柠檬酸浓度对电沉积制备CuInSe2薄膜的影响

采用Mo/钠钙玻璃衬底作研究电极,饱和甘汞电极(SCE)作参比电极,铂网电极作辅助电极的三电极体系,利用电沉积技术在镀钼的钠钙玻璃衬底上制备CuInSe2薄膜,研究络合剂柠檬酸浓度对CuInSe2薄膜制备的影响.利用EDS、xRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行表征,结果表明:当柠檬酸的浓度为0.5mol/I时,可以制备致密性好、晶粒分布均匀、组分接近化学计量比的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜.     

电沉积制备CIS太阳能电池吸收层材料

在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In,再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)对制备的薄膜进行相组成、微观结构、表面形貌等分析,研究了制备工艺条件对薄膜性能的影响.结果表明:电沉积的In在低温热处理阶段与衬底Cu扩散形成Cu-In合金预制层,预制层在硒化阶段生成CuInSe2,合金中过量Cu生成CuSe表面层,未反应的In转变为Cu16In9,形成Cu衬底/Cu16In9/ CuInse2/CuSe结构.     

两步法电化学制备CuInSe2太阳能电池吸收层材料

采用先沉积In2Se3薄膜,再沉积CuInSe2的两步法电化学制备薄膜太阳能电池CuInSe2吸收层材料.通过XRD、SEM、EDX等分析手段检测了材料形貌、结构以及组分等,结果表明薄膜组分比为CuIn1.7Se2.2,其中In和Se的含量相对化学计量比有所增加.循环伏安法研究表明CuInSe的沉积属于诱导共沉积范畴.     

导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征

研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为，讨论了一些工艺因素对在导电玻片上电沉积Cu2O薄膜的影响，并对所制备的Cu2O薄膜分别用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征．得到的较佳工艺条件为：电势-0．22～-0．45V(vs SCE)，温度为60℃，pH值为5．5～6．0，(CH3COO)2Cu浓度为0．015—0．04mol／L．表征结果发现，随池温的升高，晶粒尺寸从0.2μm增加到0．4μm，60。C沉积的Cu2O薄膜开始具有(111)面择优取向，Cu2O膜纯度高，薄膜表面呈网络多孔结构     

超声电沉积铜叠层膜

采用超声电沉积法制备了一种纯铜薄膜,用扫描电镜,X射线衍射分析其显微组织和耐腐蚀性能,发现此种铜叠层膜每层厚度约为0.3μm,微观结构极为致密。本文通过普通电沉积法、一般超声电沉积铜薄膜和超声电沉积叠层膜的对比分析发现此种叠层膜的防腐蚀性能大大优于上述两种方法制得的薄膜。文末对此种超声电沉积法铜叠层膜在表面工程上的应用进行展望。     

低In电解液电沉积制备CuInSe2吸收层

通过线性电位扫描分析了低In电解液中的阴极电化学反应,结果表明柠檬酸钠可以降低Cu2+的活性,而H2SeO3的加入可导致阴极上Se元素与Cu+和In3+发生复杂的协同反应.低In电解液中恒电位沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,分段电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于CuInSe2(CIS)化学计量比.薄膜在N2气氛上退火处理,得到了黄铜矿结构CIS薄膜,禁带宽度为1.06eV.     

电沉积金属多层膜的研究现状

叙述了金属多层膜的发展历史及研究现状、性能及应用、制备方法及特点,并分析了影响多层膜性能和组分的电沉积工艺参数,主要有:阴极电流密度、电解液组分、搅拌速度、电解液的pH值、温度、脉冲参数等.介绍了常用的多层膜表征方法,指出了多层膜存在的主要问题及发展前景.     

不锈钢表面电沉积耐腐蚀膜层的研究进展

不锈钢因其优异的耐蚀性、导电导热性和机械加工性能而广泛应用于众多领域.为避免不锈钢在使用过程中的腐蚀破坏,在基体表面制备耐腐蚀膜层是主要的防护措施.首先结合近年来不锈钢表面电沉积法制备耐腐蚀膜层的研究现状,对不锈钢表面单层耐腐蚀膜、多层耐腐蚀膜及含掺杂物改性复合膜3种膜层的研究进展进行了概述;在此基础上,从膜层对基体的...     

分段恒电位电化学沉积法制备CuInSe2吸收层

采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSe2 (CIS)薄膜.通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应,并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜.结果表明,恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大,增加溶液中铟离子的浓度,可以提高铟在镀层的含量,使薄膜更接近CIS化学计量比.而采用分段恒电位法沉积薄膜,可以抑制铜硒化合物的生长,使薄膜更接近于CIS化学计量比.     

电沉积CdTe半导体薄膜中Cd和Te含量的极谱分析

用极谱法分析电沉积 CdTe 半导体薄膜中 Cd 和 Te 的含量随电沉积电位、沉积温度和热处理温度的变化,获得 Cd 和 Te 原子数之比几乎为1∶1的 CdTe 薄膜。热处理能改变 CdTe 薄膜的导电类型。     

在单分子膜上电沉积金属银膜

以在气／液界面和气／固界面上形成的硬脂酸单分子膜为基底电沉积金属银薄膜，改变电沉积条件。得到了具有不同微观结构，光亮，细致的纳米金属银薄膜，当底相硝酸银溶液的PH值低于7时，在气／液界面没有银膜形成，只在银丝的尖端生成成棕黑色的粉末；提高镀液的PH值有利于银的沉积，且硬脂酸分子排列得越紧密，成膜越好，随着槽电压的升高，银膜的沉积速度渐增大，其微观结构从树叶状逐渐向鹿角状变化。根据电沉积银薄膜的规律，分析了在单分子膜上电沉积银的生长机制，认为单分子膜及其界面的双电层结构是沉积银膜的必要条件。     

阴离子膜不锈钢阳极锌锰合金电沉积的研究

研究了锌锰合金电沉积的工艺条件,镀液稳定性,镀层中锰含量和阴极电流效率的规律。采用阴离子膜作阳极隔膜,不锈钢作阳极,紫铜板为阴极,研究了硫酸盐－柠檬酸体系锌锰合金电沉积的工艺条件,讨论了阴极电流密度,镀液中锰离子的浓度,镀液中锌,锰离子的摩尔比,增效剂、电沉积温度等因素对镀层中锰含量和阴极电流效率的影响规律,探索了提高阴极电流效率的途径,改善了镀液的稳定性。本文所选工艺条件为：MnSO4.H2O 30-50g/L,ZrSO4.7H2O:5-10g/L,柠檬酸钠（二水）100－150g/L,增效剂0．083g/L,表面活性剂适量,ic 1.5-3.0A/dm^2,pH值5．6,t25-30℃。该工艺可得含锰量为50％左右的锌锰合金镀层,阴极电流效率约60％。镀液在该工艺条件下连续施镀90min镀层组成稳定。     

Cu2O半导体薄膜在酸性条件下的电化学沉积

在酸性溶液中在透明导电玻璃(ITO)基体上电化学沉积Cu2O薄膜.通过实验研究了电沉积工艺条件对电沉积Cu2O薄膜的影响.X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对薄膜的微观结构和表面形貌进行了分析.结果表明,水浴温度较高时,酸性镀液中Ac-HAc共轭缓冲体系的反应速率提高,可以有效抑制铜单质的生长;镀液中铜离子的浓度...     

汽相沉积薄膜结构均匀性的理论分析

正切规则已经给出了蒸发角和蒸镀膜的微柱体结构的生长方向的关系。根据正切规 则和蒸发源与基片的相对几何三角关系，本文针对四种通用类型的夹具，给出了薄膜微 柱体结构均匀性的理论分布公式，计算了不同情况下结构均匀性的理论分布曲线。同 时，分析和讨论了薄膜的结构模型，并且得到并证实了在旋转球面夹具下获得的薄膜的 结构是最佳的结论。     

DMSO中脉冲电沉积Y-Ni合金膜

采用脉冲电沉积技术,在室温下的含YCl3和NiCl2的二甲基亚砜（DMSO）溶液中,沉积出含稀土元素Y的Y－Ni合金薄膜。研究了影响镀层性能的工艺参数,包括脉冲频率、占空比、电流效率及Y在镀层中的含量与电流密度的关系,用X射线分析仪确定镀层的物相组成,用扫描电镜及能谱仪分析了合金镀层的组成及形态。发现,随着电流密度增大,合金镀层中的稀土Y含量增高。Y-Ni合金薄膜具有非晶态结构,具有良好的耐蚀性和一定的抗氧化性。     

电沉积Zn-Ni合金纳米多层膜的耐蚀性能

为了研究Zn-Ni合金纳米多层膜的耐蚀性能,制备了纯锌、锌镍合金及镍含量不同的锌镍合金纳米多层膜3种镀层.采用中性盐雾试验、浸泡试验和电化学试验法对锌镍合金多层膜的耐蚀性进行了研究.采用EDAX、锌镍合金相图、扫描电镜,对多层膜的成分、相结构和镀层的表面形貌进行了研究.结果表明:合金多层膜是由含镍量为14%左右的低镍层和含镍量为77%左右的高镍层叠加而成,其低镍层的相结构主要为γ相,高镍层的相结构为γ+α2种相组织的混合相;多层膜表面较为致密,无明显的缺陷组织,其调制波长为366 nm左右,其耐蚀性能优于纯锌镀层和锌镍合金镀层.     

沉积ZnO膜的MOCVD装置的研制

一种新型的MOCVD（Mettalic Organism CVD)装置,既金属有机化合物CVD沉积装置。该装置具有结构简单,在低温、低压条件下能够实现化学气相沉积反应。气路系统全部采用进口零部件,保证反应气体的纯度。等离子体在反应过程中起到辅助和掺杂的作用。经实验表明该装置能够较好地完成氧化锌薄膜的研究工作,也可为进一步的研究提供必要的条件。