LIVCD法制备纳米氮化硅粉末工艺参数对粉体特征影响的研究

激光诱导气相沉积法是制备纳米氮化硅粉末的主要方法之一。在制备纳米粉体过程中,各工艺参数的变化对粉体特征有很大的影响。在激光制Si3N4纳米粉中基本的运行参数有:激光强度(I),反应池压力(P),反应火焰温度(T),反应气体配比(ΦSiH4／ΦNH3),反应气体流速(V)等。通过实验研究了各个工艺参数对粉体特征的影响并分析了其影响的原因。     

激光CVD纳米氮化硅的制备工艺研究

研究了激光诱导化学气相沉积纳米氮化硅的制备工艺过程，探讨了制备工艺参数与粉末特征的关系，获得较佳的工艺参数：激光功率密度２０００Ｗ／ｃｍ２，反应气体配比ΦＮＨ３／ΦＳＨ４＝４，反应气体总流量２００ｃｍ３／ｓ，反应池压力３５ｋＰａ。     

Bi2O3过量对熔盐法制备Bi4Ti3O12粉体的影响

以NaCl-KCl熔盐法制备了各向异性的Bi4Ti3O12粉体,研究了w(Bi2O3过量)对粉体的影响,优化了制备Bi4Ti3O12粉体的工艺参数。结果表明:w(Bi2O3过量)为7.5%,1100℃烧结2h所得到的Bi4Ti3O12粉体微观形貌最佳,并探讨了Bi4Ti3O12粉体在熔盐中的生长机理。     

氧化沉淀法制备纳米级Mn_3O_4粉体及影响因素

以硝酸锰、氢氧化钠、氨水为原料,采用水解氧化沉淀法制备了nm级Mn3O4粉体材料。通过正交试验优化反应条件得到尺寸分布均匀,团聚程度小,颗粒分散性强的nm级Mn3O4粉体。研究了制备过程中反应温度、pH值、搅拌速度、反应物浓度等因素对产物组成、晶体结构、晶粒尺寸、形貌及颗粒团聚程度的影响。采用激光粒度分析仪(LPSA)、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)以及化学滴定实验对反应产物进行了分析表征。实验结果表明,采用水解氧化沉淀法制粉时,可得到纯度较高的Mn3O4,当工艺参数pH值为10、温度40℃、搅拌速度3000r/min,反应物摩尔浓度c(Mn(NO3)2)∶c(NaOH)∶c(NH4OH)=2.4∶4.8∶0.96时,材料二次颗粒团聚程度最弱,分散性最好,一次纳米颗粒尺寸最小。     

激光法纳米硅粉的制备工艺研究

本文研究了制备纳米硅粉的工艺参数：获得了最佳工艺参数：激光功率密反１６００Ｗ／ｃｍ２，硅烷浓度１０％，高纯氩稀释，反应气体流量１００ｃｍ３／ｓ，反应池压力２６．７ｋＰａ。改变工艺参数可制备不同粒度的纳米硅粉。     

化学共沉淀工艺对ATO粉体粒度的影响

采用化学共沉淀法制备掺锑二氧化锡粉体(ATO),用X-射线衍射法和扫描电子显微镜对粉体粒度作了表征。系统研究了退火温度、反应体系pH值、掺锑量和煅烧温度等工艺参数对最终粉体粒径的影响规律,并得到了最佳工艺操作参数:反应体系pH值应选1~3较低范围内,锑掺杂剂摩尔分数在5%,热处理温度应控制在550~650℃。用量子尺寸效应和能带理论解释了所得粉体的发色机理。     

雾化共沉淀法制备Ce0.8Gd0.2O1.9纳米粉体

采用雾化加料的方式,以碳酸氢铵为沉淀剂,制备了纳米Ce0.8Gd0.2O1.9粉体。探寻了制备过程中影响粉体颗粒大小及团聚的工艺参数,并对影响机理进行了探讨。结果表明:将沉淀剂雾化加入的工艺有利于得到分散性好、尺寸均匀的纳米粉体。在最佳工艺参数点,即(Ce3++Gd3+)浓度为0.2 mol/L,反应温度为60℃,r[AHC∶(Ce3++Gd3+)]为3∶1,制得的纳米Ce0.8Gd0.2O1.9颗粒粒径在15 nm左右。     

改进的共沉淀法制备PZT压电陶瓷粉体

采用正交实验方法研究了共沉淀法制备PZT压电陶瓷粉体的工艺过程。对粉体进行了SEM、电子能谱观察 ,结果表明 :对粉体粒度和形状影响最大的是沉淀剂种类 ,而沉淀剂加入方法则无明显的影响。正交实验优化出了制备PZT粉体的最佳工艺参数。事实证明 :以Pb(Ac) 2 ·3H2 O为Pb源 ,采用共沉淀法制备PZT粉体 ,可以降低生产成本 ,缩短生产周期 ,简化工艺流程     

钛酸钡纳米粉体的共沉淀法合成与研究

采用TiCl4和BaCl2·2H2O原料,以正丁醇为分散剂,NH4HCO3和NH3·H2O作为沉淀剂合成钛酸钡前驱体,在900 ℃煅烧制备分散性良好的钛酸钡纳米粉体.利用XRD、透射电镜(TEM)和 SEM等手段分析了反应温度、TiCl4浓度、分散剂掺杂量等反应参数对粉体的晶相组成、晶粒度、形貌等的影响,并且测试了相应陶瓷烧结体的介电常数.结果表明,反应温度为900 ℃,TiCl4浓度为0.6 mol/L,分散剂用量为3‰条件下,保温2 h可制备高分散性的纳米级粉体.用以上方法制备的粉体烧结而成的陶瓷片介电常数约为3 400.     

工艺参数对熔盐法制备SrBi4Ti4O15粉体的影响

采用熔盐法制备了各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体,研究了工艺参数对晶粒形貌和尺寸的影响。发现煅烧温度、盐的种类和盐的用量显著影响晶粒的形貌和尺寸。晶粒平均尺寸随着温度升高而逐渐增大,由不规则片状向圆片状发育。随着盐用量的增加,晶粒平均尺寸先增大后减小,且在硫酸盐中,晶粒尺寸明显大于相同条件下盐酸盐中的尺寸。和固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点。通过调整工艺参数可以控制晶粒的形貌和尺寸,制备各向异性生长的SrBi4Ti4O15粉体。     

the Good,the Bad and the Ugly

《Sat Magazine》,2012年11月刊对于当红的有效载荷商业搭载(Hosted Payload)业务,由十余家知名航天企业组成的"有效载荷搭载联盟"(HPA)显然颇具发言权。在最新一期Sat Magazine杂志上,HPA的代表撰文细数了有效载荷搭载业务最近面临的"善、恶、丑":"善"——美国总统奥巴马在向国会提交的2013财年预算申请中为与有效载荷     

唯产业是根唯亮点是本--回眸"中国信息安全战略与趋势"高层研讨会4年之履

引言四季轮回,大自然总是不偏不倚地遵循着这一守则,使人类感受着异样的景观和不断的期待。《信息安全与通信保密》杂志社感受自然恩泽的同时,也期盼着能为信息安全产业界带来四季如春的新意与生机。 二零零一年始办的“中国信息安全发展趋势与战略”高层研讨会已经走过了4个年头,承蒙主管领导、专家学者及广大安全企业和行业用户之关照与呵护,4年后的今天依然能够站在产业的前沿,架设各方之间的桥梁,领略产业风景。此心情不敢独有,现就产业发展之线,连贯研讨会4年的历程,与各方人士共飨。     

电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析

为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。     

Comparing the Impacts of the Capillary and the Molded Underfill Process on the Reliability of the Flip-Chip BGA

In the assembly process for the conventional capillary underfill (CUF) flip-chip ball grid array (FCBGA) packaging the underfill dispensing creates bottleneck. The material property of the underfill, the dispensing pattern and the curing profile all have a significant impact on the flip-chip packaging reliability. Due to the demand for high performance in the CPU, graphics and communication market, the large die size with more integrated functions using the low-K chip must meet the reliability criteria and the high thermal dissipation. In addition, the coplanarity of the flip-chip package has become a major challenge for large die packaging. This work investigates the impact of the CUF and the novel molded underfill (MUF) processes on solder bumps, low-K chip and solder ball stress, packaging coplanarity and reliability. Compared to the conventional CUF FCBGA, the proposed MUF FCBGA packaging provides superior solder bump protection, packaging coplanarity and reliability. This strong solder bump protection and high packaging reliability is due to the low coefficient of thermal expansion and high modulus of the molding compound. According to the simulation results, the maximum stress of the solder bumps, chip and packaging coplanarity of the MUF FCBGA shows a remarkable improvement over the CUF FCBGA, by 58.3%, 8.4%, and 41.8% (66 $mu {rm m}$), respectively. The results of the present study indicates that the MUF packaging is adequate for large die sizes and large packaging sizes, especially for the low-K chip and all kinds of solder bump compositions such as eutectic tin-lead, high lead, and lead free bumps.      

澳洲插头产品的法规要求及标准解析

介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求。对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明。     

3G中移动台主呼接入过程中安全问题分析

本文对当前3G反向链路呼叫及通话过程中的安全问题做了分析,并分别从MS和BS相互之间的AKA、信令完整性保护和数据保密、入侵检测等进行了讨论。另外,在讨论中适当地将安全与移动性管理相结合,并根据实际应用中的安全问题提出了一些新的设想和解决的方法。     

宇航元器件应用验证指标体系构建方法研究

通过分析宇航元器件应用验证指标体系的特点,建立了一套面向宇航元器件应用验证的指标体系构建方法,该方法分别应用专家遴选系统、头脑风暴法和德尔菲法,解决了宇航元器件应用验证指标体系构建中的专家遴选、因素识别和指标体系构建问题。最后,应用该方法建立了宇航元器件应用验证综合评价指标体系基本结构。     

乙未岁风好正扬帆

送走驰骋追梦的马年,迎来了风好正扬帆的羊年.羊祥开泰千家喜,春满神州万物荣.值此辞旧迎新之际,《印制电路信息》杂志社的全体工作人员怀着诚恳的感恩之心,向在印制电路行业各个岗位上为把行业做大更要做强奉献自己的才智、孜孜不倦地工作、默默奉献的印制电路同仁一年来对《印制电路信息》报刊的关注、出谋划策、陪伴和支持表示衷心感谢!