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为深入地研究小容量(≤30 MW)的发电机组出口是否也应装设GCB,利用电磁暂态仿真软件PSCAD/EMTDC计算分析了系统中发生失步故障及三相短路故障情况下,12~30 MW小容量发电机出口断路器的瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV),并研究了降低TRV上升率的措施,从TRV上升率的角度出发确定在何种条件下普通配电型断路器可以替代GCB安装在发电机出口处。计算结果表明:在12、15、18、20、22、30 MW的小容量发电机回路中,分别在发电机出口断路器靠近变压器的一端加装电容量为0.2μF、0.3μF、0.4μF、0.5μF、0.6μF、0.8μF的电容器时,可有效地将TRV上升率降低至0.34 k V/μs以下,此时普通配电型断路器可以替代GCB安装在12~30 MW的发电机出口处。 相似文献
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针对真空断路器用于发电机出口开关应注意的两个问题进行了讨论,提出了发电机真空断路器参数计算和选择的方法。 相似文献
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利用PSCAD/EMTDC软件计算分析了在开断条件最恶劣的故障情况下,12~30 MW小容量发电机出口断路器的瞬态恢复电压(TRV),并利用TRV上升率确定普通配电型断路器可以替代发电机断路器(GCB)安装在发电机出口处的条件。计算结果表明:当发电机出线端发生三相短路故障时,普通配电型断路器可以替代GCB安装在12~24 MW的发电机出口处,而24~30 MW的发电机出口处必须安装GCB;当变压器低压侧出线端发生三相短路故障时,普通配电型断路器可以替代GCB安装在12~30 MW的发电机出口处。给出了TRV的手算公式。 相似文献
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国内外学者论证了大容量发电机出口装设发电机断路器(generator circuit breaker,GCB)的必要性,而对小容量(≤30 MW)发电机出口及发电厂内馈线是否也应装设GCB并没有进行深入研究。利用电磁暂态仿真软件PSCAD/EMTDC计算分析了在开断条件最恶劣的三相短路故障情况下,12~30 MW小容量发电机出口断路器及馈线断路器的瞬态恢复电压(transient recovery voltage,TRV),并从TRV上升率的角度出发,确定普通配电型断路器是否可以替代GCB安装在发电机出口及厂用电馈线处。计算结果表明,当发电机出线端及厂用电馈线中分别发生三相短路故障时,断路器TRV上升率均未超过0.34 kV/μs,普通配电型断路器可以替代GCB安装在小容量发电机出口及厂用电馈线处。 相似文献
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发电机保护用真空断路器 总被引:2,自引:1,他引:2
通过讨论发电机保护用断路器(GCB)的运行条件,根据其工作特点分析了真空断路器用于发电机保护的可行性,为真空断路器的大容量化提供借鉴。 相似文献
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针对大容量发电机出口断路器的选择问题,依据GB/T 14824-2008、IEEE Std C37.013-1997和IEC 60909-0-2001中的计算方法,并结合发电机出口断路器型式试验报告的有关数据,以某百万千瓦级发电机组为例进行了比较计算,分析计算结果,提出了对发电机出口短路器短路电流开断能力不能采用百分比... 相似文献
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大容量发电机出口保护用真空断路器的开发 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了对zN口-12/T6300-80型大容量发电机出口保护用真空断路器的开发研制情况、结构特点及主要技术参数。该产品顺利通过了全部型式试验,其技术水平达到国际先进水平,并填补了国内空白。 相似文献
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北开电气股份公司开发研制的12kV/6300A/80kA发电机出口保护用真空断路器。该产品的技术水平达到国际先进水平,并顺利通过型式试验,将产生巨大经济效益。 相似文献
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本文介绍了我国自行设计和开发的保护大型发电机组用真空断路器,并具体提出和分析了真空断路器的结构以及在一旦发生短路和失零情况下的解决办法,最后还说明采用真空断路器的优越性和必要性. 相似文献
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真空灭弧室主屏蔽罩电位静态测量分析 总被引:3,自引:0,他引:3
对中间封装式和瓷柱支撑式两种主屏蔽罩安装方式的真空灭弧室中主屏蔽罩电位进行了静态工频测试,找出了为什么中封式真空灭弧室装入整机后并不比瓷柱式真空灭弧室耐压特性优越的原因,指出在真空断路器设计中,尤其在高电压等级下,真空灭弧室的均压问题应与整机总体设计同时考虑。 相似文献
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通过对真空灭弧室在电压老炼前后,发射电流的测量结果,在试验基础上,提出把测量发射电流、计算场增强系数作为评价老炼效果的重要参数. 相似文献
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真空灭弧室触头温度是影响其开断能力的重要因素之一,非接触式温度测量手段以其反应时间快,测量范围宽,测量精度高,不干扰等离子体分布等优点被应用于真空灭弧室触头温度测量中。触头材料发射率是材料本身的物性参数之一,也是非接触式温度测量中推算温度所需的基本参数之一,只有在测得材料发射率的情况下才能根据光谱强度推算出材料表面温度。本研究的目标是测量得到真空灭弧室6种常用触头材料Cu、CuCr(25)、CuCr(30)、CuCr(40)、CuCr(45)、CuCr(50)的发射率。利用黑体辐射参考源在中温黑体炉中进行光谱测量,检测波长范围从5~20μm,加热温度为400~800℃。得到测量波长在5~7μm范围内为发射率测量值最稳定,适合用于触头温度非接触式测量。测得5~7μm波长范围内上述6种触头材料在800℃时的发射率值分别为0.50、0.58、0.56、0.52,0.48和0.41。触头材料发射率随着材料表面粗糙程度的增加而增加;随着温度的上升触头材料发射率随之增加;铜铬合金触头的发射率会随着铬组分比例增加而下降。 相似文献
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真空灭弧室弧后介质强度恢复的不稳定性 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过测量真空灭弧室弧后恢复电压和屏蔽罩电位的波形,发现在弧后介质强度恢复过程中,屏蔽罩 电位波形在接近真空灭弧室极限开断电流时,会产生严重的无规律畸变,并伴随有弧后残余粒子消散时间的延长。从而证实真空灭弧室的弧后介质强度的恢复过程不仅存在着速度的快慢,而且存在着不稳定性,这种不稳定程序随极限开断电流的临近而加剧。它与真空灭弧室 的弧后击穿和开断失败有着密切的联系。 相似文献
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纵向磁埸真空灭弧室在结构上具有很多优点,目前世界各国都已得到广泛的应用。本文通过下列六个方面进行了分析。 (1) 纵向磁埸强度大小与电弧电压的关系。以及对分断能力、触头开距、触头直径影响的分析; (2) 涡流纵向磁埸大小和时间滞后关系的实测,减小触头表面涡流的几种措施及其效果; (3) 平面整体对接触头和镶嵌对接触头结构的分析及其发展趋势; (4) 双边线圈,单边线圈和屏蔽罩线圈三种不同结构纵向磁场分布的分析和应用范围; (5) 加强触头部分机械强度引起纵向磁场线圈电流分流的分析及计算和实测; (6) 纵向磁场触头材料的选择。 最后总结了上述的分析,并提出纵向真空灭弧室结构的合理设计的途径。 相似文献
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根据单积分法原理编制了一套三维磁场计算软件,对杯状纵磁、1/2匝线圈纵磁、四极纵磁三种结构的真空灭弧室自生纵向磁场进行了三维数值分析,给出磁场的总体分布以及几个主要参数对磁场分布的影响,并且对其中两种结构的磁场进行实际测量,验证了该软件计算的准确性. 相似文献
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基于统计学原理,借助于计算机辅助电场分析的手段,可以由少量的试验结果估计出大量真空灭弧室的静态击穿电压。 相似文献