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95%Al_2O_3瓷的活化 Mo-Mn 法金属化工艺,在我国已广泛地应用。但由于对陶瓷金属化的机理研究不多,认识比较肤浅,生产中仍存在质量不稳定,出现问题不能及时解决的现象。本课题使用扫描电镜、电子探针等现代分析仪器,对95?_2O_3瓷活化 Mo-Mn 法金属化的机理进行了比较深入、系统的研究,揭示了陶瓷金属化机理。此机理有助于从事陶瓷金属封接的同行们,准确及时地分析废品原因,制定合理的工艺规范,提高质量、降低成本。 相似文献
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95%Al_2O_3瓷活化钼锰法金属化封接工艺,虽然比较成熟,可是还不太稳定,有些工艺条件还不够严格,有时还会出现漏气、脱焊、不粘瓷、强度低(500公斤/厘米~2)等质量问题。正交实验法为我们确定最佳工艺提供了捷径。基本模清了95%Al_2O_3瓷活化钼锰法9~#配方金属化封接工艺的规律。试验结果如下:一、关键因素——膏剂比例本试验发现了膏剂比例是个关键性的因素。如果追求便于涂复而少加硝棉溶液,多加醋酸丁酯稀释,则将把封接强度降低200~300公斤/厘米~2。膏剂比例以粉:硝棉溶液:醋酸丁酯=4:1:0.15强度最高。 相似文献
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本文主要介绍95% Al_2O_3瓷中玻璃相的化学成分测定方法,其要点是首先以5%HNO溶解瓷中的玻璃相,然后测定玻璃相中的Al_2O_3,SiO_2及CaO,从而确定瓷中玻璃相的成分。 相似文献
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陶瓷金属化配方的设计原则 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了金属化配方设计原则需考虑的“三要素”和“三特性”的概念 ,指出活化剂玻璃相膨胀系数对陶瓷 金属封接强度的重要性 ,推荐日本高桥玻璃膨胀系数的计算方法。 相似文献
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<正> 一、引言陶瓷中玻璃相的组成和数量是至关重要的。对瓷而言,它可以连接Al_2O_3晶体和填充气孔而使瓷成为一个致密的整体,同时也可以使瓷的烧成温度降低和晶粒细化,是陶瓷显微结构的重要组成部分。对金属化而言,适当的玻璃相有助于得到气密和高强度的封接。组成和数量不同,其封接结果亦不 相似文献
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讨论了在不使用二氧化锰及不熔炼玻璃相的前提下,确定以钼为主体,锰-铝-硅为三元玻璃相,添加一定添加剂改变性态的方式,研制了1380~1420℃的金属化配方,并成功应用于生产。降低了生产成本,在技术上增强了金属化膏剂工艺的稳定性及可控制性,质量上可提高产品的一致性。 相似文献
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通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理. 相似文献
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本文对世界上两大著名公司生产陶瓷金属化产品连同我国同类产品进行了分析、对比、找出它们各自的特点,评估了其质量水平,我我国进一步提高产品的性能。起到了很好的借鉴作用。 相似文献
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本文介绍55%重量Al_2O_3和45%重量玻璃作基板材料,采用扎膜成型;银95%重量和钯5%重量作导体材料,用丝网漏印法布线;在880~920℃烧成的多层陶瓷基板。其性能不仅优于95%重量Al_2O_3瓷和M_0、Mn作导体材料烧成的多层基板,而且工艺简单,成本更低。它是制作集成电路基板的一种较理想的陶瓷材料。 相似文献
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BeO瓷的金属化和封接 总被引:3,自引:1,他引:3
综述了氧化铍瓷的金属化及其封接技术,指出氧化铍瓷和Al2O3瓷在金属化工艺上的差异,论文最后汇集了国内外常用烧结金属粉末法15种配方和工艺参数,以资同行专家参考. 相似文献
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本文以实验证实了95%Al_2O_3瓷活化Mo-Mn法金属化的玻璃迁移机理。所用的9~#金属化配方为添加玻璃的配方,陶瓷金属化烧结时,主要靠金属化层中的一部分玻璃向陶瓷中迁移,冷却时,靠此玻璃把陶瓷和金属化层粘结在一起而完成真空致密封接的。 相似文献
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本文采用由MoO3加活化剂组成的配方对氧化铝陶瓷进行低温金属化,通过对氧化铝陶瓷、金属化层的显微结构及元素的分布情况来探索氧化铝陶瓷的低温金属化机理。研究发现金属化层中大部分MoO3还原成活性较好的Mo颗粒,Mo颗粒间相互烧结连通为主体金属海绵骨架,同时少量的Mo氧化物与MnO、Al2O3、SiO 2、CaO等形成玻璃熔体,MnO、Al2O3、SiO 2、CaO之间也会形成MnO-Al2O3-SiO2-CaO系玻璃熔体,从而获得致密、Mo金属与玻璃熔体相互缠绕、包裹的金属化层。金属化层中的两种玻璃熔体先后渗透、扩散进入氧化铝陶瓷晶界从而实现陶瓷与金属化层之间的连接。金属化层中还原的Mo金属与Ni层之间形成Mo-Ni合金,从而实现Ni层与金属化层之间的结合。 相似文献
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将0.1毫米厚的含钛量为6.1%的Ti-Ag-Cu合金片,放置在直径28毫米,厚4毫米的95%Al_2O_3瓷片和0.5毫米厚的无氧铜片中间.在真空度达~10(-5)托下进行封接。封接 相似文献
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在通常所采用的陶瓷 金属封接结构中 ,平封和套封结构成品率相当高 ,直接针封成品率偏低 ,而直接针封通常采用Mo Mn金属化法进行封接 ,在保证瓷孔内涂膏均匀且尽量减小封接应力的情况下能够得到较高的成品率。而在陶瓷 -金属封接中采用的活性金属化法与Mo Mn金属化法相比较具有工序少、工艺简单的优点 ,在平封结构中广泛使用。利用活性金属法直接针封 95Al2 O3瓷尚未采用 ,曾有人做过此方面的试验 ,均因成品率太低而放弃。通常不用此方法是因为活性金属粉末涂于瓷孔内 ,金属粉与陶瓷粘接不牢固 ,装架时易碰掉金属粉 ,造成瓷孔内… 相似文献
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通过对95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层烧结前后显微结构的分析,对不同Mo含量金属化配方的块状烧结体及高纯高致密Al2O3陶瓷表面金属化层显微结构的研究,探讨了95%Al2O3陶瓷Mo-Mn金属化层的烧结过程,揭示了Mo骨架结构中Mo颗粒间气孔形成的机理. 相似文献
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通过对高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化层、金属化层被酸腐蚀后的陶瓷表面显微结构及金属化层中元素在金属化层与陶瓷中的分布情况分析,探讨了高纯、细晶Al2O3陶瓷的Mo-Mn金属化机理。研究发现高纯、细晶Al2O3陶瓷的金属化机理与95%Al2O3陶瓷存在很大不同,高纯、细晶Al2O3陶瓷金属化时,Al2O3相通过溶解-沉淀传质过程,细小颗粒和固体颗粒表面凸起部分溶解,并在金属化层中的较大Al2O3颗粒表面析出。在Al2O3颗粒生长和形状改变的同时,金属化层形成致密结构,完成了烧结,实现了金属化层与高纯、细晶Al2O3陶瓷的紧密结合。 相似文献
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VLSIC用AlN封装的金属化及元件设计 总被引:2,自引:0,他引:2
为满足超大规模集成电路的要求,人们对AlN陶瓷封装进行了大量的研究,通过实际 性能和结构设计,本文讨论相关的金属化工艺和金属元件的设计加工等。 相似文献