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溶胶凝胶-碳热还原法制备Si_3N_4纳米粉末 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅溶胶为硅源,有机碳为碳源,有机氮和氮气为氮源,先采用溶胶-凝胶法制备前驱体,然后进行碳热还原制备Si3N4陶瓷纳米粉体.主要研究了硅碳比、反应温度、氮气流量、保温时间等工艺因素对氮化硅粉体生成的影响.碳热还原制备Si3N4纳米粉体的最佳工艺条件为:碳硅比(摩尔比)为3.5: 1,氮气流量为3L/min,煅烧温度为1 500℃,保温时间2h.在以上最佳工艺条件下,可制备出纯的Si3N4纳米粉体,其中α-氮化硅为90.8%,β-氮化硅为9.2%,平均粒径为43.82nm. 相似文献
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碳热还原氮化制备氮化硅粉体反应条件研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对二氧化硅碳热还原氮化合成氮化硅的反应体系进行了热力学和动力学分析,主要研究了反应温度和氮气流量对Si3N4、Si2N2O和SiC生成的影响。热力学研究表明,Si3N4的生成需要足够高的温度(高于1800K)和充足的氮气气氛;Si2N2O的生成条件是较低的温度(低于1700K)和不充足的氮气气氛;SiC的生成条件是更高的温度(高于2000K)和不充足的氮气气氛。试验研究验证了热力学的分析,并确定了碳热还原氮化合成氮化硅的主要工艺条件(氮气流量为3L/min、煅烧温度为1500℃)。在以上工艺条件下,可制备出纯的Si3N4粉体。 相似文献
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碳热还原/氮化合成氮化硅在Si O2∶C=1∶4.5(摩尔比)、1 425~1 475℃、氮气中添加10 vol%氢气气氛、气体流量1 L/min条件下进行。生成物各相通过XRD定性分析。实验结果及热力学分析表明二氧化硅-碳-氮气反应体系中,氮化硅和碳化硅在常用温度区间内的生成趋势差别小;碳化硅成核在较高温度趋势较强,但在整个温度区间与氮化硅成核趋势均较强且差别细微;氮化硅晶体生长反应为控制步骤。在碳热还原/氮化工艺中控制Si3N4和Si C生成的边界温度并不明显,碳化硅的生成不可避免。 相似文献
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自蔓燃高温合成(SHS)也称燃烧合成,最近几年在国内外都有迅速的发展。为了总结交流我国SHS研究和应用的成果,促进SHS的发展和国际交流,由武汉工业大学、北京科技大学、西北有色金属研究院、南京电光源材料研究所和中南工业大学等单位联合发起,于1994年4 相似文献
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日本住友电气工业公司开发了3点弯曲强度平均为1600MPa的高强度氮化硅(Si3N4)陶瓷。 相似文献
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本文介绍连铸中间包更换操作的主要工艺参数及其试验结果。试验结果表明:中间包快速更换技术,操作简单、技术经济效益好,是实现全连铸车间的必要措施。1概况连铸生产就要充分发挥连铸机"连"的优势,使其多炉连浇.70年代中期,国外已把发展多炉连浇技术作为提高钢水收得率及提高连铸机生产率和节约能源等的重要措施。 相似文献
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转炉静态控制是转炉计算机的基本控制方式,副枪动态控制是以静态控制为基础。转炉炼钢采用静态模型(终点控制模型、供氧模型、造渣模型、底吹模型)和动态模型(脱碳速度模型、钢水升温模型和冷却剂加入量模型)可减少炉口压力偏差,提高煤气回收量。 相似文献
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河台金矿云西矿床作为多源热液糜棱岩型金矿床, 在糜棱岩形成过程的中后期由韧性剪切变为张性剪切而产生的一系列控矿和容矿构造对矿体的形成有重要的作用。这些构造对矿体的产出空间、位置和产出形态起着控制作用, 研究其规律为今后探矿将具有指导意义。 相似文献
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介绍了测量系统和测量系统分析(MSA)的概念及意义,重点阐述了开展测量系统的重复性和再现性分析的步骤和方法,以钢中磷元素成分分析的测量系统的重复性和再现性分析为例,介绍了运用Minitab软件对钢中化学成分分析系统进行测量系统分析的新方法及应用。 相似文献
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