电子束和热退火后处理的射频溅射沉积ZrO_2－Y_2O_3薄膜的结构特征

对射频磁控溅射沉积的ＺｒＯ２－１２ｗｔ％Ｙ２Ｏ３薄膜进行了电子束处理和热退火处理．通过ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等的微观分析，研究了薄膜的相结构组成、薄膜主要组成元素的氧化态以及薄膜的形貌特征。并对以提高薄膜增韧性为目的而进行的后处理的方式选择作了讨论。     

TiO2晶体和TiO2—SiO2复合变体对铀的吸附及其辐照稳定性

用Ｘ射线粉末衍射分析（ＸＲＤ）及红外光谱（ＩＲ）方法研究了ＴｉＯ２晶体中非晶态ＳｉＯ２的存在导致形成新的变体的过程；同时研究了ＴｉＯ２、ＳｉＯ２水合氧化物及其复合变体的辐照稳定性。结果表明，非晶态ＳｉＯ２的存在有助于由锐钛矿和金红石共同组成的ＴｉＯ２复合晶体转变为单一的锐钛矿。ＴｉＯ２、ＳｉＯ２及其复合变体良好的辐照稳定性为其用于核废料的处理提供了有利的条件。     

Si基体上双层Ti－O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析．结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜与基体在界面处形成较宽的、复杂的混合层．混合层主要由ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ、未氧化完全的ＳｉＯ２－ｘ及纯Ｓｉ组成。     

乙酰二茂铁缩4—苯氨基硫脲与UO^2＋2,Hg^2＋,Ni^2＋,Zn^2＋,的…

乙酰二茂铁缩４－苯氨基硫脲（Ｃ１９Ｈ１９Ｎ３ＳＦｅ）与某些金属离子在无水乙醇中反应得到了希夫碱配合物Ｍ．Ｌ．Ｘ２．ｎＨ２Ｏ（Ｍ为ＵＯ＾２＋２，Ｈｇ＾２＋，Ｎｉ＾２＋，Ｚｎ＾２＋，Ｌ为Ｃ１９Ｈ１９Ｎ３ＳＦｅ；ＮＯ＾－３，Ｃｌ＾－，１／２ＳＯ＾２－４；ｎ＝０－６）并对配合物的组成及某些物理化学质进行了测试和表征。     

纳米SnO2和SnO2／SiO2材料的正电子湮没研究

采用溶胶一凝胶法制备了纯纳米ＳｎＯ２和掺杂ＳｉＯ２的纳米ＳｎＯ２材料，应用Ｘ射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段进行了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程，结果表明，所制备的纳米ＳｎＯ２和ＳｎＯ２／ＳｉＯ２材料中只存在两类缺陷，分别对短寿命τ１和中等寿命τ２，材料中两类缺陷的数量比与粒径有关，纳米ＳｎＯ２晶粒生长随热处理温度升高为分两个阶段，低于晶化临界温度时，晶粒生长缓慢，高于此温度时，则生长迅速     

Si基体上双层Ti—O薄膜的XPS和AES分析研究

采用沉积－离子轰击－沉积工艺制备了双层Ｔｉ－Ｏ薄膜，并利用ＸＰＳ和ＡＥＳ对膜层进行了深度分析。结果发现：在氩离子轰击后的薄膜上再沉积同质薄膜，在膜表层一定厚度内可得到具有化学配比的ＴｉＯ２薄膜；氩离子的轰击使钛太碳氧化物内迁入Ｓｉ基体，而Ｓｉ外迁到膜内，并造成多价形式的Ｔｉ氧化物共存，ＴｉＯ２在这些Ｔｉ氧化物中所占的比例随沉积膜深度呈现先逐渐减少而后又逐渐增大的分布规律；此外，氩离子的轰击使得薄膜     

乙酰二茂铁缩4－苯氨基硫脲与UO_2~（2＋）、Hg~（2＋）、Ni~（2＋）、Zn~（2＋）的希夫碱配合物的合成与表征

乙酰二茂铁缩４－苯氨基硫脲（Ｃ_（１９）Ｈ_（１９）Ｎ_３ＳＦｅ）与某些金属离子在无水乙醇中反应得到了希夫碱配合物Ｍ·Ｌ·Ｘ_２·ｎＨ_２Ｏ（Ｍ为ＵＯ_２~（２＋）、Ｈｇ~（２＋）、Ｎｉ~（２＋）、Ｚｎ~（２＋）；Ｌ为Ｃ_（１９）Ｈ_（１９）Ｎ_３ＳＦｅ；Ｘ为ＮＯ３－、Ｃｌ－、ＳＯ_４~（２－）；ｎ＝０—６），并对配合物的组成及某些物理化学性质进行了测试和表征。     

Si—SiO2及其在电离辐照下的等离激元

用ＸＰＳ分析技术对抗辐射加固与非加固的Ｓｉ－ＳｉＯ２进行了电离辐照前后Ｓｉ的一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１１６．９５ｅＶ）及ＳｉＯ２一级等离激元（定位于Ｂ．Ｅ．１２２．０ｅＶ）的研究。实验结果表明：存在一个由这两种等离激元组成的界面，在电离辐射的作用下，此界面区向ＳｉＯ２表面方向展宽，界面中心向ＳｉＯ２表面方向移动；两种Ｓｉ－ＳｉＯ２界面区中的ＳｉＯ２一级等离激元的浓度在正电场中辐照均随辐照剂量的增加而增加，而非加固样品中一级等离激元浓度在正电场中随辐照剂量的变化所产生的变动快于加固样品；在同一辐照剂量下加正电样品中等离激元浓度的变化远明显于不加电样品。     

低折射率SiO2光学增透薄膜的结构控制

以正硅酸乙酯（ＴＥＯＳ）为有机硅源,采用溶胶－凝胶技术,通过调节溶胶的ｐＨ和掺入有机添加剂,对ＳｉＯ２溶胶生长过程进行了结构裁剪,控制ＳｉＯ２纳米颗粒尺度,制备出低折射率（１．１５～１．１８）ＳｉＯ２光学增透薄膜,分别采用椭偏仪,分光光度计,扫描和透射榻镜等对所制备薄膜的结构,物性进行研究,研究结果表明,改变ＳｉＯ２溶胶ｐＨ可有效抑制颗粒生长,且保持原有微结构;掺入有机偶联添加剂能使颗粒迅速增大。     

聚四氟乙烯的CH4/O2混合气体等离子体表面亲水改性研究

利用ＣＨ４／Ｏ２混合气体等离子体对聚四氟乙烯（ＰＴＦＥ）进行表面改性,利用角发辨ＸＰＳ和接触角对改性效果进行表征。结果表明：ＣＨ４／Ｏ２混合气体等离子体处理,在一定条件下可较好地改善ＰＴＦＥ的表面亲水性。对等离子体处理机理进行了探讨,认为在处理过程中存在相互影响的聚合、刻蚀和氧化作用,而Ｏ２等离子体的刻蚀作用对ＰＴＦＥ的表面亲水改性起着不良的影响。     

EXTRACTION OF AMERICIUM AND LIGHT RARE EARTHS BY 2－ETHYL HEXYL PHOSPHONIC ACID 2－ETHYL HEXYL ESTER

ＥＸＴＲＡＣＴＩＯＮ　ＯＦ　ＡＭＥＲＩＣＩＵＭ　ＡＮＤ　ＬＩＧＨＴ　ＲＡＲＥ　ＥＡＲＴＨＳ　ＢＹ　２－ＥＴＨＹＬ　ＨＥＸＹＬ　ＰＨＯＳＰＨＯＮＩＣ　ＡＣＩＤ　２－ＥＴＨＹＬ　ＨＥＸＹＬ　ＥＳＴＥＲＺｈｕＹｏｎｇｊｕｎ（朱永）ａｎｄＪｉａｏＲｏｎｇｚｈ...     

FOXPRO数据库编程训练CAE系统的研制

本系统是针对当前ＲＤＢＭＳ编程训练计算机辅助教学的需要，在ＦＯＸＰＲＯ２．５ＦＯＲ ＤＯＳ的环境下开发的ＦＯＸＰＲＯ语言编程训练软件，主要目标是对编程者进行基本算法训练以及编程解题的思维训练。     

N^＋离子注入α—Al2O3的表面结构及摩擦性能

利用Ｘ射线衍射，光电子能谱，电镜，Ｒａｍａｎ光谱等现代测试手段分析了Ｎ＾＋注入α－Ａｌ２Ｏ３前后材料表面的相组成，原子组成及显微结构，对离子注入改性Ａｌ２Ｏ３表面的摩擦磨损行为进行了研究。同时，Ｎ＾稍许主Ａｌ２Ｏ３后产生的表面压应力使陶瓷表面裂纹变短，变细，变圆等，提高了陶瓷的磨损性能。     

掺杂Y2O3的铁锡复合氧化物的穆斯堡尔谱学研究

采用化学共沉淀法合成α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２和α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３的铁锡复合氧化物,应用Ｘ射线衍射和穆斯堡尔谱学等手段研究材料的微结构和微粒生长情况,实验结果表明,掺杂Ｙ２Ｏ３对晶粒生长有明显抑制作用,不同温度热处理可制得不同尺寸大小的纳米晶α－Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２－Ｙ２Ｏ３材料。     

二步法制备超低密度SiO2气凝胶

以正硅酸乙酯为原料，利用二步法制备低密度ＳｉＯ２凝胶。研究不同溶液酸比对凝胶化过程的影响。分析Ｃ２Ｈ５ＯＨ、（ＣＨ３）２ＣＯ和ＣＨ３ＣＮ为稀释溶剂形成凝胶的特点，结合ＣＯ２超临界干燥处理，制备出密度小于１０ｋｇ／ｍ＾３的超低密度ＳｉＯ２气凝胶，并与传统一步法制备的ＳｉＯ２气凝胶进行了结构比较。     

八氧化三铀的X射线光电子能谱研究

用Ｘ射线光电子能谱分析研究了八氧化三铀的表面结构以及一氧化碳对Ｕ３Ｏ８表面结构的影响，Ｕ３Ｏ８为混合价比合物，ＸＰＳ分析表明它符合Ｕ２＾ⅥＵｎ－２＾ⅥＯ２ｎ＋２模式。同时ＵＯ３的量减少了１６％，研究结果表明一氧化碳气氛对Ｕ３Ｏ８的表面有一定的还原作用。     

MOSSBAUER STUDY ON REDUCIBILITY OF SUPPORTED Eu_2O_3

ＭＯＳＳＢＡＵＥＲＳＴＵＤＹＯＮＲＥＤＵＣＩＢＩＬＩＴＹＯＦＳＵＰＰＯＲＴＥＤＥｕ_２Ｏ_３ＷｕＸｉａｏｈｕａ，ＨｓｉａＹｕａｎｆｕ，Ｈ．Ｍ．Ｗｉｄａｔａｌｌａｈ~１（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊ?..     

Al2O3化学气相沉积工艺研究

采用ＡｌＣｌ３Ｈ２ＣＯ２化学气相沉积（ＣＶＤ）系统，在不同ＣＶＤ工艺条件下，氧化铝被沉积在预涂层ＴｉＣ的３１６ＬＳＳ、石墨和钼基体上。氧化铝涂层经ＳＥＭＸｒａｙ和电子能谱分析表明：该涂层为正化学计量致密Ａｌ２Ｏ３。工艺研究表明：温度升高使Ａｌ２Ｏ３沉积速率迅速增加；ＡｌＣｌ３浓度达２％左右，沉积速率增加缓慢；ＣＯ２浓度小于１０％时，沉积速率迅速下降。     

硫对注入YSZ单晶的金属铂在退火过程中结晶的影响

秀卢瑟福背散射－沟道技术（ＲＢＳ－Ｃ）和Ｘ射线衍射技术（ＸＲＤ）研究了Ｐｔ和注入ＹＳＺ（Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２）后产生的损伤和退火过程中损伤的恢复及注入Ｐｔ的晶化，ＲＢＳ－Ｃ分析表明ＹＳＺ室温下的存在较强自退火效应，ＸＲＤ分析结果示出硫以铂的晶化产生很大影响。     

高能离子注入对聚酰亚胺薄膜硬度的影响

报道了聚酰亚胺薄膜在高能（６５０ｋｅＶ－２ＭｅＶ）Ｂ＾＋、Ｃ＾＋和Ｃｕ＾＋离子注入后硬度的变化。对注入样品进行了显微硬度测量和ＸＰＳ及ＲＢＳ分析，观察了硬度与离子种类、能量及注入剂量的依赖关系。结果表明，离子注入之后薄膜样品的显微硬度值明显提高，注入离子在样品中的电子能量损失对聚合物材料改性起着关键作用。ＸＰＳ和ＲＢＳ分析显示，离子注入之后聚酰亚胺薄膜中Ｃ的含量增加，形成了以苯环结构为主的新的交联