电连接器镀金工艺

金镀层具有优良的各项性能，采用合金化镀金可进一步提高镀金层的硬度和耐磨性。本文介绍了镀金工艺的分类，比较了几种常用镀金工艺如金钴、金镍和金铁合金的特点及应用。     

不锈钢表面电镀金及真空镀氮化碳多层膜研究

根据燃料电池电极片的技术要求,在不锈钢电极片表面实现电镀金和真空镀氮化碳多层膜。基于基层镀镍的工艺条件,研究了镀金溶液p H对镀层色泽的影响,电流密度对镀金沉积速度的影响,盐雾试验与镀层厚度关系,温度对镀金层电阻率的影响,获得了镀金的最优配方和工艺。开展了不合格镀金层的退除及金的回收研究,基于真空镀氮化碳薄膜工艺条件,对多层膜的表面形貌进行了表征,多层膜显著提高耐蚀性能的同时具有较好的结合力。多层膜制备与工艺研究将进一步扩大其在各领域中的应用。     

316不锈钢表壳离子镀1N14色镀金层的性能

以TiN为中间层,采用离子镀技术在316不锈钢表壳体表面制备1N14色镀金层。介绍了1N14色镀金层的制备工艺和原理。测试了1N14色镀金层的厚度及耐磨、耐蚀性能。结果表明,采用该离子镀金技术制备的1N14色镀金层具有优良的耐磨、耐蚀性能以及强的结合力,镀层厚度仅0.10~0.20μm,极大地节省了金用量。该离子镀技术环境友好,镀金层纯度高、致密性好、厚度均一,是传统水镀金的理想替代技术。     

降低镀金过程中金盐消耗的方法

将实际金盐消耗量与理论金盐消耗量进行对比,寻找镀金过程中金盐无效消耗的异常点,并通过优化过程参数、控制镀金层厚度、改善镀金层均匀性和控制滴水时间等方面进行管控,形成有效控制方案。理论评估数据显示,对镀金工艺过程参数、镀金层厚度及滴水时间进行有效管控,能有效降低金盐消耗,节省镀金成本。     

一起金镀层脱落质量事故的分析及处理

因一起金层脱落的质量事故,分析了预镀镍层与镀金层结合力弱的原因。试验发现,镍层钝化和被带入镀金槽中的镍离子的水解产物附着在镍层表面,是造成金层剥离的原因。预镀镍后活化,加强镀金前水洗,以及调整镀金液的pH为4.2~4.5,可保证金层与镍层良好的结合力。     

电脑硬盘磁头晶片金凸块电镀研究

探讨了将电脑硬盘磁头晶片金凸块直接电镀在Ni-Fe合金种子层上,以减少焊接时金凸块变形,从而获得性能优良的磁头。实验在两种不同基材的晶片上沉积不同的种子层,经多种电镀前处理后分别电镀不同厚度的金凸块。通过拉扯试验,检查金凸块与基体的结合力。实验结果表明,不能直接在Ni-Fe合金种子层上电镀金凸块,在Ni-Fe合金种子层上溅射一层薄的金层即可实现金凸块电沉积在Ni-Fe合金种子层上,拉扯试验测试达到合格。     

工艺参数对印刷线路板表面化学镀镍/置换镀金层性能的影响

分析了工艺参数(如温度、pH值、沉积时间等)的变化时印刷线路板(PCB)表面化学镀镍/置换镀金层性能的影响。结果表明:工艺参数对镀层性能具有较大影响。在此基础上优化了化学镀镍/置换镀金工艺,获得了性能良好的镍/金镀层。     

以丙尔金为主盐的高纯度可焊性镀金工艺

以清洁环保的丙尔金[即一水合柠檬酸一钾二(丙二腈合金(I))]代替有毒氰化亚金钾为主盐,用市售的可焊性镀金工艺配方及规范,生产高纯度(99.99%)的金镀层。所得镀金层呈浅柠檬黄色、无色斑,比亚硫酸盐纯金层更均匀、致密,金线键合强度经高低温循环试验后稳定,与载体焊接牢固、无空穴,满足美国军标MIL-STD-883H–2010中方法2011.8──键合强度测试规范的性能要求。镀金液性能与亚硫酸盐纯金镀液相近。镀金液使用3年多后,不论是在加热状态或是长期放置都很稳定。     

镀金产品的金质量及含量研究

目前市场上有很多镀金产品,但是国内对镀金产品检测的报道很少。本文对市面上最常见的四种镀金产品的基体及镀金厚度进行研究。通过对比实验确定了四种基体溶解酸的最佳组合及条件,得到完整的镀金层之后,使用X射线荧光光谱仪、电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)对镀金层的厚度及金含量进行测定。实验发现对镀层厚度在1μm左右及以上的产品可以准确测定镀金层的含量及质量,镀层小于0.4μm的产品还需进一步研究。本实验方法对市场上大部分的镀金产品都可准确测定,满足了贵金属市场新产品的检测需求。     

无氰镀液脉冲电镀制备金靶的研究

通过在无氰镀金液中加入合适的配位体优化镀液性能,并用脉冲电镀法制备出惯性约束聚变(ICF)金靶。讨论了该体系镀液在电镀时的温度、电流密度、极间距、频率和占空比等工艺对镀层性能的影响,利用SEM对样品的形貌进行了表征;利用电化学工作站对镀液进行了分析。得到了适合制备ICF金靶的亚硫酸盐镀金液及相应的脉冲镀金工艺的最佳条件:亚硫酸铵610 mL/L,金13 g/L,柠檬酸钾55 g/L,氨水140 mL/L,1-羟基乙叉-1,1-二膦酸(HEDP)1.32 mol/L,氨基三甲叉膦酸(ATMP)1.32 mol/L,pH=7~8,温度45℃,频率300 Hz,占空比1∶7,电流密度0.3~0.1 A/dm2,极间距6 cm。