瞬态闭锁试验在0.13μm大规模集成电路中引起的潜在损伤

瞬态剂量率辐射试验会引起集成电路发生损伤或失效,其原因至少有两种:闭锁大电流引起的电路内部金属互连熔融;累积电离总剂量引起的氧化层电荷造成阈值电压偏移。本文以一种0.13μm体硅CMOS处理器为对象,研究了瞬态剂量率和稳态电离总剂量辐射效应规律。结果表明:瞬态剂量率闭锁效应对处理器造成了显著的潜在损伤,导致其总剂量失效阈值从1 030 Gy(Si)降低至600 Gy(Si)。研究结论对于大规模集成电路的可靠性评估和指导辐射加固设计有重要参考意义。     

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。     

甲硝唑氨酸对X线引起V_(79)细胞潜在致死损伤后修复作用的影响

本文报道了6—12GyX线照射引起坪台期V_(79)细胞潜在致死损伤(PLD),经保温2—6h后可以得到修复。细胞存活率比可提高到1.5—2.0。这表明有潜在致死损伤修复(PLDR)作用。当受照细胞经无毒浓度(≤2mmol/L)甲硝唑氨酸(CM)作用后,存活率随CM浓度增加而下降,这是由于CM抑制了细胞PLDR作用。经6—12GyX线照射加CM作用后的细胞PLD的修复抑制因子(RIF)在1.3—46.3之间。以照射12Gy和CM作用6h的RIF值为最大。使用0.5、1.0及2.0mmol/LCM时,其RIF值分别为14.03、28.16和46.30。RIF值亦随照射剂量的加大、CM作用时间的延长及其浓度的增加而增高。这可能由于CM对X线引起细胞PLD的固定而阻断其修复作用。本文亦对CM抑制细胞PLDR作用的分子机制进行了讨论。     

快重离子在聚合物潜径迹中引起的损伤效应研究

在室温和真空环境下利用不同的快重离子(1.158GeV Fe56、1.755GeV Xe136及2.636GeV U238)对多层堆叠的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸脂(PC)和聚酰亚胺(PI)进行了辐照,结合X射线衍射(XRD)、傅立叶红外光谱(FTIR)及紫外可见光谱测量技术,在较宽的电子能损(1.9-19.0 keV·nm-1)和注量范围(1×1010-6×1012 cm-2)研究了离子在不同聚合物潜径迹中引起的损伤过程,观测到了主要官能团的降解、炔基生成、非晶化及紫外吸收边缘的红移等现象随辐照注量及电子能损的变化趋势.通过对损伤过程的定量分析,应用径迹饱和模型假设,分别给出了Fe、Xe和U离子在不同电子能损下辐照PC时的平均非晶化径迹半径和炔基形成半径,并用热峰模型对实验结果进行了检验.     

低速高电荷态重离子在GaN单晶中引起的辐照损伤研究

利用Rutherford沟道背散射分析研究了低速高电荷态重离子(Xe26 )在氮化镓(GaN)晶体中辐照损伤的产生对剂量的依赖关系,比较了垂直照射和60°倾斜照射的差异.基于"库仑爆炸"模型对结果进行了解释.     

双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤

综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产徨的异常损伤,既在低剂量率下辐射时,这些器件在很低的总剂量水平下即告失效,失效阈较高剂量率辐射要低得多,它是因为构成线性电路的双极器件发射极一基极结上覆盖了厚氧化物,低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒,氧化物内存在的过量电荷使器件产生增强损伤。