磁膜变感元件构成的逻辑元件

高频磁膜变感元件已经构成并加以观测,在单一偏置条件下它可有两状态或三状态操作。作为两状态元件时,磁膜变感元件可用作多数决定元件,与铁氧体磁心变感元件极为相近。另一种有用的逻辑元件是“阈”元件,在这种元件中输入激励必须达到某一最小电平才能持续振荡。在加上适当的时钟作用后,磁膜电感可当作在系统中有单向信息流的门用。由偏置磁场所控制的门的作用可由另一变感元件所整流了的输出而产生。文中描述了双元件二进加法器、二进移位计数器及移位寄存器。三状态工作的可能性也就七个元件构成的三进位加法器加以探索。     

变参数元件

变参数元件是自动控制和远动控制的一种新型元件.它具有高稳定性、轻小、简单、价廉和便于制造等优点.本文是在试制研究变参数元件的基础上介绍了其基本性能和数据;并提出在生产、测量和应用中应予注意的问题. 变参数元件是一种新型无接点逻辑元件,是铁氧体元件的一种.1954年由日本后藤英一提出,并于1957年应用到电子计算机、电子交换机、电信机器、机床程序控制、高速印刷机、自动记录装置中,颇具成效.目前苏、美、德、法等国对此亦极为注意,并进行研究.我国对变参数元件近几年来也进行了试验研究.现根据定型元件的试验数据,对它的特点进行分析说明.同时提出在生产测量和应用中应予注意的问题,以供有关同志参考.     

使用磁镀线元件的500毫微秒计算机主存贮器

磁镀綫从它最初应用在数据处理系统那时起,作为高速、随机计算机存贮器一个比较实用而又理想的存贮元件来说就已看出它的巨大潜力。磁镀綫存贮元件具有如下的一些优点: 1.它可以在连续过程中进行制造。 2.它可以在连续过程中进行测试。 3.它具有很快的开关时间。例如,在躯动     

磁泡存贮器

目前,在计算机系统特别是微型机系统中半导体存贮器芯片应用得非常广泛,但当国外研究出了磁泡存贮器后,许多人开始怀疑半导体存贮器芯片将来会不会被淘汰。磁泡存贮器是贝尔实验室研究出来的,目前多用正铁氧体、石榴石型铁氧体等材料制造。这些单晶强磁性薄膜或多晶台金磁膜在外加磁场作用下产生许多磁泡。磁泡在电路的控制下按规定方式移动形成存贮器件,其存贮密度可达1.6×10~5位/平方毫米。1979年,得克萨斯仪器公司、富士通、英特尔、洛克韦尔等公司就开始使用了磁泡存贮器,因这种存贮器很有前途,所以有许     

存贮器系统设计

引言 每个计算系统都有信息存取系统(hiera-rchy),即便是简单的计算机也采用一种由内寄存器和键控数据输入的外寄存器组成的两级存取系统,在典型的计算系统中人们还可以看到一种多级的存取系统,它里面有操作寄存器,随机存取主存贮器,直接存取装置,按序存取     

存贮器系统

微型计算机系统为了适应科学计算及数据处理等方面的需要,通常配有相当规模的存贮器系统。其中包括随机存取存贮器(RAM)和只读存贮器(ROM及EPROM)。RAM用于存放输入、输出数据及中间结果,而ROM用于存放程序。容量的配置一般占满地址总线     

存贮器的发展与新型存贮器介绍

本文回顾了近年来存贮器件的发展概况及趋势,简要地介绍了 Flash 非易失存贮器,NVRAM、Cache 产品以及 Latch RAM 等新型的专用存贮器件。文中还介绍了 IC 芯片技术发展所遇到的一些基本极限,讨论了存贮器技术的发展方向。     

线形变感元件(Wiretron)

日本国际电信电话公司研究所和东光无线电线圈研究所共同合作制成了一种线形变感元件。这是一种铁氧体变感元件的新发展。利用这种元件可以消除历来所制成的变感元件的工作速度慢的缺点。这种线形变感元件的性能如下:激历频率——20兆赫、10兆赫谐振频率——10兆赫、5兆赫包格频率——100千赫、200千赫、500千赫(可能     

虚拟存贮器与变换存贮器的区别

二种扩大计算机存贮器容量的方法,其名称常被混淆。这是二种完全不同的方法,各有优点和缺点 许多计算机使用者、销售者甚至分析者,对“变换存贮器”和“虚拟存贮器”就象附属于计算机的其它器件一样,常相混淆。不明确的地方在于这二种存贮器各做些什么工作和如何区别。许多厂把变换存贮器说成虚拟存贮器,是并不奇怪的,因这二种设计一般都包含变换的概念。     

新型半永久存贮器金属卡片存贮器

日本电气通信研究所为电子交换机的需要,研制了一种采用新原理的随机取数半永久存贮器——金属卡片存贮器。该种存贮器主要构成部分是作为存贮媒介体的金属卡片和由具有为数很多读取线圈的印制线圈板迭成的存贮体。情极信息的记录决定于金属卡片某位置上有无圆孔,信息的读出借助于线圈间的高频电磁耦合。在金属卡片上有孔和无孔的地方电磁耦合差值很大。     

存贮器系统

<正> 3.1 概述 DJS 186计算机采用高速缓冲存贮器来提高对中央处理机对主存系统的访问速率。从功     

眼鏡型变参数元件

一前言变参数元件作为一种邏輯运算元件,有着非常良好的特性。因此,問世以來虽然为时不久,却得到了迅速的发展,目前已被广泛地用在电子交換机,电子計算机,电話收费机和电报机器等各个方面。用于上述各个方面的变参数元件,大部     

电荷泵随机存取存贮器

用MOS晶体管作为负载电阻器的限制是众所周知的,要得到低的维持功耗就需要大电阻,从而要求器件面积大。在动态存贮器中,完全取消了负载电阻而避免了这个问题。单元状态利用寄生结点电容暂态保存至数据再生周     

高速缓冲存贮器

<正> 8.1 概述 186机的高速缓存是一个与主存相比容量上较小而速度上又较快的存贮器,它配制在处理机之内,是处理机的一部分,同时又是主存贮器的一部分。(见图9.1)。因此,也可以把它看成主存贮器的缓冲存贮器。 如果所有的指令和数据均放在主存贮之     

巨型存贮器件

在国际固态电路会议上,首次展出了1/4兆位的动态随机存贮器件(RAM)和64K位的静态随机存贮器件。东京的日本电气株式公社—东芝(NEC—Toshiba)信息系统公司和日本电信电话公社—武野藏(NTT—Musashino)电气通讯实验室都提供了256K×1位的动态RAM。NEC片子的存取时间为160毫微秒,周期350毫微秒。而NTT的存贮器用钼加速信号传     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

超导延迟线存贮器

为高速计算机系统提供新的存贮方法,已经成为现今的重要研究课题。曾经研究过几种使用具有良好电特性的长延迟线的快速存取线路,并从中得到其运用特性。 在高速计算机中采用传输线类型的存贮器,看来很有利,因为延迟线单位长度上的信     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。