共查询到19条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
介绍了用计算机分段插值法模拟黑体腔温度度布的数学基础,利用此方法计算,模拟了两种黑体腔的温场分布,比较温度插值模拟值和用热电偶在该点的测量值表明,在黑体有效辐射面以内,模拟值和实测值之差在允许的测温误差范围之内。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
在航空、航天发动机、核工业和爆炸试验测试中,有许多研究对象需要测量的是高压、高冲击条件下的瞬态(<1ms)高温(2000℃~3000℃),其工作特点是温度高,变化快,且常为不可重复性过程,而且伴随着很强的电磁干扰,测量条件非常恶劣,技术难度很高。由于蓝宝石(A12O3)单晶物理化学性能稳定,机械强度好、硬度高、绝缘、耐腐蚀、折射率大,在0.3~4.0μm波段范围内透光性很好,拉伸强度2200MPa,熔点高达2045℃。为了解决传统测温方法的不足,本文采用了蓝宝石单晶光纤黑体腔温度传感器来采集前端温度,与FPGA精确控制下的低功耗、微体积的测试电路一起灌封在高强度耐高温壳体当中,它们所组成的存储测试系统成功地解决了恶劣环境下瞬态高温测试存在的大量问题。 相似文献
9.
10.
11.
12.
黑体空腔的有效光谱发射率高精度评价是制约辐 射测温及光学辐射测量标准性能提升的瓶颈。本文 基于热腔反射法,建立了一种高精度测量黑体空腔有效光谱发射率的实验系统。通过比较测 量标准样品和 黑体空腔对双温光阑的光谱辐射亮度的反射,高精度获取黑体空腔的反射率,进而基于Kirc hhoff定律获 得发射率。利用该系统对于温度范围在30 ℃~80 ℃之间空腔的法向有效发射率开展了实验研究,结果表明 空腔法向发射率优于0.999,测量结果的统计 标准偏差优于0.016%。实验结果与Monte Carlo模拟结果的一致性优 于0.04%,验证了测量系统的可靠性。 相似文献
13.
Nong Li Dongwei Jiang Guowei Wang Weiqiang Chen Wenguang Zhou Junkai Jiang Faran Chang Hongyue Hao Donghai Wu Yingqiang Xu Guiying Shen Hui Xie Jingming Liu Youwen Zhao Fenghua Wang Zhichuan Niu 《半导体学报》2023,(10):55-61
For the measurement of responsivity of an infrared photodetector, the most-used radiation source is a blackbody. In such a measurement system, distance between the blackbody, the photodetector and the aperture diameter are two parameters that contribute most measurement errors. In this work, we describe the configuration of our responsivity measurement system in great detail and present a method to calibrate the distance and aperture diameter. The core of this calibration method is to transfer d... 相似文献
14.
使用铜圆柱圆锥形黑体辐射源空腔 ,F500型高精 密温度测温仪和TRTⅡ辐射温度计,搭建冰点槽黑体辐射源及性能测试系统,完成冰点黑体 辐射源空腔温度 的均匀性和稳定性实验。实验验证了冰点条件下黑体辐射源空腔用于红外辐射温度计校准, 利用冰点开展 量值传递的可行性。实验测得冰点槽黑体辐射源空腔温场环境稳定性在0.001min, 均匀性不超过 0.001℃,黑体辐射源空腔腔底稳定性为0.03min,均匀性优于0.024℃,验证了 在给定的气压条件下, 可利用基于冰点作为冰点槽黑体辐射源固定点,其性能良好,可用于红外辐射温度计在冰点 的稳定性测试和校准。 相似文献
15.
首先讨论了半导体激光器外腔结构参量对激光连续可调范围影响的理论计算方法,给出了Littrow结构外腔半导体激光器调谐范围的计算结果。然后介绍了半导体激光器外腔结构参量的具体设计,利用该设计得到了出射激光线宽小于1 MHz、连续可调谐范围可达3 GHz的780 nm波段外腔半导体激光器。接着讨论了利用腔外饱和吸收谱的三次谐波稳频方法对半导体激光器进行稳频,优化激光频率短期稳定度的方法。最后根据该优化方法设计出稳频系统对半导体激光器进行稳频,得到了稳定度达到10-12量级的半导体激光输出。 相似文献
16.
Salomonsson F. Asplund C. Sundgren P. Plaine G. Mogg S. Hammar M. 《Electronics letters》2001,37(15):957-958
The growth and characterisation of high performance InGaAs/GaAs quantum-well vertical cavity lasers with an emission wavelength of 1215 nm is reported. Continuous wave operation is demonstrated up to 105°C with a threshold current below 1 mA for T<80°C. For a 2.5 μm device the room temperature threshold current, output power and slope efficiency is 0.6 mA, 0.6 mW and 0.2 W/A, respectively 相似文献
17.
The design of an efficient microwave plasma source is described. This source consists of a quartz tube surrounded by a cylindrical variable-length cavity which is connected to a 2.450-GHz power microwave source. The circuit performance of the plasma-cavity system is qualitatively explained and the lossy plasma-cavity eigenfrequencies are computed as functions of plasma density, effective collision frequency, and cavity length. Experiments demonstrate that a variable high-density plasma with densities in excess of 1000 critical densities can be sustained. Furthermore, by adjusting cavity length and coupling, microwave plasmas can be sustained in flowing and nonflowing argon gaseous environments from pressures of several microns to over one atmosphere. 相似文献
18.
H. Wada D.I. Babic D.L. Crawford T.E. Reynolds J.J. Dudley J.E. Bowers E.L. Hu J.L. Merz B.I. Miller U. Koren M.G. Young 《Photonics Technology Letters, IEEE》1991,3(11):977-979
Room-temperature pulsed operation of InGaAsP (1.3 mu m)/InP vertical cavity surface emitting lasers has been achieved with threshold current as low as 50 mA using a constricted-mesa structure with dielectric mirrors. Above-room-temperature operation has also been realized with a maximum operation temperature of 66 degrees C. Pulsed and continuous-wave threshold currents at 77 K are 1.5 and 3.9 mA, respectively.<> 相似文献
19.
在TFT-LCD行业,PECVD设备主要用于Array TFT基板工艺中的气相沉积;产生的非金属膜层,为金属电路提供保护、开关作用;在PECVD工艺制程中,腔体设计复杂,反应条件苛刻,产生的制程物会造成产品不良,故需要定期进行PM(pre maintenance预防性维护)。本文以PECVD PM作业为背景,针对设备PM耗时长的问题,制定了改善方法,并着重介绍了腔体检漏工具的设计过程。设计制作了一台国产化检漏工具,成功运用于量产。通过测试,检漏工具3min内达到10mT(1mT=0.133Pa),漏率为0.45mT/min,基本符合设备Spec.(标准)要求。 相似文献