用化学方法测量J—2.5MW质子静电加速器电子的吸收剂量

用硫酸亚铁剂量和辐射变色薄膜剂量计相结合的化学方法，测定了水和聚乙烯材料中电子的吸收剂量，深度剂量分布和实际射程，测量结果和外推电离室的测量结果进行了比较，水和聚乙烯中电子最大吸收剂量的测量在２％范围内一致，，本方法测量水的吸收剂量部不确定度为２．１％，测量聚乙烯和其它物质的吸收剂量总不确定度为６．５％，置信概率为９５％。     

用化学方法测量 J-2.5MV 质子静电加速器电子的吸收剂量

用硫酸亚铁剂量计和辐射变色薄膜剂量计相结合的化学方法，测定了水和聚乙烯材料中电子的吸收剂量、深度剂量分布和实际射程。测量结果和外推电离室的测量结果进行了比较，水和聚乙烯中电子最大吸收剂量的测量值在２％范围内一致。本方法测量水的吸收剂量总不确定度为２．１％，测量聚乙烯和其它物质的吸收剂量总不确定度为６．５％，置信概率为９５％。     

批制辐射变色薄膜剂量计的研究

叙述了以尼龙为基材、六羟基乙基副品红氰化物(HPR-CN)为染料的辐射变色薄膜剂量计的配方研究及其剂量学性能测试结果。研制的、可批量生产的辐射变色薄膜剂量计具有较好的剂量学性能。剂量计厚度约60μm,剂量计尺寸可根据需要进行裁剪,它尤其适用于低能电子束吸收剂量、电子加速器场分布以及深度剂量分布的测定,并可被广泛地用于辐射加工中的中、高水平剂量测量和能量测量中。对自制的、批量生产的辐射变色薄膜剂量计的性能与美国远西技术公司生产的FWT-60辐射变色薄膜剂量计的性能进行了比较。     

辐射变色薄膜电子高剂量计的一般特性

研究了PC-85辐射变色薄膜测量电子吸收剂量的一般特性。测定了光吸收谱,光密度变化与膜厚度呈线性关系的范围,单位厚度的本底光密度分布,测量电子剂量的分散性,存放时环境因素对本底和照后光密度的影响,响应充分建立所需条件及光照效应等。该剂量计特别适合于辐射加工中的剂量测量。     

Al_2O_3在6MV放疗射线中的吸收剂量比率因子

用EGSnrc/BEAMnrc、DOSXYZnrc、DOSRZnrc模拟计算水体模中Al2O3剂量计的吸收剂量和剂量计对应位置上水的实际吸收剂量,并计算吸收剂量比率因子fmd,讨论Al2O3剂量计的吸收剂量特性.剂量计为φ4mm×1 mm的Al2O3薄片,计算深度0.5-8.0 cm,放疗射线是Varian 600C医用电子直线加速器的6 MV射线和Mohan 6 MV谱线.结果表明:Al2O3剂量计的吸收剂量少于对应位置上水的实际吸收剂量,吸收剂量比率因子fmd与剂量计在体模中的深度有关,在剂量建成区内,fmd对剂量计深度变化敏感;在建成区外fmd受剂量计深度变化的影响很小,用平均值表示不同深度的fmd时偏差不大于1.0%.     

MeV辐射场中Al2O3的剂量学特性

用EGSnrc/DOSRZnrc程序计算水体模中Al2O3剂量计的吸收剂量和剂量计所在处介质的实际吸收剂量,并计算吸收剂量换算因子。剂量计为φ4mm×1 mm的Al2O3薄片,计算深度0.5～8 cm,入射光子能量1～18MeV,入射电子能量1～25 MeV。结果表明：1）吸收剂量换算因子的大小与入射粒子的能量以及剂量计在体模中的深度有关;2）存在一个吸收剂量换算因子变化不敏感的区域,在此区域内吸收剂量换算因子受剂量计深度变化和入射粒子能量变化的影响都很小,可直接用平均值来表示区域内的吸收剂量换算因子。     

辐射显色薄膜电子高剂量计的剂量学特性

文章报道了用PR-CN(PVB)辐射显色薄膜测量电子吸收剂量的某些重要的剂量学特性:在0.3-120kGy范围内,吸收剂量(D)与单位厚度光密度变化(ΔOD/mm)有良好的线性关系;电子能量的依赖性小,~(147)Pm和~(90)Sr ~(90)Y响应之比约为1:2.4;对中能以上的电子剂量响应在实验误差范围内、与电子平衡条件下~(60)Co γ辐射剂量响应相同;在实验用到的平均剂量率范围内(约0.1—5×10~4Gy/min),响应和剂量率无关。建立了用于电子束工业辐射加工的吸收剂量常规刻度方法。最后给出了测量静电加速器1.5MeV、电子迴旋加速器6.9MeV电子束在有机玻璃中深部剂量分布的实例。     

1.23 GeV Fe离子在C60薄膜中形成潜径迹的Raman谱分析

用能量为1.23GeV的快Fe离子辐照了多层堆叠的C60薄膜。用Raman散射技术分析了快Fe离子在C60薄膜中由强电子激发引起的效应，主要包括辐照引起C60分子的聚合及其高温、高压相（HTHP）的形成，和在高电子能损下C60晶体点阵位置上的C60分子向非晶碳的转变。由此演绎出了快Fe离子在C60薄膜中的损伤截面或潜径迹截面σ和潜径迹的半径心，及其随沉积在电子系统中的能量密度的变化而变化的规律。     

浅表吸收剂量的实验和理论确定

从理论和实验上提出了两种处理β辐射照射某些浅表组织时的吸收剂量的办法;用年龄-扩散理论计算了~(90)Sr、~(90)Y各自在不同深度处的剂量对总剂量的贡献;用Cross的面源函数表计算了几种放射性核素在对应于某些放射性敏感组织所在深度(<6mm)处吸收剂量与浅表吸收剂量D(0.07)的比值;用组织等效外推电离室和水体模测量了小于6mm深度处的平均吸收剂量和上述比值。理论与实验结果,以及与他人的有关结果都符合得较好。这些数据对于防护人员根据现场测量的两个实用量(定向吸收剂量D′(0.07)和浅表个人吸收剂量D_p(0.07))来评估人体浅表某些重要组织或器官(例如皮肤的敏感层和眼晶体等等)实际所受剂量是否被控制在发生确定性效应的阈值以下及在放疗情况下,对控制某些组织附带受到的照射而施加的剂量约束是很有用的。     

浅表吸收剂量的实验和理论确定(英文)

从理论和实验上提出了两种处理β辐射照射某些浅表组织时的吸收剂量的办法;用年龄-扩散理论计算了~(90)Sr、~(90)Y各自在不同深度处的剂量对总剂量的贡献;用Cross的面源函数表计算了几种放射性核素在对应于某些放射性敏感组织所在深度(<6mm)处吸收剂量与浅表吸收剂量D(0.07)的比值;用组织等效外推电离室和水体模测量了小于6mm深度处的平均吸收剂量和上述比值。理论与实验结果,以及与他人的有关结果都符合得较好。这些数据对于防护人员根据现场测量的两个实用量(定向吸收剂量D′(0.07)和浅表个人吸收剂量D_p(0.07))来评估人体浅表某些重要组织或器官(例如皮肤的敏感层和眼晶体等等)实际所受剂量是否被控制在发生确定性效应的阈值以下及在放疗情况下,对控制某些组织附带受到的照射而施加的剂量约束是很有用的。     

电缆电子束辐照工艺中的剂量控制

随着剂量的改变,电缆绝缘层的性能指标,如凝胶量、抗张强度、断裂伸长率和热老化等都将发生变化,它们直接影响了电缆的参数和质量。因此,要保证电子辐照交联电缆质量的关键之一,就是要控制吸收剂量。本文详细叙述了电缆在电子辐照工艺中应用薄膜剂量计作剂量扫描均匀度的测量及在不同辐照方式下剂量分布的测量。     

液体化学剂量计测定电子束吸收剂量

用重铬酸钾（银）和硫酸高铈－硫酸铈剂量计对电子束（能量１－１５ＭｅＶ）的水中吸收剂量进行了测量，其剂量响应线性良好，准确度高，测量的扩展不确定度为４．８％（Ｋ＝２）。针对电子束吸收剂量测量的特点，特别设计加工了硬币型聚苯乙烯制容器。根据深度剂量分布曲线，计算了吸收介质中某一深度处的吸收剂量，并通过射程法的计算，对电子束最可几能量进行了估计。     

电子束及β射綫产生的吸收剂量之估計

本文利用深度电离及深度剂量的相对分布的資料,計算了当单能电子束(0.05—30兆电子伏)垂直入射时,在生物体軟組織中几种在輻射防护中有意义的吸收剂量值;并提出了按深度剂量降为最大值之1/2处之射程計算吸收剂量的簡单的近似方法。利用罗文格(R.Loevinger)的β剂量經驗公式計算了在表面均匀分布着β放射性物貭之軟組織中不同深度处之吸收剂量,并与用其他經驗公式計算的結果作了比較。文中还討論了在較复杂的照射条件下,利用以上結果的可能性及发生偏离的趋势。介紹与比較了几种为类似目的而作的計算結果,并指出了利用这些結果时应注意的間题。     

介质材料内部充电特性模拟仿真与试验研究

针对星用介质材料的深层充电效应问题,基于高能电子在介质材料中的传输模型,仿真分析了介质材料在不同深度处的电荷沉积,分析了介质中叠合的金属层厚度和层数对电荷沉积的影响。基于仿真结果设计了平板型多层结构的测试系统,利用加速器辐照试验,分析了电子辐照后的电荷沉积情况,并与仿真结果进行了对比分析。结果表明,8层叠加的多层结构能有效地得到介质深层的电荷沉积分布特性。本文研究结果可直接应用于空间辐射效应监测载荷中。     

AlNi纳米合金薄膜低温电阻率的特性研究

通过磁控溅射制备了AlNi纳米合金薄膜,并利用自制的直排四探针低温测量系统测量了薄膜电阻率随温度(8~300K)的变化规律。结果表明:由于电子-声子和电子-磁子相互作用,纯Al和Ni纳米晶薄膜的电阻率分别呈现出正的电阻率温度系数,且电子-磁子散射对电阻率的贡献主要体现在高温区(80~300K),在低温区(40K)电子-晶界/表面散射对电阻率的贡献占主导地位。Ni原子掺入量的增加,诱导了纳米晶薄膜无序程度的增强,从而使Al1-xNix纳米合金薄膜逐渐由晶体的金属特性过渡到半导体特性,导致其呈现出负的电阻率温度系数。由于增强的电子极化效应,Al1-xNix纳米合金薄膜电阻率与温度的关系并不完全遵循半导体的热激发导电模型。     

γ射线在硅界面附近的剂量分布

研究了金、钨等多种材料与硅交界时＾６０Ｃｏγ射线在界面硅一侧产生的深度剂量分布。将该分布与均匀硅材料中的平衡剂量比较，发现在界面附近具有明显的剂量梯度分布。特别在金等高原子序数与硅交界的情况下，硅界面的剂量有显著增强现象，以康普顿散射，光电、俄歇效应和次级电子的输运机制为基础，用半径验电子输运方程对界面附近的剂量梯度分布进行了计算，得到了与实验符合较好的结果。     

~(90)Sr-~(90)Yβ源辐射场中轫致辐射剂量分量的理论计算和实验测量

对90 Sr 90 Y源半导体辐照效应在线测量系统中所用辐射源与周围物质相互作用所产生的轫致辐射剂量进行了理论计算和实验测量。采用聚乙烯薄膜作吸收材料 ,实现了 β与X射线辐射剂量的分离。给出了测量的吸收剂量中X射线辐射剂量的贡献 ,并对测量及理论计算中的误差进行了分析     

32Pβ射线在非组织等效介质中产生吸收剂量的估算

利用β发射体核素剂量点核函数经验公式计算体外照射培养细胞实验中所使用的^32P放射性贴片在组织等效介质(聚乙烯)中的吸收剂量作为标准剂量刻度，用放射自显影方法得出剂量一灰度曲线。结果显示：在0-68．84mGy范围内，吸收剂量与自显影灰度值呈线性关系；根据贴片隔非组织等效介质(培养瓶底玻璃)自显影的灰度值反推出^32P放射性贴片在非组织等效介质中产生的吸收剂量及剂量率：1MBq/cm^2贴片隔培养瓶底玻璃后的吸收剂量率为21．9cGy／h。本方法简单、易行，同时可以检测贴片的放射均匀性。     

次级电子不平衡对CMOS器件敏感区吸收剂量和电离总效应的影响

选择双列直插塑料封装的CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件CC4069六反相器作为研究对象,采用蒙特卡罗方法分析了器件吸收剂量与标称辐照剂量的差异,结合电离总剂量效应敏感参数阈电压的测量,分析评估了不满足次级电子平衡条件对器件敏感区吸收剂量和电离总剂量效应的影响程度,分析比较了标称辐照剂量和修正吸收剂量的PMOS(Positive channel Metal Oxide Semiconductor)和NMOS(Negative channel Metal Oxide Semiconductor)不同偏置下的阈电压漂移变化规律。结果表明:器件敏感层中的吸收剂量只有标称辐照剂量的83.52%。次级电子不平衡下的辐照试验会影响器件的抗辐射水平考核,器件的抗辐射水平被高估了16.5%。     

^90Sr—^90Yβ源辐射场中轫致辐射剂量分量的理论计算和实验测量

对^90Sr-^90Y源半导体辐照效应在线测量系统中所用辐射源与周围物质相互作用所产生的轫致辐射剂量进行了理论计算和实验测量。采用聚乙烯薄膜作吸收材料,实现了β与X射线辐射剂量的分离。给出了测量的吸收剂量中X射线辐射剂量的贡献,并对测量及理论计算中的误差进行了分析。