注入光敏器件的探讨

对注入光敏器件进行了分析，所得结果与注入光敏器件理论和器件设计的期望目标是相反的，并对产生这种结果的原因进行了讨论。认为开路受光大ｐ－ｎ结并没有改善器件光电探测的灵敏度和探测率，其原因是开路ｐ－ｎ结“注入电流”被抽取的机理难以实现。     

能用于微弱光探测的硅光敏器件

讨论了光电二极管工作于零偏压模式,制作能探测微弱光的光电晶体管和达林顿光电晶体管,提高了第一级光电二极管的光暗电流比值和晶体管在小电流下的放大倍数 h_(FE)。     

注入光敏器件是一种新型的光电探测器

注入光敏器件的理论是建立在公认的ｐｎ结光伏公式基础上的，有着可靠根据。严格的理论分析和实验证明抽取受光结的注入电流是可行的。注入光敏三极管与普通光敏三极管比较中可以看出它们之间有许多不同之处并显示出注入光敏器件的优良性能。     

注入光敏器件工作原理的模拟与分析

通过数值求解双极半导体器件的基本方程，研究了载流子在注入光敏器件内部的运动，得到了器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件的工作原理。     

四论注入光敏器件的物理基础

叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。本文还分析了文献（１￣５，１０）中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。     

对"四论注入光敏器件的物理基础"一文的商榷

利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。     

注入光器件工作原理的模拟与分析

通过数值求解双极半导体器件的基本方程,研究了载流子在注入光敏器件内部的运动,得到器件内部载流子的运动图像。在此基础上阐明了该种器件工作原理。     

注入光敏器件与MOS场效应结构比较

通过理论分析和实验证明了注入光敏器件并不是一种ＭＯＳ效应结构，对文献「９」中得出的不同的结论和所讨论的问题阐述了自己的见解。