直接积分方程求静电场问题中参考点的选择

文中给出格林函数基本解的一般式，从而使计算中参考．人的选择具有任意性，为分析和比较计算结果带来方便，使直接积分法的应用更为灵活。另外，对静电独立系统，当参考点选在匹配点上时，将出现亚定方程问题。文章在此将电荷守恒定律作为必要条件引入，使得方程具有唯一确定的解。     

静电场对压电薄膜中声表面波传播的影响

该文介绍了声表面波(SAW)在压电薄膜中传播时静电场的影响机理。首先给出了静电场作用下压电薄膜中的初始应力和初始电位移,然后通过求解含有初始应力和初始电位移的压电介质耦合波动方程,得到SAW在静电场影响下的相速度变化和频散曲线,最后仿真分析了ZnO和AlN两种压电薄膜材料中SAW的传播特性。结果表明,SAW的相速度与静电场成正比,与波数成反比。     

静电场对向列相液晶的影响

用统计物理的方法讨论了外加静电场对向列相液晶的影响。结果表明，电场诱导的向列相取向序参量、双折射和向列相—各向同性相的相变温度的改变是场强的偶函数，在电场较弱时与场强平方成正比。     

前置螺旋桨安放位置对机翼气动特性的影响研究

利用UG对机翼和不同安放位置的螺旋桨进行三维建模,通过ICEM前处理软件生成更高质量的仿真网格,运用Fluent仿真软件,采用MRF方法,使用S-A湍流模型对螺旋桨安放不同位置下机翼气动特性的影响进行对比和研究。结果表明,螺旋桨的存在改变了机翼表面的压力分布,会对升阻力、零攻角力矩有一定影响,这种影响随攻角增大而变得显著,最后获得合适的螺旋桨安放位置及相应安放位置下的机翼气动特性。     

静电场对强激光场中氢原子产生高次谐波的影响

利用分裂算符方法数值求解了真实氢原子在强激光场和静电场作用下的含时薛定谔方程,研究了静电场对强激光场中氢原子产生高次谐波的影响.研究表明,静电场加入后,奇次谐波的强度有所降低,并且谐波谱中出现偶次谐波和双平台结构.利用小波变换,观察了高次谐波在不同时刻的发射情况.借助于半经典理论,解释了在静电场作用下高次谐波发生变化的机制.     

几种常见介质对NdFeB磁体的腐蚀研究

采用失重法,分别在空气、自来水、氯化钠溶液、硫酸溶液及氢氧化钠溶液等几种常见介质中,对NdFeB磁体不同温度下的腐蚀情况进行了研究。结果表明:在同种介质中,NdFeB磁体的腐蚀速率随温度的升高而加快;pH值较小时,腐蚀严重;而当溶液的pH值增加时,样品的腐蚀速率减缓;当pH>10时,样品的质量基本不减少;pH>12,θ>25℃时,样品表面会形成碱式化合物,总质量增加,样品几乎不再受到腐蚀。     

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌的影响

碱性腐蚀工艺条件对硅片表面腐蚀形貌如粗糙度、显微镜下的表面状况的影响做了研究,通过实验结果给出了特定要求条件下硅片腐蚀的最佳方案.运用硅的化学腐蚀机理分析了表面腐蚀状况的原因.     

KOH各向异性腐蚀中预处理对硅表面粗糙度的影响

通过实验研究表明:不同预处理方法对KOH腐蚀后硅片表面粗糙度的影响不同,分别用35℃的BOE(7:1氟化铵腐蚀液)、常温BOE、10:1 HF、50:1 HF含HF成分的腐蚀液对硅片进行预处理,再和未做预处理的硅片在同等条件下进行KOH腐蚀,实验结果发现预处理后硅片表面粗糙度比未做处理的硅片表面粗糙度增加约1 nm左右,即经过含HF成分的腐蚀液预处理后的硅片再进行KOH腐蚀,其表面粗糙度将变差.     

缓蚀剂对提高腐蚀箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,在扩孔液中分别加入乙酸、丙酸和乙二酸作为缓蚀剂,结合SEM分析对缓蚀剂在腐蚀扩孔中的缓蚀机理进行了探讨,研究了直流电侵蚀时缓蚀剂对腐蚀箔比容的影响。结果表明:缓蚀剂的引入提高了腐蚀箔比容,当乙酸、丙酸和乙二酸三种缓蚀剂的质量浓度ρ增加到0.5g/L时,所制腐蚀箔比容达到最大值,分别为1.10×10~(–6),1.07×10~(–6)和1.12×10~(–6)F/cm~2。乙二酸的缓蚀效果最好,可使腐蚀箔的比容提高25%以上。     

腐蚀工艺条件对InP晶片表面状况的影响

对InP晶片的化学腐蚀特性进行了分析,研究了酸性腐蚀液(盐酸系列腐蚀液)的配比、腐蚀液温度等工艺条件对InP晶片腐蚀速率、表面腐蚀形貌和化学腐蚀片表面粗糙度的影响。研究结果表明,腐蚀液温度为室温时,改变腐蚀液配比,InP晶片的腐蚀速率变化不明显,而当腐蚀液温度发生变化时则腐蚀速率、晶片表面腐蚀形貌(显微镜下的表面状况)和化学腐蚀后晶片的表面粗糙度均有较大变化,当腐蚀液温度控制在一定范围时,晶片表面光洁,显微镜下观察到的腐蚀图形均匀一致。研究结果对确定InP晶体加工过程中的化学腐蚀工艺有一定的指导意义。     

用虚位移法计算静电场中电介质的受力

本文给出了用虚位移法计算静电场中电介质受力与用虚位移法计算静电场中导体受力的关系,从而说明了静电场中电介质受力的本质.阐明了静电场中电介质受力的计算可直接应用静电场中导体受力公式的原因,给出了计算介质受力时可以运用计算导体受力公式的条件,并给出了具体的例子进行说明.     

基于目标静电场的水中兵器制导方法研究

如何在敌方目标的电场等效模型和所在海域深度未知的情况下,获得目标的速度和位置信息是当前水中兵器制导技术的一个难题.根据目标静电场的基本特性,提出了一种在目标静电场模型未知条件下求解运动目标速度和方向的方法.通过分析模型未知的目标的混合电偶极子电场分布,发现任意目标对称面上电场法向值为零,因此可以通过寻找此平面来实现对模型未知目标的制导.1:100的船模实验表明,此方法能够较为精确的确定未知模型目标的运动速度和方向,即使引入地形误差,精度也可达到97%以上,能够满足水中兵器制导的要求.     

待定系数法计算场致发射体阴极表面场强和发射电流密度

在计算场致发射体阴极发射电流时 ,影响发射电流的主要因素是阴极表面的电场强度。由于发射电流密度的大小和阴极表面场强呈指数关系 ,阴极表面场强很小的变化将引起发射电流的剧烈变化 ,所以提高阴极表面场强的计算精度是至关重要的。本文提出了一种计算阴极表面场强的新方法——待定系数法 ,并用该方法计算了一个二极管场致发射体的阴极表面电场强度和电流密度。     

Kerr介质中受激三能级原子的场熵演化特性

本文研究了在Kerr介质中单模相干场与“Λ”型三能级原子相互作用的场熵演化规律，讨论了Kerr介质及初始场的平均光子数（初始场强）对场熵演化的影响。研究结果表明：初始场的平均光子数－↑n影响了场熵演化的周期性，在初始场强－↑n不太大（约－↑n＜40）的情况下，随着－↑n的增加，场熵演化曲线的均值不断增大，光场与原子的关联程度增强；而在强场条件下（约－↑n＞40），初始场强－↑n的增加将导致光场与原子的关联程度逐渐减弱直至脱耦。Kerr介质强度系数μ同样影响着场熵演化的周期性，随着μ的增大，场熵演化曲线的Rabi振荡频率明显变快，而其最大值却不断减小，这表明：场熵敏感于Kerr介质的非线性相互作用，非线性Kerr介质的存在会削弱场与原子的相互作用。     

类Kerr介质对光场量子相干特性的影响

本文研究了高Q腔中类Kerr介质和二能级原平同时与单模相干光场耦合作用时，类Kerr介质对光场量子相干特性的影响。结果表明：场态的演化依赖于类Kerr介质与光场的耦合强度，在一定时间场态演化呈现准可逆性。耦合强度愈大，相干态周期性再现愈显著。     

Kerr介质中双原子与光场相互作用的场熵演化

利用全量子化理论，研究了Kerr介质中耦合二能级双原子与单模光场相互作用的场熵演化规律。结果表明：Kerr介质和原子间的相互作用都影响着场熵演化的周期性，并使光场与原子的关联程度减弱；初始场强n^-同样影响着场熵演化的周期性，且随着初始场强n^-的增加，光场与原子的关联程度先增强后减弱。     

电场极化条件对石英玻璃的电致二阶非线性光学效应的影响

报道了电场极化条件对石英玻璃的电致二阶非线性光学效应的影响的研究结果。通过实验发现，石英玻璃经较高温度下的电场极化作用所产生的二次谐波发生与极化温度、极化电压具有相关性，并表现出一定的规律性：在一定的极化电压下，二次谐波强度在某一适中的温度下达到极值；在一定的极化温度下，二次谐波强度随极化电压的增大而逐渐增强，并渐趋饱和。根据玻璃的电致二阶非线性极化的“偶极子取向”模型，解释了实验结果。     

外加直流电场对光折变晶体中双波混频增益系数的提升作用

大多数氧化物光折变晶体研究都没有考虑外加直流 电场的影响。通过Kukhtarev 材料方程得出施加直流电场时光折变晶体双波混频空间电荷场的材料方程,对比研究无外加 电场和施加电场的情况下,归一化空间电荷场随归一化输入光强、归一化扩散场、中性施主 与受主陷阱浓度比以及归一化外加直流电场的变化趋势;分析外加直流电场对增益系数的提 升作用及其影响因素。结果表明:归一化扩散场较低时,施加直流电场可显著提升空间电荷 场,有外加直流电场的空间电荷场明显高于无外加直流电场的空间电荷场。但是在归一化扩 散场较高时,这种现象则不明显,此时空间电荷场受施加直流电场的影响较小;另外,当施 加直流电场时,增益系数增加更多,并且在20－27 dBm/cm²的最佳 光强范围内达到饱和值。同 时,最佳入射光强对应的峰值 增益随着外加直流电场的增加而增大。所得结果可为光折变晶 体双波混频的实际应用提供理论指导。     

机载激光探测水下目标中磁场对偏振激光的影响

采用偏振激光代替原来的激光脉冲进行水下目标探测,不但可以压缩回波信号的动态范围,减少水面回波的影响,同时不增加新的信息可探测性。本文研究地磁场和目标磁场对偏振激光的影响,并试图从中获得识别目标的参数。