高灵敏度单片集成W 波段功率检波器*

介绍了一款高灵敏度W 波段功率检波器芯片的设计及其封装测试结果。该检波器电路采用标准0. 1 μm GaAs pHEMT 工艺设计加工制造完成。封装测试结果显示,当射频输入信号功率为-15dBm 时,检波电路在90 ~ 95GHz 频率范围内的电压灵敏度大于6000mV/ mW。该电路具有很好的宽带特性,可以工作在86 ~ 100GHz 频率范 围内,几乎覆盖了W 波段的所有常用频率。此外,该检波器电路芯片结构紧凑,面积仅为2×1mm² ,适合高密度的射 频前端集成。     

非调谐式W波段检波器

本文介绍了W波段非调谐式检波器的结构和性能。为了展宽频带,采用了脊波导腔。文中给出了检波器的灵敏度、平方律特性以及驻波系数的测试结果。并将平方律特性的实验值与计算值作了比较。实验给出,频率在89～95GHz范围内,输入功率小于-10dBm时,检波器呈线性,灵敏度为0.2mV/μW;当负载开路时,灵敏度不小于0.4mV/μW。在此频率范围内,输入功率在0.02～1.0mW内变化时,驻波系数均小于1.8。     

W 波段检波器的研究与设计

本文介绍了一种中心频率为94GHz,带宽为4GHz,应用检波二极管制作的微带检波器的设计方法。该检波器输入端口为WRl0标准矩形波导,输出为SMA接头,通过对脊鳍线渐变的方式实现波导到微带的过渡。设计出的检波器为负向检波,当输入功率为-20dBm时,在中心频率处测的电压灵敏度大于320mV/mW。     

W波段集成化收发组件设计北大核心CSCD

基于混合微波集成电路技术(HMIC)设计了一种W波段小型化高频收发组件。该收发组件由固态发射机、环形器和接收机三部分组成。发射支路输入信号经过倍频放大后进入二选一开关,输出到天线自检口或经由环形器输出。为了实现高输出功率,该组件采用功率合成的设计思想,通过3 dB波导桥结构实现对两路功放的合成,解决了单个单片功率放大器的输出功率有限的问题。所设计的收发组件整体尺寸为125 mm×90 mm×26.5 mm。实测结果表明,在90~96 GHz工作频带范围内,遥测电压4.23 V。该收发组件的发射部分输出功率范围为33.6~35.4 dBm,开关隔离度大于110 dB;接收部分增益范围为30.2~33 dB,噪声系数小于6.5 dB。该组件具备良好的射频性能,同时实现了高集成度、大功率、高增益、高隔离度的要求。     

用于高速串行收发器的低功耗静噪检测器

提出了一种基于0.13 μm CMOS工艺实现的低功耗静噪检测器,可应用于通用串行总线(USB)等高速串行数据链路。该静噪检测器包括电平转换器、比较器和输出检测器。电平转换器中,引入了基准电流源和电流镜,电源电压较传统电路降低20％以上。仿真结果表明,在1.35~1.65 V电源电压、0℃~70℃温度范围内,在480 Mbit/s输入数据速率下,静噪检测阈值电压的最大值、最小值分别为140 mV、106 mV。电路面积为0.036 mm²,功耗仅为3.7 mW@1.5 V。     

一种W波段高输出功率放大器模块

提出了基于GaAs 微波单片集成(MMIC)的W波段高输出功率放大器模块。该模块包括MMIC功率放大器(PA)和波导-微带转换结构。采用功率合成技术和微带耦合电容,实现了低损耗匹配网络,提高了PA的增益和输出功率。采用阶梯匹配网络,拓宽了微带转换过渡的带宽。测试结果表明,在75~105 GHz频率范围内,波导-微带转换结构的插入损耗为0.9~1.7 dB,回波损耗小于11 dB; 在90 GHz频率时,PA的增益S21大于10 dB, 输入/输出反射系数S11/S22小于-10 dB,饱和输出功率为19 dBm。     

高速、高精度脉冲延迟电路设计与应用

文章简述了基于门控振荡器的高精度脉冲延迟调节与时钟再生电路工作原理。电路设计和实现方法,以及在高速数字集成电路测试系统中的应用和延迟精度校准方法。     

A W-Band Air-Cavity Filter Integrated on a Thin-Film Substrate

In this letter, a W-band air-cavity filter has been developed on a thin-film substrate using a lossy silicon substrate as a base plate, which is suitable for a mm-wave system-on-package. The lossy silicon suppresses a parasitic substrate mode excited in a thin-film substrate, while a coupling loss between a transmission line and a resonator is minimized by etching the backside of the lossy silicon substrate underneath the coupling area. In the backside etching process, 70 mum of silicon was left for mechanical support of the thin-film substrate. The resonator was fabricated using a low-cost silicon micromachining technique and was flip-chip integrated on a thin-film substrate. The fabricated air-cavity resonator showed an unloaded Q of 851 at a resonant frequency of 94.18 GHz. Improvement in the coupling loss by the backside etching process was verified with measurement results. The fabricated filter exhibited an insertion loss of 1.75 dB and a return loss better than 14.5 dB with a 1.3% 3 dB fractional bandwidth at a center frequency of 93.8 GHz.     

高速光器件的光集成及光电集成

本文介绍了高速激光器的现状，并综述了高速激光器的光集成和接收机的光电集成。最后，讨论了光集成和光电集居技术及今后的发展。     

半导体激光器高速驱动源

本文介绍满足ＤＦＢ激光器高速特性测试要求的一种半导体激光器高速驱动源的设计要点、测试结果和使用情况。