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雷卡1X-AIME(Air Interface Monitor/Emula-tor)系统是专门为手机的cdmaOne及 cdma2000 1X信令测试而设计的,广泛应用于新产品开发、兼容测试、评估和服务支持,是手机生产研发时必不可少的测试工具。 目前,1X-AIME系统可支持cdmaOne+cdma2000的标淮,包括:IS95A、IS95B、J-STD-008、ARIB-T53、KOREAN 800MHZ、KOREAN PCS、IS-2000 1X等,并且兼容CDG22、CDG53及CDG57的第二阶… 相似文献
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技巧一:使拨号网络可以储存密码方法1:“开始”→“执行”→启动注册表编辑器(REGEDIT.EXE),打开HKEY-LOCAL-MACHINE/SOFTWARE/Microsoft/Windows/CurrentVersion/Network/Re... 相似文献
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宁波GSM系统LAC状况 目前宁波GSM系统共有LAC区22个,每个BSC分配一个LAC(除市区BSC23,BSC24外),这样,某些BSC的Location-Update占OK-ACC-PROC的比例(后称LU-RATE)相当高,如余姚BSC8,其LU-RATE高达79.42%,其SDCCH负荷相当重,且已导致SDCCH拥塞,具体每个BSC的LU次数,LU-RATEPAGE-REQUESTS/PAGE-RESPONSE,PAGES-PER-SECOND,SD-CONGESTION-RATE,… 相似文献
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1PCM1600Y的主要特性PCM1600Y是美国Burr-Brown公司于1999年10月正式宣布推出的高性能单片六声道音频DAC,广泛用于A级DOLBY-DIGITAL解码器、DTS解码器、数字AV功放、带AC-3,DTS,MPEG多声道音频解码的DVD、DVB等领域。PCM1600Y的主要特性包括:24bit分辨率可接受16/18/20/24bit字长的输入音频数据动态性能优异(V_cc=5V时)动态范围DR:105dB(典型值)信噪比SNR:105dB(典型值)THD+N:0.0015%… 相似文献
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LTC台CHANNELBUSY故障的分析和处理天津日电电子通信工业有限公司田建忠TDNWLTMLTE-SSUB×TTESTLINKLCMFREC4LC图1LTC测试原理图LTTILTMLTCLTE-M在NEAX61程控交换机的日常测试和维护工作中,用... 相似文献
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EMX-500交换机系统带数据丢失的原因分析江苏省徐州邮电局朱小枫EMX-500交换机的系统带最初是由MOTOROLA公司提供的,它共有3个组成部分,即PATCH,SYSGEN(SYSTENGENARATION)和空的CHANGEJOUNAL。前两部... 相似文献
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《电信工程技术与标准化》1999,(4)
1、北美标准EIA/TIA568A商业建筑通讯布线标准EIA/TIA569商业建筑通讯通路与空间标准EIA/TIA607商业建筑通讯布线接地与保护连接要求EIA/TIA606商业建筑通讯基础设施管理标准TSB—67非屏蔽对绞线布线系统性能测试TSB-72集中式光线布线准则TSB-75开放型办公室水平布线附加标准2、欧洲标准EN50173信息技术综合布线系统3、国际标准ISO/IEC11801信息技术──用户房屋的综合布线国际标准4、中国标准YD/T9261-3大楼通信综合布线系统YD/T8381… 相似文献
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Liang Sujun 《中国邮电高校学报(英文版)》1994,(2)
BoundaryElementMethodforHigh-VoltageTerminationsand2-DBEMSimulationOfMZ-JTELiangSujun(CornputerandCADresearchdivision.Xi'anin... 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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1概述ZXSM -10G系统采用先进的技术和设计思想 ,继承了中兴通讯在SDH领域的技术积淀 ,并结合网络业务的多样化和网络结构的变化所赋予SDH设备新的技术内涵 ,是一种集ADM、DXC、IP/ATM和DWDM四位于一体的新型节点设备。ZXSM_10G基本传输速率为9953.680Mbit/s,完全兼容SDH及SONET体制 ,提供从STM_64/OC_192到STM_1/OC_3等的全速率光接入能力 ,以及对新兴的数据业务如Ethernet、ATM等的全面接入能力。ZXSM_10G可与中兴通讯现有传输设… 相似文献
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复杂目标雷达散射截面计算方法的新进展 总被引:5,自引:2,他引:5
综述最近几年来国内外在复杂目标雷达散射截面计算领域的新进展;本文着重分析了GRECO、CADDSCAT、RANURBS、RESPECT及XPATCH五个软件包中采用的分析处理方法及各自的优缺点;最后针对目前存在的一些问题,提出相应的可能解决方案,并对该领域的发展方向提出了自己的看法。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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