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碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件因其卓越的材料性能,表现出巨大的应用前景,其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)是最重要的器件。3 300 V SiC MOSFET可应用于轨道交通和智能电网等大功率领域,能显著提高效率,降低装置体积。在这些应用领域中,对功率器件的可靠性要求很高,为此,针对自主研制的3 300 V SiC MOSFET开展栅氧可靠性研究。首先,按照常规的评估技术对其进行了高温栅偏HTGB(high temperature gate bias)试验;其次,针对高压SiC MOSFET的特点进行了漏源反偏时栅氧电热应力的研究。试验结果表明,在高压SiC MOSFET中,漏源反偏时栅氧的电热应力较大,在设计及使用时应尤为注意。 相似文献
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由于碳化硅器件的耐流限制,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在大功率应用领域通常需并联连接。然而,碳化硅MOSFET开关速度快,使之相比于硅基MOSFET和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)对寄生参数更加敏感,在并联连接时尤其是动态过程中实现均流也成为更大的挑战。器件并联工作中,由于不均流造成的高电流过冲和高损耗可能造成器件损坏。此处介绍了一种自建器件模型,并基于该模型进行器件并联的仿真。互感在电路分析中,通常会被忽略,通过实验和仿真的对比,论证了互感会对均流效果产生重要影响。 相似文献
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长期以来,栅极老化一直是SiC MOSFET器件可靠性研究的关键,而偏置温度不稳定性则是栅极老化的重要现象。由于栅极老化的偏置温度不稳定性存在应力撤出后的恢复现象,如能在可靠性实验中快速、准确地监测SiC MOSFET器件的栅极老化变化量,对可靠性研究具有重要意义。因此,文中提出一种新的栅极老化监测方法。该方法以体效应下的阈值电压VTH(body)为基础,建立理论模型来描述VTH(body)和栅极老化之间的关系。提出在栅极电压开关过程中从体二极管电压–栅极电压曲线中得到VTH(body)的方法,并详细研究实验参数对VTH(body)的影响。此外,通过高温栅偏实验对VTH(body)的实用价值进行验证,并与栅极老化参数阈值电压VTH进行对比。实验结果证明,提出的新型栅极老化监测方法可以实现栅极老化的快速、准确及非恒温环境监测。 相似文献
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受内部寄生参数与结电容的影响,碳化硅(SiC)功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡,严重影响了SiC基变换器的运行可靠性。因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关系;然后提出一种变栅极电流的新型有源驱动电路;通过对SiC MOSFET开关瞬态的漏极电流变化率d Id/dt、漏-源极电压变换率d Vds/dt以及栅极电压Vgs的直接检测与反馈,在开关过程的电流和电压上升阶段对栅极电流进行主动调节,抑制电流电压过冲与振荡;最后在多个工况下对本文所提方案进行实验验证。结果表明,与常规驱动方案相比,该文方法减小了30%~50%的电流电压过冲,有效抑制振荡与电磁干扰,提高了SiC MOSFET变换器的运行可靠性。 相似文献
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提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学,对IGBT电气特征量——集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析,查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上,通过将理论分析与解析描述相结合,建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。 相似文献
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Kailath B.J. DasGupta A. DasGupta N. 《Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on》2007,7(4):602-610
In this paper, electrical and reliability properties of ultrathin silicon dioxide, grown by immersing silicon in nitric acid solution have been studied. It is observed that the temperature, oxidation time, and concentration of the nitric acid solution play important roles in determining the thickness as well as the quality of the oxide. Prolonged exposure to nitric acid degrades the quality of the oxide. However, it was found necessary to reduce the oxidation temperature and the concentration of nitric acid to grow oxide of thickness 2 nm. In these conditions, the leakage current and fixed oxide charge in the chemical oxide were found to be too high. However, when this chemical oxidation was followed by anodic oxidation using ac bias, the electrical and reliability characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) devices showed tremendous improvement. A MOSFETs with gate oxide grown by this technique have demonstrated low subthreshold slope, high transconductance and channel mobility. It is thus proposed that chemical oxidation followed by ac anodization can be a viable alternative low-temperature technique to grow thin oxides for MOS application. 相似文献
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由于碳化硅(SiC)的材料特性,在极端温度下,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)相对传统硅基器件有突出优势。目前对SiC MOSFET暂态温度特性的研究,主要以单管小电流实验为主,大电流下暂态温度特性的研究还不充分。为分析和验证大电流下暂态温度这一特性,在理论分析的基础上,以CREE 1200 V/300 A半桥SiC MOSFET模块为研究对象,通过双脉冲测试平台研究SiC MOSFET模块及其驱动电路在不同温度环境下的暂态性能。对比分析了不同温度下开关时间、开关损耗、电应力及电流、电压过冲的差异,实验结果对SiC MOSFET模块在大电流下的选型和驱动设计具有一定的参考意义。 相似文献
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Cester A. Gerardin S. Tazzoli A. Meneghesso G. 《Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on》2006,6(1):87-94
The effects of destructive and nondestructive electrostatic discharge (ESD) events applied either to the gate or drain terminal of MOSFETs with ultrathin gate oxide, emulating the occurrence of an ESD event at the input or output IC pins, respectively, were investigated. The authors studied how ESD may affect MOSFET reliability in terms of time-to-breakdown (TTBD) of the gate oxide and degradation of the transistor electrical characteristics under subsequent electrical stresses. The main results of this paper demonstrate that ESD stresses may modify the MOSFET current driving capability immediately after stress and during subsequent accelerated stresses but do not affect the TTBD distributions. The damage introduced by ESD in MOSFETs increases when the gate oxide thickness is reduced. 相似文献
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变换器在运行过程中频繁和大范围地随机出力变化,会导致IGBT模块内部结温剧烈波动,使器件持续承受交变的热应力冲击,严重影响器件的可靠性。提出一种通过调节驱动电压实现功率器件结温平滑跟踪和自适应管控的策略。首先,基于简化的IGBT损耗分析模型,阐述了驱动电压大小对IGBT损耗的影响。然后,根据结温变化趋势的大小自动调节驱动电压,在不影响变流器输出性能的同时最大程度抑制结温波动,改善器件周期热应力,提高器件运行可靠性和寿命。最后,通过一种新型应力测试电路的结温跟踪管控实验平台进行实验测试,证明了该结温跟踪管控策略具有可行性和有效性。 相似文献
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IGBT模块直接串联电压均衡驱动控制技术 总被引:1,自引:0,他引:1
高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块直接串联技术是实现柔性直流输电、高压直流断路器等高压大功率控制设备的一个重要基础,其中最难解决的是串联IGBT模块之间的电压均衡问题。文中分析了电压不平衡的机制,得出了实现电压均衡的关键在于解决断态电压不平衡和关断电压不平衡问题,门极侧均衡控制方法是较好的解决手段。对基于有源电压控制技术的驱动设计和基于延时补偿的控制策略进行了探讨,并分别采用在有源区对关断波形进行跟随控制和补偿IGBT器件间关断延时的方法,有效实现了串联器件的电压均衡。最后,通过6只3 300V/1 200AIGBT模块直接串联的阀段脉冲和基于该阀段的三相换流阀运行测试,对这两种方法进行了验证,所述方法获得了较好的电压均衡效果。 相似文献
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大功率电力电子装置等效试验方法及其在电力系统中的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
大功率电力电子装置核心组件试验的目的是验证其符合设计准则,并确保大功率电力电子装置在正常及故障条件下都能完成预定的工作目标而不至于损坏或影响到所接入的电力系统。随着电力电子装置在电力系统中的广泛应用,大功率电力电子组件的试验技术已成为电力电子技术发展和工程应用极其重要的组成部分。电力电子装置容量的日益提高使得很难直接在电力系统中进行试验,等效试验成为必然的选择。由于其自身的高度复杂性,大功率电力电子组件等效试验方法的研究通常比传统电力设备更复杂、难度更大。大功率电力电子组件试验等效分析的目的是:首先从机理上保证在一定的试验条件约束下,试验方法及试验装置产生的电流、电压、机械和热应力等应与被试电力电子装置在实际运行中所遇到的各种工况具有等价效果;其次是利用必要的试验条件对试品耐受能力作出合理的评价。文章重点对大功率电力电子装置的等效试验机理、等效试验方法和技术应用进行了全面研究,相关研究成果已成功地推动了灵活交流输电技术和高压直流输电技术的工程化进程,为电力系统电力电子技术在中国电网成功应用奠定了重要的理论基础和实验平台。 相似文献
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针对高压状态下泄漏电流影响标准电流互感器、无法准确地检测高压计量设备的问题,研制了一套零泄漏电流高压电能标准装置。解决了泄漏电流影响标准电流互感器准确测量问题,填补了电能标准装置泄漏电流消除领域技术空白。阐述了泄漏电流产生的原理并分析了其对电流互感器的误差影响,提出了基于互感器校验仪的泄漏电流测量方法,可实现电流互感器屏蔽和绝缘水平精准评估。实验证明所研制的零泄漏电流高压电能标准装置能消除泄漏电流,实现在模拟运行工况下对高压电能计量设备的误差检测。 相似文献
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Keun‐Seon Ahn Jae‐Woo Park Changsik Yoo 《International Journal of Circuit Theory and Applications》2015,43(6):822-828
A 5.25‐V‐tolerant bidirectional I/O circuit has been developed in a 28‐nm standard complementary metal‐oxide‐semiconductor (CMOS) process with only 0.9 and 1.8 V transistors. The transistors of the I/O circuit are protected from over‐voltage stress by cascode transistors whose gate bias level is adaptively controlled according to the voltage level of the I/O pad. The n‐well bias level of the p‐type metal‐oxide‐semiconductor transistors of the I/O circuit is also adapted to the voltage level of the I/O pad to prevent any junction leakage. The 5.25‐V‐tolerant bidirectional I/O circuit occupies 40 µm × 170 µm of silicon area. Copyright © 2014 John Wiley & Sons, Ltd. 相似文献