不同条件对超快非线性干涉仪开关窗口的影响

对单臂结构的UNI的工作原理以及开关窗口的形成原因进行了描述,并用Optisystem3.0对UNI开关窗口进行了模拟,分析延时、SOA的偏置电流、控制光功率以及连续光功率等条件对UNI开关窗口的影响,从而实现最佳的开关窗口。     

超快非线性干涉仪及其在高速全光信号处理中的应用

本文介绍了一种基于半导体光放大器的单臂干涉仪一超快非线性干涉仪的基本原理,并首次利用Ｊｏｎｅｓ矩阵对超快非线性干涉仪进行了理论工将研究半导体光放大器的理论引入分析超快非线性干涉仪。研究了其在高速全光信号处理中的各种。     

SOA注入电流及载流子寿命对UNI开关窗口的影响

对影响超快非线性干涉仪(UNI)开关窗口的半导体光放大器(SOA)的注入电流及载流子寿命进行了数值模拟实验研究。由于SOA的增益与其注入电流I成正比,与载流子寿命τc成反比。基于此分析了这两种因素对UNI开关窗口的影响,加大注入电流可以提高SOA的增益,使得UNI开关窗口的高度增加;减小载流子寿命使SOA的恢复速度加快,有利于开关窗口的形成。进行了10Gb／s的UNI全光开关实验,实验中用连续光代替数据脉冲以观察窗口形状,通过改变SOA注入电流进行验证。实验表明,在窗口形状不变的条件下,应选用尽量大的SOA注入电流,可使窗口高度增加,与模拟结构基本吻合。     

40 Gbit/s全光异或门性能仿真

为了提高基于SOA-MZI结构的全光异或门的输出消光比,优化系统性能,将SOA和HNLF相结合,在光通信系统设计软件OptiSystem7.0仿真平台上搭建了基于SOA-MZI的全光异或仿真实验模型,对两路40 Gbit/s的RZ码数据信号进行了全光异或仿真实验。利用HNLF的非线性效应设计了一种优化结构对基于SOA-MZI的全光异或输出信号进行优化,并对优化前后的信号时域波形图和系统眼图进行了比较分析,通过多次反复实验得到一组最佳的系统参数,使得基于SOA-MZI的全光异或门的输出消光比从10 dB提高到约28 dB。实验结果表明:常规的基于SOA-MZI的全光异或门由于相消干涉不彻底造成输出消光比较低,而经过优化,很好地解决了这种问题,提高了异或输出消光比,优化了系统性能。     

10 fs超快聚苯乙烯非线性光子晶体全光开关

全光开关是进行快速光信息处理、全光集成的关键器件。自从1987年光子晶体提出之后,光子晶体全光开关吸引了很多研究者的兴     

采用SOA-Sagnac光纤干涉仪的AOWC研究与实验

对采用SOA—sagnac光纤干涉仪的全光波长变换器(AOWC)从理论上进行了较为详细的研究，首次根据光路合成法求出SOA—Sagnac光纤干涉仪的响应函数。并构成了一套实验系统，测量了SOA的增益、带宽与输入光功率的关系，测量了输出信号的消光比以及输入、输出信号的波形和眼图。并对它们进行了比较。     

高速光时分复用系统中干涉仪全光开关在解复用应用方面的比较

研究了三种干涉仪全光开关。在相同条件下，测量了这三种开关装置不同宽度的开关窗口：引入综合对比率(ICR)估算开关窗口的开关性能．利用ICR．比较这些开关，并讨论它们以40、80和160Gb/s数据速率在光时分复用(OTDM）系统十作为解复用器的应用。     

基于非线性效应的光学逻辑门研究

光逻辑门是未来全光网络中光信息处理的核心元件,它可以实现高速光包交换,全光地址识别,数据编码,奇偶校验,信号再生等功能。介绍了几种基于非线性效应的全光逻辑门,分析了它们的系统结构和工作原理,并对各自的特点进行了比较,指出光逻辑门在未来的发展方向及应用领域。     

超快全光开关的实现途径

光开关是光纤通讯系统中的一个重要器件,光开关能根据外加的激励源,有选择性地把光信号从一根光纤传送到另一根光纤.外加激励源可以是力或外加电场、磁场、电磁场等.     

10 Gbit/s四波混频型全光波长转换器的实验研究

利用自行研制的半导体光放大器(SOA)对四波混频(FWM)型波长转换器进行了实验研究。在10Gbit / s调制速率下,频率失谐达500GHz时仍现察到理想效果的四波混频型波长转换现象。研究了输出端各波形调制格式的关系,结果验证了基于半导体光放大器四波混频型波长转换中,泵浦光与信号光功率之间的关系对转换结果有直接影响。     

光注入X结GaAs全光开关的设计

设计了一种基于全内反射原理和光生载流子注入效应的X结全内反射(TIR)全光开关。通过对传统X结的改进提高了器件的性能。模拟结果表明．改进后的X结的消光比可以达到30dB左右。串音小于-30dB。同时分析了该全光开关所具有的速度优势,其开关速度可达10^0～10^2ns。     

基于半导体光放大器的四波混频型全光波长转换器

本文报道了基于自行研制的半导体光放大器（SOA）的四波混频（FWM）型全光波长转换,采用环型腔掺铒光纤激光器（EDFL）作为泵浦源,实现了转换波长的连续可调。并就波长转换间距、光放大器的小信号增益和输入泵浦光功率对转换效率的影响进行了理论与实验分析,结果表明高的SOA增益和较大的输入泵浦光功率须利于转换效率的提高。     

毫秒有机聚合物薄膜全光开关

用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和偶氮染料DRl以一定的比例混合，制成各向同性均匀薄膜样品。用经斩波器调制的线偏振氩离子激光(514nm，CW)作用样品产生光致双折射。作为探测光的线偏振氦氖激光(633nm，CW)经过样品，在与其原来偏振方向垂直的检偏器后的透射光强强度受控制光的调制作用，实现了光控光的全光开关效应。通过改变控制光的光功率及薄膜样品的温度。对样品的开关响应速度和开关调制深度进行了研究。在一定的实验条件下，用毫瓦量级的控制光功率实现了几个毫秒的开关响应速度和60％以上的开关调制深度。     

基于半导体光放大器的光单稳态触发器

为实现全光缓存中的光读写控制和光逻辑判断,提出并实验验证了一种基于半导体光放大器(SOA)双环结构的全光单稳态触发器。此触发器的稳态与非稳态激射不同的光波长,状态间静态消光比超过40 dB,切换时间仅仅为1-2个环腔周期,控制信号光波长范围大。通过减小环腔长度可进一步减小两状态之间切换时间,并可作为光缓存的控制单元。     

140 Mbit/s全光波长转换的实验研究

对基于半导体光放大器交叉增益调制的波长转换进行了实验研究。实现了速率为１４０Ｍｂｉｔ／ｓ 信号的１．３１５２ μｍ 和１．３０１４ μｍ 间的波长转换。并对实验结果作了解释     

半导体光放大器的超快动态增益特性

提出了一种包括载流子密度脉动(CDP)、载流子加热(CH)和光谱烧孔(SHB)效应在内的半导体光放大器(SOA)的时域动态模型。利用该模型分析了半导体光放大器中的增益饱和、超快增益动态以及光脉冲在增益饱和半导体光放大器中的波形畸变,其中重点考虑了超短脉冲的情况。模拟计算表明,对于10ps量级以下的短脉冲,分析半导体光放大器的动态增益特性时,不能忽略载流子加热和光谱烧孔等带内超快非线性效应的影响。