TiAl中180°孪晶界面附近应力场的LACBED研究

ＴｉＡｌ中１８０°孪晶界面附近应力场的ＬＡＣＢＥＤ研究吴文涛，朱　静（治金部钢铁研究总院，北京１０００８１）ＴｉＡｌ金属间化合物具有低密度、高熔点。较高的高温强度和持久强度等性能，在航空航天领域有广阔的应用前景，但其室温塑性差，断裂韧性低，裂纹扩展速...     

具有膺八次旋转对称性电子衍射谱的45°微孪晶

在急冷Cr—Ni—Si合金中,一种具有膺八次对称性的45°孪晶(及微孪晶)被首次发现。此结构的电子衍射谱与在同一成份合金中发现的8次准晶在某些方面有些相似,尤其此两种结构共生时,仅从电子衍射谱(图1)上很难区分。高分辨技术使此两种结构很容易区分,既使微孪品的尺寸只有2—4nm,高分辨象仍然能清晰地显示出β—Mn结构的45°旋转畴,见图2。而八次准晶的高分辨象与这种45°微孪晶有根本的区别。这种45°孪晶通常在晶界处发生重迭而产生二次衍射。当李晶尺寸减小时重迭加重并渗杂进尺寸效应使电子衍射谱斑点模糊,如图la所示。虽然此时衍射谱的周期性已不再显现,但与8     

孪晶片层尺寸对孪晶形变行为的影响

通常多晶铜中会含有一定数量的生长孪晶或退火孪晶。但是，由于一般生长孪晶的尺寸和分布很不均匀，数量也较少，很难研究它们在材料力学行为中的作用，因此孪晶对铜的力学行为的影响还不清楚。最新研究发现，可以利用电解沉积法，通过引入大量的生长孪晶和降低孪晶尺寸来制备纳米结构铜。纳米量级的孪晶结构对力学行为的影响十分明显，但对其作用机理的研究十分有限。本工作对一种由电解沉积法制备的含有独特的高密度纳米孪晶片层结构的多晶纯铜进行室温轧制，通过观察其微观结构，探讨了孪晶结构特别是纳米量级的孪晶片层结构的形变行为以及孪晶片层尺寸对其形变行为的影响。     

孪晶面和孪晶位向关系的EBSD测定

李文以已知孪晶面和位向关系的Ni95W5合金为例，介绍了采用EBSD测定孪晶面和孪晶间位向关系的方法。该方法可用于其它晶体学特征面的迹线分析和两相间晶体学关系的测定。     

应变对面心立方结构孪晶纳米线变形机制影响的原位原子尺度研究

本文利用原位实验技术,在透射电镜中实现了对直径约为40 nm的孪晶结构Ni纳米线(D=～40 nm)的弯曲变形实验,并对其塑性变形机制进行了原位原子尺度研究。原位原子尺度研究表明,弯曲应变对孪晶结构Ni纳米线的塑性行为有显著影响。在弯曲变形的初始阶段,塑性变形受位错行为控制,并且孪晶厚度对位错类型和滑移系具有重要影响。随着弯曲应变的增加,纳米线中观察到了连续的晶格畸变以及面心立方-体心四方的相转变。当弯曲应变继续增加超过～30%时,塑性变形方式由晶格畸变/塌陷引起的晶界形核主导。本实验提供了孪晶结构Ni纳米线在大塑性变形下的塑性变形图像,对理解不同的弯曲应变对孪晶结构Ni纳米线变形机制的影响具有借鉴意义。     

蠕变TiAl基合金形变孪晶的形成

ＴｉＡｌ基合金密度低 ,比强度高 ,具有良好的高温强度和抗蠕变 ,抗氧化能力。在航空 ,汽车 ,能源工业等方面有很大的应用前景[1] 。最近Ｈｓｉｎｇ等人[2 ,3 ] 研究了片层界面位错和形变孪晶对二相全片层ＴｉＡｌ合金蠕变变形的影响。在低应力 (138ＭＰａ)和小应变 (0 5 % )时主要是可动界面位错及片层(111)界面上晶格位错的滑动。在低应力 (138ＭＰａ)和大应变 (1 5 % )时 ,界面有更多的位错塞积 ,塞积导致局部应力升高 ,引起形变孪晶 ,形变孪晶的数量很少。在高应力 (5 18ＭＰａ)和小应变 (0 6 7% )时 ,蠕变过程中有连续的形变孪晶生成…     

LEC-InP晶体中孪晶现象的研究

在LEC-InP晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响InP单晶率的突出问题.生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是InP单晶生长技术的研究重点.国内外学者研究了影响孪晶产生的相关因素,但具体产生机制仍未确定.大量的实验研究表明InP晶体中的孪晶通常出现在三相界面处的边缘小平面上,且不论内砍还是外切孪晶均产生在{111}面上.晶体生长转肩过程中改变提拉速度会导致边缘过冷度增加,很容易产生孪晶.研究表明可以调整降温速率来实现对晶体直径的控制,减少拉速改变的频率避免造成边缘处过冷度增大,使得晶体生长实现平滑转肩,减小转肩时孪晶的产生概率.     

砷化镓晶体中生长孪晶的探讨

一、引言自1926年Goldschmiodt用人工方法制备了GaAs半导体晶体以来,不少人对GaAs晶体作了大量的研究工作。GaAs晶体具有许多优良的特性,在固体微波器件和激光器等方面得到广泛应用,而GaAs半导体器件的发展又是与其晶体生长技术的发展密切相关的。因此,在工业上如何能大量生产重现性良好,便宜而又质量优良的晶体,便成为材料研究者的首要任务。     

磷化铟晶体中孪晶形成机理的研究进展

孪晶可以降低化合物半导体单晶的成品率,是目前半导体材料领域研究的热点之一。针对InP及相关极易产生孪晶的半导体材料,系统介绍了孪晶形核的各类物理模型,归纳了材料属性、晶体生长放肩角度、温度梯度、生长速率、小平面、半导体极性及生长系统稳定性等因素对孪晶形成的影响。借助多晶硅中孪晶现象和形核机理解释了InP多晶中孪晶形核现象。同时,总结了掺杂剂及杂质元素对孪晶形成的影响。最后,对InP生长过程中孪晶形成及抑制方法进行了展望。InP单晶中孪晶的抑制将会大幅降低InP单晶衬底的成本,推动InP微电子及光电子领域的发展。     

铝酸钇晶体孪晶的观察与消除

具有畸变钙钛矿结构的铝酸钇晶体易生成孪晶。资料[2]作者将铝酸钇晶体的孪晶分为生长型孪晶和畸变型孪晶,对孪晶的行为有一定描述,并认为可用热处理方法消除畸变型孪晶,但并无数据报导。我们在生长c轴铝酸钇的实践中发现大部分加工的铝酸钇晶体棒都有不同程度的“开口”现象。     

ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征

通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带.利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成.采用会聚束电子衍射(CBED)技术确定了ZnSe复合孪晶纳米带沿<111>方向的极性.根据CBED结果并结合实验过程的设定,对ZnSe复合孪晶纳米带的形成机制进行了讨论.     

奥氏体不锈钢焊缝中形变孪晶的电镜研究

利用电子显微镜对不同材料组合和焊接条件下，奥氏体不锈钢焊缝中形变孪晶的形态进行了现察。实验发现焊缝中形变孪晶的数量和形态与接头的拘束条件有关。在全拘束接头中，孪晶的数量最多，还会出现多次孪晶。随拘束程度的下降，孪晶数量减少。在无拘束接头中，几乎看不到孪晶。这些形变孪晶是由于在奥氏体钢焊缝冷却过程中，结晶凝固和δ－铁素体向奥氏体的相转变，导致焊缝体积缩小而快速引入的拉伸切应力产生的。     

自组装ZnO孪晶纳米结构的透射电镜研究

由于一维纳米材料在发光等领域的巨大的应用潜力，近年来对纳米材料的研究也成为热点。ZnO作为一种宽带隙半导体材料，其纳米结构的研究受到了广泛关注。本文对自组装ZnO孪晶纳米结构进行了系统的透射电镜（TEM）研究。图1a为ZnO纳米结构的低倍TEM像，表明该纳米结构由三个成份A，B，C组成。     

用SACP技术分析立方晶系金属中晶粒位向的一种方法

ＳＡＣＰ分析技术是分析多晶材料中晶粒位向的一种有效方向，应用ＳＡＣＰ技术，本文发展了一种确定立方晶系金属中晶粒位向的新方法，此方法的优点是：可以直接从给定ＳＡＣＰ的几何特征确定晶粒位向，而不需象通常方法那样，要对给定ＳＡＣＰ进行结晶学注释和有关矢量运算。     

LEC─InP晶体中孪晶现象的分析

通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ＿２Ｏ＿３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。     

LEC—InP晶体中孪晶现象的分析

通过对产生孪晶的工艺条件的研究比较，分析了ＬＥＣ－ＩｎＰ晶体中产生孪晶的原因。实验证明，建立一个稳定合适的热场、保持Ｂ２Ｏ３的透明度、控制好掺杂量等是减少孪晶的必要条件。     

半导体陶瓷中孪晶的HREM和TEM研究

Oppolpzer曾用TEM这观察到BaTiO_3半导体陶瓷的孪晶,认为它会伴生异常晶粒长大。但是有关孪晶和孪晶界的结构细节以及形成机制尚不清楚。本文用高分辩电镜(HREM)和透射电镜(TEM)进一步研究了它们的孪晶,得到如下四点结果。1.BaTiO_3的大部分孪晶均为{111)孪晶,其晶界为共格倾斜(70°)孪晶界。图1是[110]方向孪晶的晶格像,图中用粗黑线示意镜面对称的(001)晶格(3.9A),与之垂直的为(110)晶格(2.8A),它相应于左右(指标化示意)上角的衍射结     

SiC纳米线的孪晶机制的透射电子显微学研究

本文对溶胶-凝胶法制得的SiC微孪晶纳米线进行了微结构与孪晶机制的详细研究,利用会聚束电子衍射(CBED)及其动力学模拟技术间接证明了它是一种关于(111)面的60°旋转孪晶.并在此基础上对SiC微孪晶纳米线的生长机理进行了讨论.     

脉冲磁场处理的粗晶铝基体中形变孪晶与层错

铝为层错能高的面心立方结构金属材料，在通常的塑性变形情况下，不易形成形变孪晶。最近分子动力学的模拟计算表明，在高应力应变速率条件下纳米晶铝可以出现形变孪晶。随后在物理气相沉积方法制备的纳米铝膜中和低温球磨制备的纳米铝中分别观察到了铝的形变孪晶。但迄今为止，在粗