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《真空电子技术》2000,(2)
型号名 称测量范围 / Pa 技术特点 外型尺寸mm×mmZDO- 1热偶真空计 2 0~ 0 .1指针电表读数 1 2 0× 2 4 0ZDO- 3数字式热偶计 1 0 5~ 0 .1数显、有两路自动控制 1 2 0× 2 80ZDR- 1宽量程真空计 1 0~ 1 0 - 6数显、带自动控制及 0~ 1 0 m V输出 1 2 0× 32 0ZDR- 1 T 宽量程真空计 1 0~ 1 0 - 6数显 ,带自控 ,带打印机 1 40× 440ZDR- 5中量程真空计 1 0 0~ 1 0 - 4指针电表读数 1 2 0× 2 4 0ZDR- 3超高真空计 1 0 - 1~ 1 0 - 8指针电表读数 1 40× 440ZDR- 8F 微机真空计 1 0 5~ 1 0 - 5数显 ,有四路控制 1 2 0× 440… 相似文献
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北京玻璃研究院在国内首次研制成功一支单丝直径 80 μm、1 0 0× 1 0 0像元、传输 2~ 1 2 μm波段、2 m长As- Se- Te玻璃红外光纤传像束 ,如图 1。图 1 2 m长 As-Se-Te玻璃红外光纤传像束图 2 传像束入端对准 5 m远的 40 0℃黑体小孔经传像束传输后热像仪拍摄出的热像 将该红外光纤传像束前、后两端分别配置可调焦的红外透镜 ,入端对准 5m处 40 0℃黑体炉 =3mm的小孔 ,出端与热像仪连接 ,探测头响应波段 7~ 1 0 .4μm。把黑体的热辐射经红外透镜成像在传像束入端面上 ,通过光纤传像束出端 ,再经过红外透镜把像传输到探测器上 … 相似文献
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介绍了最新研制成功的 Ga As微条粒子探测器的芯片设计和工艺设计。每一微条长度均为 1 70 0 0μm,宽度分别为 2 0、5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm。微条间距有 5 0、1 0 0、2 0 0和 3 0 0 μm四种 ,芯片面积为 5 .95 mm×1 7.0 0 mm。微条粒子探测器的反向击穿电压最高达 2 40 V,反向漏电流密度最低为 0 .0 2 5 μA/mm2。它对光照有强烈的敏感性。微条粒子探测器的辐照特性见其它论文报道 相似文献
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2~6GHz单片功率放大器 总被引:8,自引:0,他引:8
报道了有耗匹配宽带单片功率放大器的研究方法和结果。该两级单片功放电路采用自建的 Root非线性模型进行了谐波平衡分析。在 2 .0~ 6.7GHz频带上线性增益为 17d B,平坦度为± 0 .75d B,输入和输出驻波分别小于 2。全频带上 ,饱和输出功率为 1~ 1.4 W,功率附加效率大于2 0 %。该宽带单片功率放大器在 76mm Ga As单片 MMIC工艺线上用全离子注入、0 .5μm栅长工艺研制完成 ,电路芯片面积为 0 .1mm× 2 .6mm× 2 .7mm。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2002,(2)
南京电子器件研究所在 2 0 0 1年研制出 WFD0 0 1 2型 2~ 6GHz功率单片放大器 ,该宽带大功率单片集成放大器的研制采用了南京电子器件研究所 76mm 0 .5μm HFET标准工艺以及 Ta N电阻、Ta2 O2电容、Si N电容等无源元件。电路设计采用无耗电抗匹配实现宽带功率匹配 ,采用有耗匹配实现良好的输入驻波比。芯片外形尺寸为 2 .9mm× 2 .9mm× 0 .0 8mm。该器件主要的性能指标为 :在 2~ 6GHz带内 ,输出功率大于 33d Bm,功率增益大于 1 3d B,功率附加效率典型值为 2 7%2~6GHz功率单片放大器… 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2004,24(3):336-336
南京电子器件研究所于 2 0 0 2年已研制出 WFD0 0 2 0型 2~ 8GHz Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm PHEMT标准工艺制作而成。它由三级放大器和一个衰减器组成 ,采用 7个 PHEMT、若干无源元件组成 ,高度集成在 3.6mm× 2 .2 mm的 Ga As衬底上。三级放大器的电源为 +5 V,放大器芯片的增益可以由衰减器控制。衰减器连接在第二和第三级放大器之间。测得该芯片工作频率范围为 2~ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5 d B,噪声系数不大于 3.5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d… 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2004,24(1):9-9
南京电子器件研究所于 2 0 0 2年已研制出 WFD0 0 2 0型 2~ 8GHz Ga As单片可变增益低噪声放大器芯片。该放大器采用南京电子器件研究所 76mm圆片 0 .5 μm PHEMT标准工艺制作而成。它由三级放大器和一个衰减器组成由 7个 PHEMT、若干无源元件组成 ,高度集成在 3.6mm× 2 .2 mm的 Ga As衬底上。三级放大器的电源为 + 5 V,放大器芯片的增益可以由衰减器控制。衰减器连接在第二和第三级放大器之间。测得该芯片工作频率范围为 2~ 8GHz,在零衰减时 ,整个带内增益大于 2 5 d B,噪声系数不大于3.5 d B,增益平坦度小于± 0 .75 d B,输… 相似文献
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《光机电信息》2004,(1)
CEDIP红外系统公司向法国Cazeaux空军基地提供了一种新型SATIR多光谱红外分析系统。SATIR系统可用于搜集 3个主要红外波段 (1~ 2 .5 μm ,3~ 5 μm和 8~ 12 μm )的飞机、直升飞机和导弹的红外特征波形。其先进的摄像机设计使操作员能够收集并存储每一个红外波段的实时序列图像以便于后处理。每部摄像机均配置一个 6 0 0mm透镜 ,因此能提供 <1°的非常窄的视野。SATIR系统采用流行的JADE摄像机作为主要传感器 ,并为之配置了实时图像处理和存储工作台。CEDIP红外系统公司是一家专门设计并制造红外分析和温度测量的红外系统的… 相似文献
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压电振动陀螺是一种角速率传感器 ,主要用于一体化摄录机的防手振 ,汽车导航的 GPS信号补偿和汽车底盘的控制系统。随着需求的增加和数字化的发展 ,正向低价格 ,高精度 ,耐环境、低耗电和小型轻量化发展。近年来日本又推出两种新型结构的小型压电振动陀螺 :一种采用双晶片式结构 ,尺寸仅为 1 5.5mm×8.0 mm× 4.3mm,主要用于摄像机 ;另一种采用三音叉指结构 ,尺寸为 2 6mm× 2 6mm× 1 3mm,主要用于汽车导航。压电振动陀螺 1 998年的市场规模估计超过 1 30 0万个。其中 ,用于摄像机类的约占 72 % ,用于汽车导航的约占 1 2 % ,用于普通相机… 相似文献
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高精度带隙基准电压源的实现 总被引:15,自引:1,他引:15
提出了一种高精度带隙基准电压源电路 ,通过补偿其输出电压所经过的三极管的基极电流获得精确的镜像电流源 .设计得到了在 - 2 0~ +80℃温度范围内温度系数为 3e - 6 /℃和 - 85 d B的电源电压抑制比的带隙基准电压源电路 .该电路采用台积电 (TSMC) 0 .35 μm、3.3V/ 5 V、5 V电源电压、2层多晶硅 4层金属 (2 P4 M)、CMOS工艺生产制造 ,芯片中基准电压源电路面积大小为 0 .6 5 4 mm× 0 .340 mm,功耗为 5 .2 m W. 相似文献
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《光机电信息》2003,(12)
CEDIP红外系统公司向法国Cazeaux空军基地提供了一种新型SATIR多光谱红外分析系统。SATIR系统可用于搜集 3个主要红外波段 ( 1~ 2 .5 μm ,3~ 5 μm和 8~ 1 2 μm)的飞机、直升飞机和导弹的红外特征波形。其先进的摄像机设计使操作员能够收集并存储每一个红外波段的实时序列图像以便于后处理。每部摄像机均配置一个 60 0mm透镜 ,因此能提供 <1°的非常窄的视野。SATIR系统采用流行的JADE摄像机作为主要传感器 ,并为之配置了实时图像处理和存储工作台。CEDIP红外系统公司是一家专门设计并制造红外分析和温度测量的红外系统的… 相似文献
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IrDA1.0版本的光学数字通讯系统使夏普公司的VE-LC1数字静止摄像机能传送图像到个人计算机、彩色打印机和其他VE-LC1设备。该系统售价69800日元,透镜旋转角度为270°。摄像机采用4MB瞬时存储,带有350000像素的顺序扫描CCD,63cm的彩色LCD具有61600个像素,屏幕反射低。重量为210g,体积为80.7mm×123.3mm×40.2mm的摄像机向下倾斜会使透镜向里收缩。另外,该摄像机用一价值13500日元的CE-IRS型光学通讯接口与非IrDA计算机相联,装上价值为8000日元的VR-PK31附加软件可双向图像传送。VE-LC1数字摄像机@池荷… 相似文献
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一种Montgomery模乘的硬件算法及其实现 总被引:1,自引:0,他引:1
采用大数的高基表示方法对原 Montgomery算法进行了改进 ,提出了一种高效的面向硬件的计算 Montgomery积的算法 ,按照该算法实现的硬件具有较低的复杂度和较高的处理速度 ,并且利用 CSMC的 0 .6 μm CMOS标准单元库实现了 5 1 2位的 Montgomery模乘器。该模乘器约含480 0 0等效门 ,面积约为 3 mm× 3 mm,最高工作时钟频率可达 40 MHz,完成 5 1 2位 Montgomery模乘需要 3 4 1个时钟周期 相似文献
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《现代电子技术》2004,(7)
Semtech推出单线拓扑的 TVS器件Semtech公司近日推出 Micro Clamp系列微型突波抑制器 ( TVS)产品 ,适用于手机、 PDA、数字相机及其它便携电子设备的静电放电 ( ESD)保护。Micro Clamp家族的首款产品 μClamp0 5 0 1 H采用两极 SOD 5 2 3封装 ,尺寸为 0 .9mm× 1 .7mm× 0 .6mm。按照 IEC 61 0 0 0 42标准第 4级规范 ,该 TVS二极管可提供超出± 8k V接触放电和± 1 5 k V气隙放电的 ESD保护。由于该器件主要面向便携设备应用 ,其小尺寸和单线拓扑为设计人员在电路板周围增加有效的 ESD保护提供了灵活性。在便携产品设计中 ,… 相似文献
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基于多层高分子液晶聚合物(LCP)技术,采用网络综合法,设计了一款超高频(UHF)低通滤波器。利用三维电磁仿真软件HFSS,进行了高Q值、小体积电容、电感,以及UHF低通滤波器立体结构的设计和优化。采用50 μm 厚度双面覆铜的LCP 基板以及25 μm 厚度的粘合板,结合铜浆垂直互连工艺,进行了低通滤波器多层结构加工。测试结果表明:该低通滤波器截止频率为1 GHz,在0~1 GHz 的通带范围内回波损耗在-10 dB 以下,插损最大为-2.6 dB,在2 GHz 处,带外抑制达到-38 dB,器件尺寸为10.1 mm×3.5 mm×0.197 mm。该研究验证了多层LCP工艺在微波频段内具有较高的集成度。 相似文献
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介绍一种体积小、性能稳定的特高阻电阻器的研制过程及其性能。电阻器阻值范围 :1~ 10 0 GΩ ;αR:(- 40~ - 90 0 )× 10 - 6 ℃ - 1 ;体积 :5 mm× 12 mm× 2 mm。 相似文献