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本文综述了目前进行微粒子设计的几种主要方法 ,并对设计出的各种具有不同功能的超微粒子的应用作了介绍 相似文献
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电解法是制备金属粉末的一种重要方法,但其传统制备过程所得到的粉末颗粒较粗且容易团聚。综述了超声波的物理和化学效应,对其在电沉积技术中应用的机理作了较为全面的阐述,总结了这一领域的研究现状,并对发展前景作了展望。功率超声可有效解决电沉积中超细粉末在镀液中的分散问题,并抑制晶粒长大,因而超声波的引入为电沉积制备超细金属粉末提供了更有效的手段,对实现超细粉末的工业化生产有重要的促进作用。 相似文献
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结合薄膜涂布技术,在超声波的作用下,利用溶胶-熔盐复合工艺制备超细片状氧化铝。以硫酸铝钾和氯化钾混合溶液中的KAl (SO4)2·12H2O为铝源,KCl为熔盐,加入Na2CO3溶液,经超声处理,制成铝溶胶,并将溶胶涂布在水溶性树脂基底上。洗脱后的片状氢氧化铝经高温煅烧,成为厚度均一、表面光滑的超细片状氧化铝。研究熔盐比例,添加剂种类和含量,超声波处理时间对粉体形貌的影响。扫描电镜及X射线衍射分析结果表明:铝源与熔盐比例为1∶4,添加剂为TiO2及含量为2%,超声处理时间为30 min,1200℃高温煅烧条件下得到形貌规则,表面光滑,粒径在10μm以下,径厚比10左右的超细六角片状ɑ-氧化铝。 相似文献
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采用水流分级和高能纳米冲击磨对原始SiC粉料进行微纳米粉体加工。研究结果表明:水流分级得到纯度98.42%、中位粒径0.404μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.0321m2/g;高能冲击磨得到纯度95.5%、中位粒径0.257μm的SiC粉体,比表面积由0.8879m2/g提高到8.2773m2/g,SiC的粒径及比表面积达到半导体制造业用微纳米碳化硅粉体的技术标准。纯度分析表明碳化硅粉体的水流分级未引入杂质,化学成分基本不变;SiC粉体冲击磨加工纯度下降,其他杂质含量偏高。粉体形貌分析表明原始SiC粉料形貌为非球形,粒度分布不均匀,水流分级和冲击磨加工碳化硅粉体形貌为非球形,粒度分布较加工前更均匀。 相似文献