SrBi2Ta2O9(SBT)铁电陶瓷的制备及性能

用固相反应法合成了SrBi2Ta2O9(简称SBT)粉体，通过冷等静压成型、无压烧结的方法，制备出SBT铁电陶瓷。采用XRD、SEM、EPMA研究了材料的物相和微观组织结构，用阻抗分析仪测试了材料的介电和铁电性能。     

溶胶-凝胶法制备SrBi2Ta2O9(SBT)铁电薄膜的研究

以乙醇钽、醋酸锶和硝酸氧铋为原材料,乙二醇单甲醚为溶剂,可以获得稳定的SBT溶胶和凝胶.采用Pt/Ti/SiO     

以硝酸氧铋为原料采用溶胶-凝胶法制备SrBi2Ta2O9(SBT)的研究

以乙醇钽，醋酸锶，硝酸氧铋为原材料， 乙二醇为溶剂，通过溶胶－凝胶法成功地制备出稳定存在的钽酸锶铋（SBT）溶胶和凝胶，干凝胶在350℃处理30min后，在800℃烧结1h 可获得钙钛矿相SBT粉体，通过红外光谱，X射线衍射及热重－差热分析表征，对凝胶形成过程中的化学反应及相组成进行了分析，结果表明：在前驱物聚合反应中有硝酸酯产生，提高了硝酸氧铋在乙二醇的溶解性能，在不同温度下进行煅烧时，相组成 中出现了立方相氧化铋，斜方相钽酸锶和钙钛矿相酸锶铋。     

溶胶-凝胶Al2O3溶胶薄膜早期干燥过程研究

采用无机盐先驱体,溶胶-凝胶法制备了Al2O3溶胶薄膜,并对溶胶膜的早期干燥过程进行了研究.结果表明,Al2O3溶胶薄膜的早期干燥过程存在着2个恒速干燥期,第1恒速干燥期的干燥速度明显高于第2恒速干燥期.此外,在早期干燥过程中,随着温度的升高,薄膜失重率急剧增加.为了获得理想的薄膜,应对溶胶膜进行分级干燥.     

溶胶-凝胶法制备钛酸锶钡铁电薄膜的研究

钛酸锶钡(BST)薄膜是一类重要的铁电薄膜材料。采用溶胶-凝胶法制备了不同组分的具有钙钛矿结构的BST薄膜。利用X射线衍射技术(XRD),研究了不同退火条件下BST薄膜的结晶特性,结果表明制备的BST薄膜形成了单一的钙钛矿结构;利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了薄膜的表面形貌,结果表明制备的BST薄膜光滑,平整,无明显的孔洞和裂纹,且生长良好。BST薄膜的晶粒细致,排列整齐,分布均匀,呈现球状。     

溶胶-凝胶法制备锰酸锂薄膜及影响因素

全固态薄膜锂离子电池在未来微电子器件中具有广泛的应用前景，但该微电池在制备工艺方面还需进一步优化。溶胶-凝胶法制备无机薄膜材料具有其它方法无法比拟的许多优点成为目前研究的热点。简单介绍了溶胶-凝胶法制备薄膜的基本过程和特点，重点评述了该方法制备LiMn2O4薄膜的各种影响因素。     

溶胶-凝胶法制备氧化铝薄膜

以Al(NO3)3·9H2O作为前驱体制备AlOOH溶胶,通过提拉法在不锈钢表面形成氧化物薄膜。探讨了热处理制度和表面处理对薄膜形成过程的影响,并通过XRD和SEM等分析手段对氧化铝薄膜形成过程的物相组成和表面质量进行了分析。实验结果表明:温度在500～800℃,升温速率控制在1.5℃/min,可以得到表面致密的氧化铝薄膜,所制得的薄膜成分以晶态氧化铝和非晶态氧化铝共存,其中晶态氧化铝以γ-氧化铝的形式存在。     

溶胶-凝胶法制备薄膜

综述了溶胶-凝胶法制备薄膜材料的一般原理及工艺步骤。并对其应用做了一定的展望。     

溶胶凝胶法制备TiO_2薄膜的研究

采用溶胶-凝胶(sol-gel)Ti O2粉末粘结剂刮片法和Ti O2溶胶直接制膜两种方法,分别在铝合金基体上制备Ti O2膜,并研究了膜的光催化性能。使用X射线衍射仪(XRD)对Ti O2膜进行表征;使用分光光度计评价Ti O2膜的光催化性。结果表明:铝合金基体上制备Ti O2膜具有锐钛矿结构,较Ti O2粉体制膜相比,采用Ti O2溶胶制膜,膜的光催化活性更好。     

溶胶-凝胶法制备Al2O3-ZrO2-SiO2复合薄膜

本文采用溶胶-凝胶法以异丙醇铝、正硅酸乙酯和氧氯化锆为原料，HNO3为催化剂，PVA为成膜助剂，在多孔陶瓷管上制得了Al2O3-ZrO2-SiO2复合薄膜。研究了组分配比对溶胶性质的影响，结果表明Al2O3：ZrO2：SiO2在8：1：2～12：1：2之间时可得到性能符合要求的溶胶。通过扫描电镜可观察到膜的孔径为2～5μm，且膜与基底结合良好。     

纳米氧化钛多孔薄膜的溶胶-凝胶法制备及其结构特征

采用溶胶-凝胶技术，以钛酸丁酯[Ti(OC4H9)4]为前驱体，加入聚乙二醇(polyethylene glycol，PEG)作为模板剂，在玻璃基片上制备了纳米氧化钛多孔薄膜。通过SEM观察了多孔薄膜的表面形貌，通过IR及XRD的测试分析表征了材料的结构，探讨了样品在溶胶-凝胶及烧结过程中的物理化学变化，测定了氧化钛的晶相成分。实验结果表明：通过调整H2O／Ti(OC4H9)4摩尔比及PEG的添加量可得到孔径范围在50～500nm且孔径可调的多孔氧化钛纳米薄膜，此外成膜过程中的升温速率是决定薄膜孔结构优劣的一个重要因素。     

溶胶—凝胶法制备超滤Al2O3膜的研究—非担载超滤Al2O3膜的制备

以异丙醇铝为原料通过溶胶-凝胶法制备了非担载超滤Al2O3膜。对主要制备因素即胶溶剂的种类及用量、水解温度和加水量、老化温度及老化时间、焙烧温度等进行了研究。实验表明所制备的非担载超滤Al2O3膜在500℃焙烧所得膜的孔径小于5nm,且孔径分布均匀。     

YSZ薄膜的溶胶—凝胶法制备及其电导性能

应用溶胶－凝胶方法制备了ＹＳＺ薄膜，通过ＸＲＤ，ＳＥＭ和低频阻抗分析仪等分析手段，研究了ＹＳＺ薄膜的相结构，形貌特征及其电导性能，结果表明，应用溶胶－凝胶方法制备的ＹＳＺ薄膜经８００℃以上热处理后形成完整的立方相结构，随着烧结温度的升高，薄膜表面变得致密，气孔明显减少，至１０５０℃时，薄膜表面光滑，无裂纹，无针孔，圆球形的小颗粒均匀分布，薄膜与衬底的结合紧密，薄膜厚度均匀，膜厚约为１．０μｍ，阻抗     

自组装单层膜技术制备纳米晶态薄膜的研究

自组装单层膜(SAMs)技术是制备纳米尺寸超薄膜材料的一种极具应用前景的新型高效、环境友好的绿色制膜技术。本文首先比较详细地介绍了自组装单层膜技术(SAMs)的发展历程和研究现状,然后对SAMs技术诱导沉积纳米晶态无机薄膜的机理进行了综述,接着比较了SAMs技术与生物矿化的异同,最后对SAMs技术的应用做了一定的展望。     

SrBi2Ta2O9（SBT）铁电粉体和薄膜的溶胶-凝胶法制备

研究了水溶性柠檬酸钽的制备工艺。以硝酸锶、硝酸铋和柠檬酸钽为原料,柠檬酸和EDTA为复合螯合剂,合成稳定的SBT溶胶和凝胶,制备出SBT粉体和薄膜。实验结果表明:柠檬酸和Ta离子摩尔比为8∶1时可得澄清稳定柠檬酸钽溶液;气氛对SBT凝胶的热解有显著影响;凝胶在不同温度煅烧下只出现钙钛矿相;薄膜表面质量良好。     

La2-xSrxNiO4薄膜的制备及氧敏特性的研究

本实验采用无机盐为原料的溶胶－凝胶法制备了复合氧化物La2-xSrxNiO4薄膜，研究了它的阻温特性和氧敏特性，并采用XRD，SEM，AFM（原子力显微镜）等对该薄膜的结构进行了表征。     

低温制备纳米晶TiO2薄膜及其光催化性能

以无机盐TiOSO4、氨水、H2O2为原料,通过沉淀、胶溶、络合、回流等步骤制备了含有锐钛矿晶粒的回流溶胶(refluxed sol,RS).以RS为前驱体在玻璃基片上用红外灯100 ℃干燥,在低温下制备了纳米TiO2薄膜,采用X射线衍射、热重、扫描电镜、紫外可见光吸收光谱等测试手段对TiO2薄膜进行了表征.结果表明:低温制备的TiO2薄膜呈透明状,在可见光下透光率超过80 %,附着力良好,薄膜表面均匀分布着球形锐钛矿晶粒,晶粒粒径随回流时间延长而增加.以10 mg/L甲基橙为降解对象,考察了TiO2薄膜的光催化性能,由100 ℃回流6 h的RS-6溶胶制备的TiO2薄膜光催化性能最好,120 min内甲基橙脱色率达到99%以上,说明采用RS前驱体制备的TiO2薄膜光催化性能良好.     

非水解溶胶-凝胶法制备TiO2光催化薄膜

以TiCl4为前驱体,无水乙醇为氧供体,聚乙二醇(polyethylene glycol,PEG)为成膜控制剂,通过非水解溶胶-凝胶法制备了TiO2光催化薄膜.应用X射线衍射和热重-差式扫描量热研究了TiO2凝胶在热处理过程中的物相变化.采用场发射扫描电镜和光照甲基橙的降解实验研究了TiCl4浓度和镀膜次数对TiO2薄膜显微结构和光催化活性的影响.结果表明:非水解溶胶-凝胶法制备的TiO2薄膜开始出现金红石相的温度为750 ℃,高于传统水解溶胶-凝胶法制备的薄膜.TiCl4浓度和PEG用量是影响薄膜结构和光催化性能的关键因素.当TiCl4浓度为0.83 mol/L,PEG与TiCl4摩尔比为0.1时,所制备的薄膜是一种晶粒细小且孔隙及孔径分布均匀的多孔膜,这有利于提高薄膜的比表面积,薄膜具有最佳的光催化性能.     

浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜

以CH3CN为溶剂,CuCl2和InCl2为反应物,H2S为硫源,用浸渍离子层气相反应法制备CuInS2薄膜。研究混合前驱体溶液中Cu^2 与In^3 的离子浓度比[Cu^2 ]／[In^3 ]对薄膜晶体结构、化学组成、表面形貌、光学和电学性能的影响。当溶液中[Cu^2 ]／[In^3 ]在0．75～2．00范围内均可形成无杂质相、富S型立方闪锌矿结构的CuInS2薄膜。当[Cu^2 ]／[In^3 ]=1．50时,CuInS2薄膜接近其理想的化学计量组成．薄膜表面均匀性随着[Cu^2 ]／[In^3 ]的增加而降低。CuInS2薄膜的光吸收系数α均高于10^4cm^-1,其禁带宽度Ex在1．30～1．40eV之间。制备的P型CuInS2半导体薄膜在室温下其表面暗电阻ρ随[Cu^2 ]／[In^3 ]的增加而有明显的降低趋势。     

溶胶-凝胶法Al2O3涂层工程陶瓷抗弯强度的数学解析

应用数学方法分析了Al2O3涂层工程陶瓷抗弯强度的实验结果。叙述了用有限个试样的实验结果估计工程陶瓷总体抗弯强度的原理和方法,对得出的分布特征参数的物理意义进行了探讨,发现置信边值强度μ左可以反映材料总体抗弯强度的大小,而均方差置信区间右边值σ右则可以表征材料性能的分散程度,使用这两个参数可以更可靠地评价工程陶瓷的强度水平,可作为材料强度性能的评价指标。并用该强度指标分析了溶胶一凝胶Al2O3涂层对工程陶瓷表面改性的效果。