Na2O的含量对MoSi2/Oxide系发热元件材料力学性能的影响

对比了脱Na处理工艺前后Na2O含量变化对MoSi2/Oxide系发热元件材料力学性能的影响。研究结果表明，虽然Na2O含量的高低对发热体材料常温力学性能影响不大，但是对发热元件材料高温力学性能有重要影响。主要表现在：经1573K热处理100h后脱Na材料仍拥有很高的强度和韦伯分布；而且经过真空脱Na后材料的高温蠕变特性也有了明显改善，在1243和1303K的条件下脱Na材料的蠕变速率分别是未脱Na材料的2／5和1／3以下，另外，Na2O含量对材料延性脆性转变温度（BDTT）也有重要影响，脱Na材料的BDTT较未脱Na材料升高约100K。     

Na2O的含量对MoSi2/Oxide系发热元件材料力学性能的影响

对比了脱Na处理工艺前后Na₂O含量变化对MoSi₂/Oxide系发热元件材料力学性能的影响.研究结果表明,虽然Na₂O含量的高低对发热体材料常温力学性能影响不大,但是对发热元件材料高温力学性能有重要影响.主要表现在:经1573K热处理100h后脱Na材料仍拥有很高的强度和韦伯分布;而且经过真空脱Na后材料的高温蠕变特性也有了明显改善,在1243和1303K的条件下脱Na材料的蠕变速率分别是未脱Na材料的2/5和1/3以下.另外,Na₂O含量对材料延性脆性转变温度(BDTT)也有重要影响,脱Na材料的BDTT较未脱Na材料升高约100K.     

SiCp/MoSi2原位反应高温热压复合工艺的研究

运用乙醇湿法混合和氩气保护原位反应高温热压方法制备了不同配比的SiCp/MoSi2复合材料,研究了原位生成的SiC颗粒对MoSi2基体材料显微结构和室温力学性能的影响.结果表明:原位反应高温热压制备SiCp/MoSi2的工艺是可行的,反应生成的适量SiC颗粒细化了基体晶粒,改善了其力学性能;与该工艺下制备的纯MoSi2相比,含40vol%SiCp的SiCp/MoSi2复合材料室温抗弯强度提高了260%,含50vol%SiCp的SiCp/MoSi2复合材料室温断裂韧性提高了50%;该种工艺的强化机制为细晶强化和弥散强化,韧化机制为细晶韧化.     

MOSi2材料摩擦磨损特性的研究与发展

金属间化合物二硅化钼（MoSi2）兼具金属和陶瓷材料的双重特性，成为开发和研究的重点。从耐磨性角度出发，重点评述了MoSi2基复合材料以及MoSi2增强陶瓷材料的摩擦磨损特性的研究现状，并展望了MoSi2材料仍为耐磨材料的前景。     

原位反应热压烧结SiC/MoSi_2复合材料的力学性能研究

采用原位反应热压烧结工艺成功制备了不同SiC体积分数的SjC/MoSi2复合材料,研究了SiC/MoSi2复合材料的室温抗弯强度、断裂韧性随SiC体积分数变化的规律,分析了SiC/MoSi2复合材料的强韧化机理.结果表明,SiC的加入显著提高了MoSi2基复合材料的室温力学性能,SiC/MoSi2复合材料的抗弯强度和断裂韧性均优于纯MoSi2,并且随着SiC体积分数的增加而增大;SiC/MoSi2复合材料的强化机制主要是弥散强化和细晶强化,韧化机制主要是微裂纹增韧.     

SiCp-WSi2/MoSi2复合材料的室温力学性能

为了提高MoSi2的室温断裂韧性,将Si、Mo、W和C四种粉末混合后通过"原位反应热压"一次热压工艺制备了两种不同体积配比的SiCp-WSi2/MoSi2复合材料试样,测定了复合材料试样和纯MoSi2试样的室温.断裂韧性(KIC)与显微硬度(HV);采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法研究了该工艺下试样的结构、组织以及断口形貌与断裂韧性问的相互关系.结果表明,SiC的复合化和W元素的合金化能使SiCp-WSi2/MoSi2复合材料晶粒细化,硬度、室温断裂韧性比纯MoSi2明显提高,断裂韧性最高值达5.88 MPa·m1/2.并对复合材料的硬化、韧化机理分别进行了分析.     

MoSi_2发热元件的制备及其研究进展

比较了MoSi_2发热元件的热弯成形和挤压成形工艺方法,指出热弯成形更易获得大型尺寸和复杂形状发热元件,研究了MoSi_2发热元件的技术进展及其工业应用.研究表明,改进MoSi_2粉体的制备工艺、MoSi_2发热元件的成形工艺和冷热端的扩散接合工艺是MoSi_2发热元件改性的技术关键.提出了其未来研究发展的方向.     

反应形成MoSi2/Al2O3陶瓷复合材料的微观结构

以MoO3、Al和Si为原料,通过控制工艺,用反应烧结法制备MoSi2／Al2O3陶瓷复合材料。通过对M0O3 Al Si在Ar气氛中反应的差热曲线分析来确定烧结MoSi2／Al2O3陶瓷复合材料的热处理工艺。分析了生成的MoSi2／Al2O3陶瓷复合材料的X射线图谱、扫描电镜图和能谱分析图,以确定其微观结构。     

SiC/MoSi_2复合材料1300℃氧化行为研究

采用扫描电镜和X射线衍射研究了不同SiC体积分数(30%～50%)的SiC/MoSi2复合材料的高温(1300℃)氧化性能,建立了SiC/MoSi2复合材料的高温氧化动力学模型,对SiC/MoSi2复合材料的高温氧化行为进行了动力学分析,研究了其高温氧化机理。结果表明,SiC/MoSi2复合材料在高温时具有优异的抗氧化性能,SiC/MoSi2复合材料的高温抗氧化能力好于纯MoSi2的;复合材料的高温抗氧化性随SiC体积分数的增加而降低。     

MoSi2基复合材料的制备技术

本文总结了采用粉末冶金、机械合金化、等离子体溅射、注射成型、固态置换反应、原住反应弥散相粒子生成技术等方法制备MoSi2基复合材料工艺的主要特点及原理，并对MoSi2基复合材料的研究进行了展望。     

Na_2SO_4·10H_2O/EG复合相变材料的制备与性能分析

以十水硫酸钠为相变材料,采用真空吸附法制备十水合硫酸钠/膨胀石墨复合相变储能材料(Na_2SO_4·10H_2O/EG),对其融化-凝固、相分离、过冷、潜热等热物性进行测试分析。结果表明:在Na_2SO_4·10H_2O中添加2%(质量分数,下同)硼砂和8%EG后,可得到理想的Na_2SO_4·10H_2O/EG固-固复合相变材料。此时,Na_2SO_4·10H_2O相分离得到消除,过冷度由13.6℃降低到0.6℃以下,相变潜热和体储能密度分别为225.77kJ·kg~(-1)和218.09MJ·m~(-3)。此外,导热率也得到提高,相比于只添加成核剂硼砂的Na_2SO_4·10H_2O PCM,储热时间缩短52.6%,放热时间缩短55.1%,经过500次急剧升温-降温循环后也未出现性能衰减,储/放热性能较好。     

SiC颗粒强韧化MoSi2复合材料

通过湿法混料和热压烧结工艺成功地制备了20vo1%SiC_P/MoSi₂复合材料,并测定了其显微组织和力学性能。结果表明:SiC_P/MoSi₂复合材料主要由MoSi₂和SiC颗粒组成,还有少量的Mo₅Si₃,致密度为92.3% 。与MoSi₂相比,其室温抗弯强度提高了30.6%,断裂韧性提高了53%,1200℃的抗压强度提高了44%,1400℃的抗压强度提高了53%;其硬度、弹性模量等性能有较大提高。在Al₂O₃和SiC对磨盘上表现出极其优异的耐磨性能。SiC颗粒对MoSi₂的室温增韧、高温增强效果显著。     

保护气氛下反应烧结MoSi_2/Al_2O_3复合陶瓷

以金属Mo粉、Si粉和Al粉为原料,采用反应烧结法制备MoSi_2/Al_2O_3陶瓷复合材料,有效增强其室温韧性和强度,并揭示其电阻率随烧结温度变化规律。利用XRD和SEM分析不同温度烧结后MoSi_2/Al_2O_3复合材料试样的物相组成和微观结构;研究不同烧结温度下试样的力学和电学性能。结果表明:在氩气保护气氛下1 200℃时,MoSi_2/Al_2O_3陶瓷复合材料的各项性能较好,其显气孔率为20.7%,体积密度为4.8g/cm~3,断裂韧性值为9.72MPa·m1/2,电阻率为6.0×10~(-2)Ω·cm。所制备的MoSi_2/Al_2O_3陶瓷复合材料物相结构主要由Al_2O_3包覆MoSi_2形成的连续包覆相组成,组织结构均匀。烧结温度为1 200℃时,MoSi2导电相由弥散分布变成相互连接的网络状分布,且Al_2O_3包覆MoSi_2导电相的包覆层变薄,包裹的MoSi_2颗粒之间易于突破包覆相而互相连通,有助于降低电阻率。     

金属间化合物MoSi2及其复合材料的研究和应用

金属间化合物MoSi2具有熔点高、断裂强度对温度不敏感、导电导热性能好、抗氧化等一系列的优良性质，因此作为电热元件和高温结构材料，在航空航天等高技术领域得到了广泛的应用。但是，其低温断裂韧性和高温强度较低，一般可采用不连续的颗粒、连续的晶须或纤维，也可采用固溶体合金化或第二相复合技术来提高其低温断裂韧性和高温强度。MoSi2及其复合材料因其优异性能，也可用来制备层状复合材料和梯度功能材料，还可用来制备各种耐高温保护涂层。     

MoSi2发热元件的微观结构对使用性能的影响

通过对ＭｏＳｉ２发热元件的微观结构分析，探影响使用性能的微观因素。研究发现ＭｏＳｉ２结晶相细小，尤以Ａｌ、Ｓｉ等为主的氧化物组成的玻璃相细等、分布均匀，孔洞少是提高使用性能的必要条件。     

等离子喷涂MoSi2/Al2O3涂层材料的力学与介电性能

以MoSi2为吸收剂,纳米Al2O3粉为基体,采用大气等离子喷涂法制备出MoSi2/Al2O3复合涂层。研究了MoSi2含量对复合涂层力学及介电性能的影响。结果表明,MoSi2颗粒均匀分布于Al2O3基体中;随MoSi2含量的增加,复合涂层的抗弯强度、断裂韧性及冲击强度逐渐增强;根据测定的复介电常数与频率的关系及计算出的介电损耗角正切可以看出,复合涂层的介电常数与MoSi2含量有关,MoSi2掺量越高,复合材料涂层的介电常数越小;随频率的逐渐增大,材料的复介电常数表现出减小的趋势,具有频散效应。     

Synthesis of Mo(Si,Al)2 alloy by reactive hot pressing at low temperatures for a short time

Mo(Si,Al)2 alloy was prepared by reactive hot pressing at low temperatures for a short time under 20MPa in a vacuum using MoSi2, Mo and Al as starting powders. At 1160 °C, 5 min of soaking time was enough to obtain a high density alloy. At 1060 °C, however, 10min was needed. The formation of Mo(Si,Al)2 was accompanied by the melting of aluminum and controlled by the dissolution of molybdenum into the aluminum melt. It was proposed that the oxygen present in MoSi2 raw powder would react with aluminum and form Al2O3 in an amorphous or poor crystallization state. The mechanical properties of the alloy were a little stronger than those of monolithic MoSi2 alloy. The formed Al2O3 particles acted as crack-pinning elements, but a large toughening effect could not be obtained by this crack-pinning because of the strong interface bonding and the similar thermal expansion coefficients of Mo(Si,Al)2 and Al2O3.     

模板法制备MoSi2/竹炭复合材料及吸波性能

以竹材炭化的多孔竹炭(BC)为模板,金属间化合物二硅化钼(MoSi_2)为吸收剂,采用包埋硅(Si)粉固相烧结工艺制备MoSi_2/BC多孔复合吸波材料。利用XRD、SEM和矢量网络分析仪对MoSi_2/BC复合材料的物相组成、显微结构、介电和吸波性能进行表征。结果表明:在氩气(Ar)保护气氛下,1450℃烧结制备的MoSi_2/BC复合材料主要含物相MoSi_2、SiC及无定型碳。BC基体孔隙内除分布有MoSi_2外,还布满排列无序、尺寸长短不一、相互交叉呈网状的碳化硅晶须(SiC_W),SiC_W的存在可有效提高复合材料电磁波吸收性能。在8.2～12.4GHz频率范围内,与环氧树脂混合后,复合材料反射率随MoSi_2/BC含量增加而逐渐减小。MoSi_2/BC含量为50%(质量分数)时,随试样厚度增加反射率降低,且最小反射率向高频方向移动;在11.87GHz处最低反射率为-13dB,反射损耗小于-10dB带宽约达1.0GHz,具有良好的吸波性能。