电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管

采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.     

新型三明治结构铝诱导非晶硅薄膜低温晶化增强

本文对比探索了新型Al/α -Si/Al三明治结构与传统的Al/α -Si双层结构对铝诱导非晶硅薄膜低温晶化结果的影响,结果表明在相同的制备及退火条件下,前者更利于形成高度晶化的多晶硅薄 .膜.本研究工作利用拉曼光谱、掠入射X射线衍射、光学显微镜、方块电阻等表征方法探讨了薄膜厚度比和退火温度对金属诱导非晶硅薄膜晶化的程度、晶体结构以及电学性能的影响,最终制备出了电阻率仅为2.5 Ω·cm的多晶硅薄膜.     

直接形成不连续铜膜的硅金属诱导晶化

为发展低成本的多晶硅薄膜太阳能电池,采用磁控溅射技术,通过选择不同极性的表面和改变衬底温度,在普通钠钙玻璃衬底上直接形成了不连续的金属铜薄膜。以该薄膜作为诱导金属,在高温真空条件下对磁控溅射的非晶硅薄膜实现了固相金属诱导晶化。根据X射线衍射仪和拉曼位移光谱仪的测试结果,诱导晶化产生硅薄膜的晶粒尺寸约56 nm,晶化率达到84%。     

铝诱导晶化法低温制备多晶硅薄膜

为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温（＜６００℃）制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点．本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺：金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法．在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火．利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Ａｌ诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明;在５６０℃退火６ｈ后;铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜．初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理．     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法 ,综述了制备金属 /非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果 ,着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性     

铝诱导非晶硅薄膜低温晶化及结构研究

介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺－金属诱导非晶硅薄膜低温晶化。在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温（＜600℃）晶化。利用X射线衍射、光学显微镜及透射电等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜。     

金属诱导晶化法制备多晶硅薄膜研究进展

本文介绍了金属诱导晶化非晶态硅制备多晶硅薄膜的新方法，综述了制备金属/非晶态硅复合薄膜的各种方法与晶化结果，着重介绍了金属低温诱导的机理及其在器件应用方面的可行性。     

电双稳薄膜阻抗转变机理研究

采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变     

铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅薄膜的影响

采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(～100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快。     

多晶硅薄膜的铝诱导晶化法制备及其晶粒的择优取向特性

采用铝诱导非晶硅薄膜晶化技术制备了多晶硅薄膜,并研究了多晶硅的成核和生长特性。非晶硅薄膜采用等离子体增强化学气相沉积法制备,其表面沉积铝薄膜后经不同温度的氮氛围退火处理。结果表明,退火后的硅薄膜层与铝层发生置换,所生长的多晶硅颗粒的平均尺寸约为150nm。X射线衍射分析结果揭示,薄膜的晶向显著依赖于退火温度,较低温度下,铝诱导晶化速率较慢,薄膜的优化晶向与非晶硅薄膜中团簇的初始原子排列趋势紧密相关。而较高温度下,铝诱导晶化促使多晶硅(111)择优成核及随后的固相生长。