-500°C for up to several minutes. A minimum contact resistance of ≈8.5 × 10⁻⁷ Ω-cm² was achieved, which corresponded to the decomposition of ternary phases at the metallization/semiconductor interface, to binary phases, i.e., PdGa and PtAs₂. Long term stability tests were done on the optimum contacts. Anneals at 270°C for up to four weeks in duration produced virtually no change in microstructure, with the exception of some outward diffusion of Ga and As.     

433/868/915MHz FSK/ASK/OOK无线收发器RF2945

RF2945是RFMicroDevices公司生产的一种单片射频收发芯片,利用该芯片可在433/868/915MHzISM频段进行FSK/ASK/OOK调制和解调。由于RF2945射频收发芯片内含射频发射、射频接收、PLL合成和FSK调制/解调等电路,因而可用于接收和发送数字信号。文中介绍了RF2945的结构原理和主要特性 ,同时给出了RF2945收发器的典型应用电路和使用注意事项     

Au/Ge/Pd ohmic contacts to n-GaAs with the Mo/Ti diffusion barrier

The influences of the As-outdiffusion and Au-indiffusion on the performances of the Au/Ge/Pd/n-GaAs ohmic metallization systems are clarified by investigating three different types of barrier metal structures Au/Ge/Pd/GaAs, Au/Ti/Ge/Pd/ GaAs, and Au/Mo/Ti/Ge/Pd/GaAs. The results indicate that As-outdiffusion leads to higher specific contact resistivity, whereas Au-indiffusion contributes to the turnaround of the contact resistivity at even higher annealing temperature. For Au/Mo/Ti/Ge/Pd/n-GaAs samples, they exhibit the smoothest surface and the lowest specific contact resistivity with the widest available annealing temperature range. Moreover, Auger electron spectroscopy depth profiles show that the existing Ti oxide for the Mo/Ti bilayer can very effectively retard Au-indiffusion, reflecting the onset of the turnaround point at much higher annealing temperature.