ADI推出iCMOS模拟IC顿起波澜

美国模拟器件公司发布了一种创新的半导体制造工艺,它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS和互补双极型工艺相结合,并将该工艺命名为iCMOS(工业CMOS)。iCMOS使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面均得到极大提升。与采用传统CM0S制造工艺不同,采用iCMOS制造工艺的模拟IC能承受高达30V电源电压,     

要闻

美国模拟器件公司(Analog Devices,ADI)近日发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS(工业CMOS),它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合,使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了更高水平。与采用传统CMOS制造工艺不同,据称按照这种iCMOS工业制造工艺制造的模拟IC能承受高达30 V电源电压,同时能提供ADI发布高电压工业应用新工艺模拟IC更高性能,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。ADI公司介绍说,以前能够承受30V电压的制造工艺…     

iCMOS新工艺为精密模拟部件增加可靠性

美国模拟器件公司（ADI）最近发布了一种创新的半导体制造工艺iCMOS，它将高电压凌晨导体工艺与亚微米CMOS和BiCMOS工艺相结合，使客户可以在采用亚微米尺寸工艺的器件上施加高达30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压高达50V，作为一种亚微米工艺，iCMOS工艺允许现代数字逻辑电路与高电压模拟电路集成在一起，因此与以前的高压器件相比，     

面向工业应用的高电压模拟IC的芯片制造工艺

Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85％),外壳封装尺寸也缩小了30％。这种被称为“工业CMOS(iCMOS)”的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,     

ADI推出iCMOS制造工艺

日前一种全新的0.6μm iCMOS工艺为工业领域的IC电路设计提供了又一可选方案，它将高压半导体工艺与亚微米CMOS、互补双极性工艺结合，可以承受30V电压，可选的漏极扩展允许工作电压为50V。iCMOS工艺的主要特点是能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这意味着通过对同一芯片施加多种电源电压，一颗单芯片能实现5V电压CMOS电路和16V、24V或30V高电压的CMOS电路混合和匹配。     

ADI公司发布创新的iCMOS 圃旃ひ

ADI日前发布了一种创新的半导体制造工艺—iCMOS^TM(工业CMOS)，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

ADI公司发布创新的制造工艺并且推出一批适合工业应用的高电压模拟IC

ADI公司日前发布了一种创新的半导体制造工艺，它将高电压半导体工艺与亚微米CMOS(互补金属氧化物半导体)和互补双极型工艺相结合，从而证实了ADI公司对工业和仪表电子行业的贡献。ADI公司为iCMOS^TM(工业CMOS)工业制造工艺投入了最大的研发力量，它使诸如工企自动化和过程控制等高电压应用在性能、设计和节省成本方面达到了空前的水平。     

ADI工业模拟产品性能获突破

当今最先进的集成电路(IC)制造工艺正在重新开拓工业市场。迄今为止,在电噪声环境中高电压工作的数据转换器、放大器、开关、多路复用器和其它器件一直沿着减小制造工艺尺寸的发展路线不懈地努力。ADI公司的iCMOS工艺在技术进步道路上迈出了可喜的一步,按照这种iCMOS工艺制造生产的模拟IC能承受高达30V的电源电压,同时能提供突破的集成度,降低系统设计成本,而且降低85%的功耗和减小30%的封装尺寸。iCMOS的关键是增加栅极氧化层厚度的制造工艺的开发,它能使单元电路与底层之间或单元电路与单元电路之间完全隔离。这就意味着通过对同…     

iCMOS——工业电子产业的新突破

ADI公司在慕尼黑近期举办的E1ectronica展览会上宣布的iCMOS模块化工艺，引起了人们的重视。它标志着模拟技术在整个微电子技术中的作用越来越大，影响也越来越大。过去，数字式电路（包括存储器，CPU，MCU，以及逻辑电路）一直是推动集成电路工艺加工技术发展进步的主要动力；模拟电路的制造一般比最先进的工艺要落后一两代。而iCMOS模块化工艺则是将主流的亚微米加工工艺和模拟集成电路所特别需要的加工工艺融合在一起了。这是半导体产业界的工艺与器件研究开发人员经过多年努力获得的成果。除了ADI公司以外，其它的一些IDM公司，以及代工企业在这个方面也已经获得成果。除了在工业电子方面连接传感器，驱动执行装置以外；在照明工程，光电技术产品，以及能量变换等方面也有广泛应用。例如，位于奥地利维也纳的Austriamicrosystems公司，既自主开发自有的产品，也作为代工厂为其它设计公司加工集成电路。它所掌握的H35工艺，是以350nm标准的CMOS工艺技术为基础，开发成功的高压BiCMOS工艺，可以涵盖20和50VMOS器件，双极型器件，和高精度电阻和电容。并且计划将高压器件扩展到120V。值得设计公司注意的是它接受大学，研究所和工厂的委托加工。并且开展MPW加工，我国也有大学委托加工所设计的芯片。据了解，它的H35工艺已经经过汽车电子的可靠性鉴定。能够具有类似指标产品的其它公司还有：位于加拿大，魁白克的Goal Semiconductor公司，它所生产的HVDAC200，是一件9-位DAC。电压可达200V。可以提供电压达到40V以上的模拟集成电路的公司有；位于美国阿利桑拿州Tucson的Apex Microtechnology公司；以及松下移动通信公司；National Semiconductor公司等。这一动向值得我们关注。     

技术动态

德州仪器发布45纳米半导体制造工艺德州仪器(TI)发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,使性能提高30％,并同时降低 40％的功耗。     

ADI公司推出多通道数据转换器

美国模拟器件公司（ADI）日前推出8款多通道单片数模转换器（DAC）．它在单芯片内集成了最密集的模拟信号处理性能以解决要求小尺寸和高精度的工业和仪器仪表应用中的难题。这些新的DAC是采用ADI公司拥有专利权的iCMOS工艺开发的．从而扩展了ADI公司的denseDACTM系列高密度数模转换器，     

离子注入工艺简介

在过去的三十多年中，CMOS工艺的发展极大地推动了离子注入工艺的发展。反言之，离子注入工艺的不断成熟进一步改善了半导体产品的质量，尤其是CMOS产品的性能，当线宽进入亚微米后，离子注入在整个半导体生产中更成了不可或缺的一部分。     

电子封装研究综述——从工业生产角度剖析电子封装技术的动向及未来…

以半导体工业学会为半导体工业制定的标准作为依据，描述了当前集成电路封装研究的现状。涉及到以下关键范围：设计、分析和模拟、降低供电电压，强化散热、区域阵列互连，芯片筛选，低成本高密度基极以及小型化的单片封装，除了以上这些范围，着重研究了设计，制造以及可靠性分析中有关的问题。     

ADI推出多款多信道数据转换器

美国模拟器件公司(ADI)早些时候推出8款多信道单片数模转换器(DAC),它在单芯片内集成了最密集的模拟信号处理性能以解决要求小尺寸和高精度的工业和仪器仪表应用中的难题。这些新的DAC是采用ADI公司拥有专利权的iCMOS工艺开发的,从而扩展了ADI公司的denseDACTM系列高密度数模转换器,在小型(9mm×9mm)封装内多达40个信道、高精度以及±10V的输出电压范围。上述产品具有新的片内设置功能,例如校准寄存器(以便补偿信号误差)和自动待机,保证了在恶劣的高电压工业环境下系统的可靠性,同时简化了印制电路板(PCB)布线。这些器件满足了…     

ST推出世界最小的高集成度8通道超声波脉冲发生器

正意法半导体推出的STHV800 8通道超声波发生器将会降低超声波影像机的成本和尺寸。意法半导体独有的SOI-BCD6制造工艺可在同一颗芯片上集成低压CMOS逻辑电路、精确模拟电路和稳健的功率级,实现前所未有的集成度。这款单片高压高速脉冲发生器具有8条独立通道,每条通道都集成控制器逻辑     

基于90 nm工艺节点的MOSFET版图失配研究

研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用.通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管阵列,并将其作为研究对象进行了分析.通过分析金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)阈值电压VTH和DAC输出电压Vout的实测数据,对CMOS模拟集成电路的最优版图设计方案进行了探讨.最后,利用本研究结果设计了一款90 nm工艺的低功耗CMOS运算放大器,相比传统版图结构,该放大器的工艺波动抑制能力提高了5.87％.     

低成本CMOS图像传感器推动医学技术向前发展

医学技术一直是CCD（电荷耦合设备）图像传感器的重要应用领域之一。现在，CMOS传感器已进入高速发展时期。究其原因，首先，CMOS图像质量可与CCS图像相媲美。其次，利用标准半导体制造工艺，CMOS传感器在价格方面占据很大优势。第三，CMOS传感器在电路集成方面的无限潜力可以减少输入输出接口数量。     

一种新型的高性能CMOS电流比较器电路

分析了目前几种高性能连续时间CMOS电流比较器的优缺点,提出了一种新型CMOS电流比较器电路．它包含一组具有负反馈电阻的CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS反相器．由于CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗,从而使电压的变化幅度减小,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度．电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗．利用1.2μm CMOS工艺HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的CMOS电流比较器的水平,而功耗则低于这些比较器,具有最大的速度/功耗比．此外,该CMOS电流比较器结构简单,性能受工艺偏差的影响小,适合应用于高速/低功耗电流型集成电路中．     

一种新型的高性能CMOS电流比较器电路

分析了目前几种高性能连续时间 CMOS电流比较器的优缺点 ,提出了一种新型 CMOS电流比较器电路 .它包含一组具有负反馈电阻的 CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组 CMOS反相器 .由于 CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗 ,从而使电压的变化幅度减小 ,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度 .电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗 .利用 1.2 μm CMOS工艺 HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟 ,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的 CMOS电流比较器的水平 ,而功耗则低于这些比较器 ,具有最大的速     

基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究

延伸漏极N型MOS（EDNMOS）是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medicici对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2．5倍,样管在5V栅压下输出的电流可达到750mA。作为开关管工作,对于1000pF容性负载,其工作电流在550mA时,工作频率可达500KHz。