一类积分方程的近似解

对于一类带参数的积分方程，给出了用退化核逼近非退化核时的显式解，并分别给出了３种条件下的误差估计     

退化约束拓广的梯度投影法

文［１］给出了一个新的梯度投影型算法，用于求解带有线性约束条件的非线性规划问题。本文在文［１］的基础上，去掉非退化假设，给出了一个线性子规划程序，用于解决约束条件的退化问题，同时证明了算法的可行性和收敛性。     

一类拟线性退化椭圆型偏微分方程的正解

讨论了拟线性退化椭圆型偏微分方程的正解问题，给出了正解的存在性结果；同时还讨论了另一类拟线性退化椭圆型偏微分方程的正解存在性问题。     

重量为4k+2的相关免疫布尔函数的线性结构

本文分析了重量为4k 2的相关免疫布尔函数的线性结构，证明了这类函数的退化性和线性结构是等价的，给出了重量为4k 2的非退化的相关免疫布尔函数的精确计数。     

系统网络图核度与补核度性质的一个注记

文（１）给出了系统网络图的核度与补核度基本性质，并提出了系统核度的Ｎｏｒｄｈａｕｓ－Ｇａｄｄｕｍ问题的一个猜想。本文证实了该猜想的正确性，并给出了其最大度Δ的一个较好估计。     

重量为4乃+2的相关免疫布尔函数的线性结构

摘要：本文分析了重量为4而+2的相关免疫布尔函数的线性结构，证明了这类函数的退化性和 线性结构是等价的，给出了重量为4矗+2的非退化的相关免疫布尔函数的精确计数。     

重量为4乃+2的相关免疫布尔函数的线性结构

摘要：本文分析了重量为4而+2的相关免疫布尔函数的线性结构，证明了这类函数的退化性和 线性结构是等价的，给出了重量为4矗+2的非退化的相关免疫布尔函数的精确计数。     

基于核规范主元分析法的雷达目标识别

线性子空间法作为高分辨雷达目标识别方法的特征提取只是利用距离单元的二阶统计量，为了充分利用距离像的高阶统计量，给出了一种核规范主元分析的特征提取法，对雷达目标进行了识别．通过核主成分分析，核分辨分析与核规范主元分析3种方法的外场实测数据实验，表明本文给出的雷达目标识别方法具有良好的稳健性．     

多值逻辑的公理化

给出了一种新的多值逻辑系统，公理化所得到的ＧＭＬ３形式系统与二值逻辑有本质的区别，二值逻辑是它的一个退化。     

二阶曲面束分类简板

本文利用曲面束系数矩阵的秩及其中退化曲面的形式，给出了二阶曲面束的分类及其所对应的相贯线的形式。     

基于核的FPGA设计方法

随着集成电路制造技术迅速向亚微米发展，产生了系统级集成的新概念，为缩短系统级芯片的设计时间，重复利用已有的设计，核基设计方法被广泛采用。本文介绍了核的分类及核基ＦＰＧＡ的设计流程，讨论了软核的设计思路和使用特点，并给出了设计实例。     

一类具有散度头部的二阶退化抛物型方程解的渐近性态

本文研究了一类退化抛物型方程的初边值问题，并得到了该问题关于上、下解的一个积分估计，由此证明了解的存在唯一性，并对 渐近性态给出了很好地的结论。     

伏格尔法在退化性运输问题中的应用方法

通过实例分析提出了伏格尔法在求解退化性运输问题中存在的问题，给出了对伏格尔法的一种规范性描述，从而能够避免了问题的出现，并保证伏格尔法在应用中的精确度。     

非线性系统核函数的分析

较为系统地研究了非线性系统的核函数及其在外部干扰信号作用下受到的影响，提出了非线性系统固核函数以及非线性系统在外部干扰信号作用下产生的非固有核函数的辨识求解方法，并给出了一些十分有用的结果与结论。     

回归函数核估计的渐近正态性

给出了回归函数向量及相应的核估计微量的定义，并证明了在一定条件下核估计向量具有渐近正态性，从而推广了［１］中的Ｓｃｈｕｓｔｅｒ定理。     

一种新型核函数下的无单元法及应用

提出一种新的核函数形式，划分两种不同力学场，并给出相应的紧支距修正方法。最后将这种核函数同现有几种核函数进行比较，证明这一核函数比其他几种核函数有更好的近似效果。     

SoC及其IP核的设计与其在通信中的应用研究

提出现代集成电路技术中的SoC及其IP核的设计方法，在分析SoC的特点及其IP核的基本特征的基础上，给出了系统级设计软件、IP核开发流程和关键技术，并将其应用于NGN中综合业务接入系统的具有自主知识产权的集成电路设计中．     

计算元素电离能和电子亲合能新的经验公式

对于电子排由完全相同的等电子系列，考虑了核外电荷分布对屏蔽系数的影响，给出了总屏蔽系σ总与核电荷Ｚ及等电子系列原子和离子电荷Ｚε的关系式。     

MOS器件热电子退化的电子辐射实验研究

在分析热电子效应与辐射效应在MOSFET产生界面态关系的基础上,给出了采用普通电子直线加速器作辐射源来对MOS器件热电子退化效应进行研究的方法和采用该方法对1μm工艺N沟MOSFET进行热电子退化效应的研究结果,并对热电子退化与偏置的关系进行了讨论,得到了确定热电子退化寿命的快速而简便的方法。     

一类平面系统的单值奇点的特征

考虑平面上由两个齐次多项式的和所定义的微分系统，并且假设原点是这类微分系统的孤立退化奇点，给出了这类系统的奇点是单值的一个充分必要条件，它推广了文献[1]中的相应结论。