士兰微电子推出新一代高压MOSFET——F—CeIITM系列

士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F—cell^TM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品,工作电压可以覆盖400V-900V区间,工作电流在1A-18A之间,可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性;具有高可靠性,高效率,高EAS能力,     

采用PowerPAK 1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology，Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中，该器件的导通电阻是最低的。     

HID灯镇流器中UniFET Ⅱ MOSFET的性能和效率

先进的单元结构和寿命控制技术已同时增强了功率MOSFET的导通电阻和反向恢复性能。本文介绍一种新开发的平面MOSFET—UniFETTM Ⅱ MOSFET—具有显著提高的体二极管特性,另外还介绍了其性能和效率。根据寿命控制的集中程度,UniFET Ⅱ MOSFET可分为普通FET、FRFET和Ultra FRFET MOSFET,其反向恢复时间分别为传统MOSFET的70%、25%和15%左右。为了验证全新MOSFET的性能和效率,用带混频逆变器的150W HID灯镇流器进行了实验。结果证明,两个UniFET Ⅱ MOSFET可取代两个传统MOSFE和四个附加FRD,并且无MOSFET故障。     

TOPSwitch—JX系列电源转换IC

Power Integration推出TOP Switch—JX系列器件，新产品系列共由16款高度集成的功率转换IC组成，其内部均集成一个725V功率MOSFET，适用于设计反激式电源。     

半导体C—V的测量

电容一电压（C—V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C—V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、III—V族化合物器件、光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管（CNT）和多种其他半导体器件。     

Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。     

功率MOSFET——八十年代的动力

采用垂直电流器件和使用多晶硅作栅材料,在制作功率MOSFET实用器件中起着重要的作用。随着导通电阻的降低,单元密度显著地增加。在分立晶体管元件市场,高性能的和具有价格竞争能力的MOSFET正成功地向占优势的双极器件挑战。     

纵向a—Si MOSFET集成电路

采用非晶硅的原生二氧化硅作为绝缘栅，使纵向a-Si MOSFET的特性得到明显的改善。a-Si材料的最大场致迁移率为1.2cm/V.s。用纵向a-Si MOSFET成功地研制了E／E倒相器和环型振荡器，最小门延时时间为95ns，同时还描述了a-Si MOSFET RS触发器的电路特性。     

NexFET:一种高可靠与高性能的低压功率DMOSFET

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数(Ron*Qg)改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。     

NexFET：一种高可靠与高性能的低压功率DHOSFET

本文介绍一种具有高性能和高可靠性的新型低压功率MOSFET——TI公司的NexFETTM,它将一种高可靠、高性能的RF LDMOSFET与齐纳二极管组合。基于MOSFET结构的RF LDMOSFET将品质因数（Ron＊Qg）改善两倍。一个纵向集成的齐纳二极管钳制峰值开关节点电压的尖峰形成,从而使MOSFET免受击穿。     

谈大功率功放机功放管的功率均衡

在大型扩声系统中，功放机是经常损坏的设备，而且损坏的情况大部分是末级功率放大器件的烧坏。经过对正常工作的功放机仔细观察发现，末级并联使用的同型号大功率三极管（场效应管）工作时，往往有的温度高，有的温度低。其中造成上述情况的主要原因是并联使用的大功率三极管（场效应管）在装机时由于筛选时的疏忽或长期运行造成特性参数差异，引起负荷不均匀。负荷大者，工作电流大，发热也较大，容易先坏。负荷小者，工作电流小，发热也较小。但发热大的损坏后，发热小的也不堪重负，短时间内也会烧毁。因此，延长功放机使用寿命，末级功…     

高功率因数电源设计

功率因数是开关电源设计的关键指标,提高功率因数是开关电源发展中一直重视的技术问题.这里设计的高功率因数开关电源应用PFC控制方式,引进TI公司新推出的UCC28019芯片,明显提高了功率因数.该电源由AC/DC变换电路、DC/IX;变换电路、PFC控制电路、功率因数检测电路、数字设定及测量显示电路、保护电路等6部分组成.其中,AC/DC变换电路采用桥式不控整流方式,DC/DC变换电路采用Boost拓扑结构,可实现30～36 V可调输出,并利用MSP430F247单片机实现数字设定、测量显示及功率因素检测等功能.该电源的主要优点是:功能直观、稳定性好、功率因数大幅度提高.     

电源及电源管理

输出300mA的低压差线性稳压器 Maxim公司的MAX8887/MAX888为低压差线性稳压器,输入电压范围:+2.5V至+5.5V,连继输出300mA电流(脉冲电流达500mA),MAX8887的噪声很低,而MAX8888具有开漏输出的“电源正常”指示器。它们在输出电流为200mA时压差为     

含风力发电的电网无功优化

将改进后的PBIL算法运用到含风力发电机组的IEEE30节点系统的无功优化计算中,并对多次独立计算的结果做了统计和分析,与采用标准的遗传算法（SGA）的计算结果的比较,请明该算法在此类无功优化问题中有效性和可靠性。     

管理/转换IC促数字电源发展

数字电源管理IC是个新概念,它融合了模拟管理与数字转换,提高了电源效率.近日,美国Ziler Labs公司来华介绍了数字电源及Zilker的新产品.     

功率管理实现最优功率设计

为了实现目前的功率管理目标,需要采取一种全面的功率管理方法,下至晶体管,上至全芯片技术,悉数包含在内。     

开关电源待机功率设计的几种思路

通过开关电源待机功耗改进方法的研究来提高产品的节能能力。     

电源加电期间对多组电源的跟踪

引言现代的许多电路都需要多组电源，它们必须以一定顺序启动，从而避免损坏敏感元器件。在很多情况下，强制各组电源同时提升电压是较受欢迎的方案，但遗憾的是，当电源来自多个不同的来源时，这就变得困难了，因每个都有其自身的上电时间和瞬态响应。不过，有一个简单方案可实现高达5组电源的同步上升。如图1所示，该电路解决这问题的方法是在每组电源输出与负载之间接入一个N沟道MOSFET。当电源首先施加到电路时，各MOSFET被关断，而每组电源可按各自的速率进入上电过程，一旦各组电源完成上电，MOSFET管的公共栅极提升电压，使…     

应用于电源中的集成功率半导体器件

ISOPLUS i4^TM系列功率半导体器件具有非常适合应用于开关模式功率电源（SMPS）的特征：器件的集成度高，在应用于高开关频率时工作性能可进行优化，一个集成的隔离有助于降低装配工作的难度，如果要求应用于高压场合可通过加大爬电距离和穿透深度来完美地实现。本文对这类元件使用的技术进行深入的介绍，并针对SMPS上的应用来论述它们的特性。     

电源应用集成功率半导体器件

ISOPLUS 14IM系列功率半导体器件提供的性能使其非常适合开关模式电源(SMPS)应用:集成度高、工作特性可针对高开关频率优化、集成隔离/绝缘措施可以简化安装,此外对于高电压应用如果需要的话还可提供较大的防放电和漏电间隔。本文详细介绍了这些器件所使用的技术,并特别针对开关电源应用讨论了其特性。