肖特基二极管防护后SCB静电安全性研究

为了提高半导体桥(SCB)火工品的静电安全性能,利用肖特基二极管(SBD)对SCB进行静电防护,对防护后的SCB火工品进行静电放电试验研究。研究结果表明:在静电放电条件（25 kV、500 pF、500 Ω）下,防护后的SCB火工品的桥区未烧蚀,电阻未发生明显变化,SCB未损伤。对静电试验后的SCB火工品进行电容发火试验研究,研究结果表明:静电试验后的SCB能够正常发火,SCB的爆发时间与发火能量未产生显著性变化,SCB的电爆性能未受到影响。     

压敏电阻用于SCB火工品静电安全性研究?

为了提高半导体桥(SCB)火工品的静电安全性,利用贴片式压敏电阻优良的钳位电压能力对SCB火工品进行静电加固。恒流激励下发火试验结果显示,080C型压敏电阻对SCB火工品发火时间和爆发时间无显著影响;静电国军标条件下,SCB火工品均未发火,在静电美军标下全发火;080C型压敏电阻防护后,SCB火工品在美军标条件下均未发火,静电安全性得到了显著提高。因此,在不影响SCB火工品正常发火性能条件下,080C型压敏电阻能够显著提高SCB火工品的抗静电能力。     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥升温方程研究

半导体桥火工品是取代桥丝的理想火工品。本文根据半导体桥的点火特性,应用电能转化为热能、热传导和炸药的热爆炸三个方面的理论,建立了在电容放电和直流输入两种方式下半导体桥桥体的升温特性方程;并通过计算机运算绘图,验证了方程基本符合理论要求。文章最后指出升温方程需加入修正系数来进一步完善。     

半导体桥火工品的防静电和防射频技术

对电火工品及半导体桥火工品防静电、防射频的常用方法进行了分析和概述,防静电方法主要是采用绝缘环或者泄放通道,防射频方法主要是采用屏蔽和低通滤波器。指出了现有常用技术存在的问题和今后的发展方向,认为现有方法无法完全泄放杂散静电、很难做到无缝隙屏蔽,或会增加火工品体积和质量。利用微电子保护电路,是半导体桥火工品静电和射频防护技术未来的发展方向。     

半导体桥结构设计分析

文章讨论了半导体桥点火的作用机理.在比较、分析了几种常用的半导体桥结构的基础上,设计出一种新的SCB结构.从理论上讲,此种结构具有更好的点火性能.文章以SCB的典型结构--"H"形为例,对半导体桥结构的各组成部分进行了分析,论证了半导体桥厚度δ=2μm的合理性;根据能量转换关系建立了数学模型,得出了半导体桥长和宽的计算公式.     

半导体桥动态阻抗的试验研究

利用电容放电加载,通过测试半导体桥两端电压以及流过半导体桥的电流随时间的变化曲线,获得了半导体桥动态阻抗随输入能量变化的曲线.根据动态阻抗能量曲线以及半导体桥作用过程,提出半导体桥动态阻抗与输入能量之间的关系应分四段表示,分别对应于阻抗正温升、阻抗负温升和熔化、汽化以及等离子体产生等几个阶段,并且分别可用线性公式和指数衰减公式表示.试验结果表明,在高加载速率、无能量损失情况下,所提出的四段式能够很好地拟合试验确定的半导体桥动态阻抗输入能量曲线.     

半导体桥的研究进展与发展趋势

文章系统地综述了半导体桥芯片的研究现状和半导体桥点火性能测试的研究进展,并对半导体桥的发展趋势以及应用前景进行了分析和展望,指出今后应当对反应式半导体桥和其它新型半导体桥的设计、制备及点火机理进行研究。     

半导体桥的设计分析

半导体桥是半导体桥火工品中最为关键的元件,它的结构和性质对火工品起着十分重要的作用,设计结构合理、性能优良的半导体桥是研究半导体桥火工品首要任务.文章以理论分析和文献分析为基础并结合试验数据,提供了一套半导体桥的设计方法,并选定了合理的结构和材料,给出了一组参数,确定了最小临界能的半导体桥图形.     

半导体桥电热性质初探

介绍了半导体桥(SCB)发火器件的工作机理。通过对恒流作用下V型半导体桥的电热特性建立数学模型,得出了SCB的夹角越小、发火电流越大则发火时间越快的关系。但是,由于夹角受到半导体桥临界能量的影响,存在一个最小值,也是V型角的最佳角度。本文同时给出了一个计算升温时间的公式。     

Electron Holographic Study of Semiconductor Light‐Emitting Diodes

Semiconductor light‐emitting diodes (LEDs), especially GaN‐based heterostructures, are widely used in light illumination. The lack of inversion symmetry of wurtzite crystal structures and the lattice mismatch at heterointerfaces cause large polarization fields with contributions from both spontaneous polarization and piezoelectric polarization, which in turn results in obvious quantum confined stark effect. It is possible to alleviate this effect if the local electrostatic fields and band alignment induced charge redistribution can be quantitatively determined across the heterostructures. In this Concept, the applications of electron holography to investigate semiconductor LEDs are summarized. Following the off‐axis electron holography scheme, the GaN‐based LED heterostructures including InGaN/GaN‐based quantum wells, other GaN‐based quantum wells, and other forms of GaN‐based LED materials are discussed, focusing on the local potential drops, polarization fields, and charge distributions. Moreover, GaAs‐based LED heterostructures are briefly discussed. The in‐line electron holography scheme emphasizes the capability of large area strain mapping across LED heterostructures with high spatial resolution and accuracy, which is combined with quantitative electrostatic measurements and other advanced transmission electron microscopy characterizations to provide an overall nanometer scale perspective of LED devices for further improvement in their electric and optical properties.     

国外静电安全标准进展

本文从静电安全管理的视角梳理了ESD标准领域的类型及拓扑关系,以期为中国静电安全标准的发展提供借鉴.     

半导体桥火工品的发展

文中系统评价和分析了近年来国内外半导体桥结构，制造工艺和封装技术，展望了半导体桥点火装置及智能火工装置的应用前景。提示了这类火工品必将得到广泛应用的趋势。     

我国ESD标准研究进展、问题分析及对策建议

ESD危害涉及电子、石油、石化、汽车、国防和航空航天等众多领域,是影响产品质量、工程项目质量、安全生产和公共安全的重要因素,其标准化已得到众多国际组织的高度重视.本文对国内ESD领域国家标准、军用标准、行业标准的发展现状进行了全面调研,分析了表征研究对象类(TC或主题)标准化活跃程度的标准数量(S)和平均标龄(Y)等两个主要因子.通过对比国外标准发展现状,发现我国ESD标准发展存在主题类型不全面,标准体系不完善,管理体系标准适用面窄、时效性差,测试模型标准缺失等四方面的重要问题.建议从“产品-检测-认证-管理”等四个层次上,尽快对接国外先进标准,建设国家静电安全标准体系.