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1.
GaAs1×2Mach-Zehnder波导开关/调制器 总被引:2,自引:0,他引:2
文报道了GaAs1×2MZ波导开关/调制器的研究结果,并分析了该器件的工作原理.这种器件利用Y分支作为3dB耦合器,非对称X结作为干涉器.在波长1.15μm下测试,得到了串音比小于-16dB和开关电压19V的开关特性.预计该器件可广泛应用于GaAs1×。开关列阵及高速光调制等方面. 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献
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研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献
8.
介绍了以栅宽1.2mm GaAsFET器件为基础的两级GaAs功率单片集成电路的设计、制作及其性能,该两级单片集成电路在10 ̄11GHz频带内,输出功率1W,增益10dB。 相似文献
9.
S波段单片四位数控移相器 总被引:2,自引:0,他引:2
描述了S波段单片四位数字移相器的电路设计、工艺制作和性能。采用集总元件的高通/低通网络构成移相网络和GaAsMESFET作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的离子注入微波单片集成电路(MMIC)制造工艺,研制出S波段单片四位数字移相器。该移相器在设计工作频带内16个移相态具有移相精度高(均方根误差小于1°)、输入输出驻波好(<1.4)和较低的插入损耗(<5.5dB)与插损变化(均方根误差小于0.2dB)等优良的电特性。芯片尺寸为6.45mm×1.4mm×0.2mm。 相似文献
10.
宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关。芯片尺寸为0.97*1.23mm.在DC-10GHZ频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,并关时间小于1ns,在5GHZ下的功率处理能力大于20dBm。此开关具有极低的直流功率耗散。 相似文献
11.
Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。 相似文献
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128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像 总被引:2,自引:1,他引:2
研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×10^6V/W,截止波长为λ=8.6μm,根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db=2.37×10^6cm.Hz/W,并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。 相似文献
13.
对反射型GaAs光控微波开关的结构、实验系统和特性参量进行了研究。实验测出该微波开关的插入损耗低于1dB,隔离度达到30dB。用50ns光脉冲照射开关,其开关速度小于10ns。 相似文献
14.
设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
15.
158MHz GaAs声表面波固定延迟线的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了GaAs声表面波固定延迟线的设计方法和SAW器件金属剥离制造新工艺。研制出GaAsSAW延迟线,典型参数为:中心频率158MHz,插入损耗低于55dB,延迟时间1.5μs。 相似文献
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2~12GHz GaAs单片行波放大器 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了一个全平面超宽带GaAs单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个300μm栅宽的MESFET,整个电路拓扑结构简单,芯片面积为3.0mm×1.8mm。电路经优化设计后在2~12GHz范围内,小信号增益为5±1dB,输入输出电压驻波比≤1.75。上述频率范围内输出功率≥16dBm,噪声系数≤8dB。采用全离子注入、全平面工艺,均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。 相似文献
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介绍了一种带GaAs TTL电平驱动器及单刀双掷开关的设计,模拟和测试结果。驱动器的设计采用了开关输入稳压负载,建立了所用器件的大信号模型,对电路进行了模拟分析和优化,模拟和测试结果吻合较好,开关时间达到5ns,插入损耗小于1.0dB,隔离度大于60dB。 相似文献
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报道了一种源耦合反馈单片有源环行器的研究结果、该单片电路采用实测FET的S参数进行微波CAD优化设计,内部包含有3个300μm栅宽的FET,芯片面积1.7mm×1.9mm。采用GaAs的离子注入平面工艺,芯片电路具有良好的均匀性、一致性。在3.5~4.5GHz内,电路插入损耗约7.5dB,隔离度为21~26dB,驻波比基本小于2。 相似文献
20.
本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm 相似文献