La0.7Ca0.3MnO3薄膜的掠入射X射线衍射研究

利用90°离轴射频磁控溅射方法将Lao.7Ca0.3MnO3(LCMO)沉积于(001)取向的SrTiO3(STO)、MgO和α-Al2O3(ALO)单晶基片上,薄膜厚度均为500 A.通过掠入射X射线衍射技术测量了LCMO薄膜的横向晶格常数(即面内晶格常数),结合常规X射线衍射研究了LCMO薄膜的晶格应变及其弛豫情况.结果表明,LCMO薄膜在MgO和ALO基片上的应变弛豫临界厚度很小,这可能与薄膜-基片之间高的晶格失配率有关.LCMO薄膜的应变弛豫与四方畸变的弛豫可能具有不同的机制.利用掠入射X射线衍射对LCMO薄膜面内生长取向的研究给出了与利用电子显微技术研究相同的结果.     

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结构的微应变

用MOCVD方法在 (0 0 0 1)取向的蓝宝石 (α -Al2 O3)衬底上生长了不同势垒层厚度的Al0 .2 2Ga0 .78N/GaN异质结构 ,利用高分辨X射线衍射 (HRXRD)测量了其对称反射 (0 0 0 2 )和非对称反射 (10 14 )的倒易空间图 (RSM )。分析结果表明 ,势垒层内部微结构与应变状态和下层i -GaN的微结构与应变状态互相关联 ,当厚度大于 75 0 时 ,势垒层开始发生应变弛豫 ,临界厚度大于5 0 0 。势垒层具有一种“非常规”应变弛豫状态 ,这种状态的来源可能与n -AlGaN的内部缺陷以及i-GaN/α -Al2 O3界面应变弛豫状态有关     

Ge/Si(001)量子点组分的掠入射X射线反常衍射测量

利用掠入射X射线反常散射／衍射实验技术对Si(001)上生长的单层和双层Ge量子点的组分分布进行了直接测量,结果显示,在Si间隔层厚度为90nm时得到的双层Ge量子点与单层Ge量子点的组分及其分布特征是几乎相同的。     

同步辐射掠入射X射线衍射研究α相聚辛基芴薄膜的微结构

将旋涂制备的薄膜在120℃下退火,得到α相的聚辛基芴薄膜,用吸收光谱和荧光光谱进行了验证.用同步辐射一维和二维掠入射X射线衍射对薄膜进行了结构表征,结果表明,虽然聚辛基芴系非线型分子,但在薄膜微晶中分子链段主要以平行于基底的edge-on模式排列.     

立方相GaN外延层的X射线四圆衍射分析

本采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001）外延层的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为：（111）／／（0001）、＜112＞／／＜1010＞。由于（111）Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的（111）Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。     

X射线衍射定向仪自动测控系统

介绍了X射线衍射定向仪的工作原理,并对X射线衍射定向仪的自动测控 系统的设计进行了描述。目前该测控系统测量人造单晶晶体面角时,测量精度能达到20″,接近国际领先水平。     

X射线衍射法研究刚玉注入层的结构

用Ｘ射线衍射法和ＰＯＷＤ１２理论计算程序探讨了多晶刚玉Ｆｅ离子注入层的结构变化。     

X射线衍射方法研究钢铁材料注入层的结构变化

离子注入用于金属材料表面强化已有十多年历史。国内外已取得许多重要结果。对于离子注入所造成强化的机理研究,将有助于解决实际的工业应用和所存在的问题。迄今,国外     

横向外延GaN结晶质量的同步辐射研究

采用同步辐射X光衍射技术研究了α-Al2O3(0001）衬底上横向外延GaN的结构特征。发现横向生长区的GaN（0001）晶面与窗口区的GaN(0001)晶面在垂直掩模方向上存在取向差。ω/2θ联动扫描发现横向生长区的GaN的衍射峰半高宽约为窗口区GaN的一半，这表明横向外延生长技术在降低GaN穿透位错密度的同时，还能大幅度提高GaN的晶粒尺寸。     

The property of Si/SiGe/Si heterostructure during thermal budget characterized by HRXRD

Si/SiGe/Si heterostructures grown by ultra-high-vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) were characterized by Rutherford backscattering/Channeling (RBS/C) together with high resolution X ray diffraction (HRXRD). High quality SiGe base layer was obtained. The Si/SiGe/Si heterostructures were subject to conventional furnace annealing and rapid thermal annealing with temperature between 750℃ and 910℃. Both strain and its relaxation degree in SiGe layer are calculated by HRXRD combined with elastic theory, which are never reported in other literatures. The rapid thermal annealing at elevated temperature between 880℃ and 910℃ for very short time had almost no influence on the strain in Si0.84Ge0.16 epilayer. However, high temperature (900℃@) furnace annealing for 1h prompted the strain in Si0.84Ge0.16 layer to relax.