固态面粉中维生素B6的荧光法直接测定

利用荧光光谱法对固体粉末面粉中痕量维生素B<,6>(VB<,6>)含量进行了研究.通过测量添加有VB<,6>的硫酸钡固体粉末样品,得到峰值波长为405 nm的荧光光谱图,其荧光强度与VB<,6>含量呈线性关系,相关系数R=0.9976.采用上述方法对面粉样品进行测量,得到峰值波长为390 nm的荧光光谱图,其荧光强度与...     

退火对离子注入GaN产生的深能级的影响

我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响。表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱 ,由于电子陷阱俘获导带电子 ,导致发光猝灭。而经一定条件的退火处理 ,可使深的电子陷阱发生变化 ,因而与缺陷间的跃迁相关的黄色荧光可得到一定程度的恢复。由于注入样品的电阻率高达 1 0 1 2 Ω·cm ,因此不能用已有的常规方法测量。我们为此发展了一种称为“光增强电流谱”(PSCS)新方法 ,用于测量高阻样品中的深能级。研究发现 ,在经过快速退火处理的样品中 ,不能消除由于注入产生的准连续深能级带 ;而在某种常规条件退火的样品中 ,发现了 5个位于导带下 1 .77eV ,1 .2 4eV ,1 .1 6eV ,0 .90eV和 0 .86eV的深电子陷阱 ,它们都是Al+注入经退火后形成的稳定结构。实验发现退火使注入产生的准连续深能级带转变为独立的深能级结构 ,虽不能使GaN的本征发光得到恢复 ,但对黄色荧光的恢复是有利的。此研究有助于了解退火处理对离子注入的GaN的电学结构与发光产生的影响。PSCS的意义在于它适用于测量一切高阻半导体样品中与非辐射跃迁相联系的深陷阱能级 ,而不仅仅适用于测量Al+注入GaN产生的深陷阱能级     

掺铒玻璃样品的荧光谱测量

介绍了一种掺Er^3 玻璃样品的制作方法，测量掺Er^3 玻璃样品的透射光和反射光的荧光谱特性、样品在双向泵浦时的荧光谱特性及吸收谱特性。实验结果表明，透射光的荧光谱强度大于反射光的荧光谱强度；当反射光实验中掺Er^3 玻璃样品的背面贴有镀Al反射镜时，反射光荧光谱强度则大于透射光荧光谱强度，双向泵浦的荧光谱证明，荧光谱强度与泵浦激光器的输出波长有关。     

快速光热退火制备多晶硅薄膜

用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短.用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量.对部分样品的照射光做了滤波,滤掉了波长600 nm以下的光,发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响.     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AlN薄膜

用直流反应溅射淀积的ＡｌＮ薄膜包封介质对ＧａＡｓ进行了贯穿注入和包封退火，用电化学Ｃ－Ｖ法测量载流子的分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟结果符合得很好，用５０ｎｍ的ＡｌＮ包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率，应用ＡｌＮ包封层后，当注入能量１８０ｋｅＶ，注入剂量７．５×１０＾１３ｃｍ＾－２时，所得到的最高载流子浓度为１．８４×１０＾１８ｃｍ＾－１样品方块电阻为１１     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜

用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C－V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后，当注入能量180keV，注入剂量7．5×10~13cm~－2时，所得到的最高载流子浓度为1．84×10~18cm~－3，样品方块电阻为118Ω／□。     

半绝缘InP注硅的无包封退火

掺Fe半绝缘 InP材料室温下注入Si~+,在 650℃无包封退火15 min,辐射损伤已可消除;但是Si的充分电激活则需要较高的退火温度.无包封下即使在 750℃退火 30 min,样品表面貌相也未被破坏.用能量E=150keV注入Si~+、剂量φ为1× 10~(13)、5 × 10~(13)和1×10~(14)cm~(-2)的样品.在750℃无包封退火15min,最高载流子浓度n_s分别是8×10~(13)、3.9×10~(13)和 6.3 ×10~(13)cm~(-2),其中φ为 1×10~(13)cm~(-2)的样品,霍耳迁移率μ_n为 2100 cm~2/V·scc.     

高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料

对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨.     

高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘材料

对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表明IP-SI InP衬底具有很好的电学性质和均匀性,而PP-SI的均匀性和电学参数都很差.在IP-SI样品的PL谱中出现与深缺陷有关的荧光峰.光激电流谱的测量结果表明:在IP气氛下退火获得的半绝缘磷化铟中的缺陷明显比PP-SI磷化铟的要少.并对退火后磷化铟中形成缺陷的机理进行了探讨.     

注硅InP的包封与无包封热退火

半绝缘InP单晶离子注入硅后,进行了包封与无包封热退火研究。结果表明:用SiO_2膜作包封层的注Si~+InP样品在热退火温度达580℃时开始龟裂,而退火温度高达750℃才能开始激活。用磷硅玻璃作盖片的无包封热退火,在720～750℃范围样品表面光亮,激活率为30～95％,霍耳迁移率最高可达1900cm~2/V·s,薄层电阻最低可达203Ω/□。实验中采用高纯氩气作为保护气体,比传统使用的氢气安全、简便。     

氢化的无定形GaAs的光吸收及其退火研究

本文报道氢化的无定形GaAs(a-GaAs:H)的光吸收边谱的详细测量结果.样品是在Ar和H_2的混合气体中用射频溅射方法淀积在石英衬底上的.研究了真空热退火对光吸收的影响.在大约300℃的退火温度之上,在低能区观察到一个光吸收尾,它向上延伸到～1.2eV,与指数吸收区重叠,向下延伸到0.6eV的能量范围.我们认为它与价带边的缺陷态和能隙中的缺陷态之间的光跃迁有关.     

半绝缘砷化镓EPR谱的异常退火特性

中子辐照的水平生长出绝缘GaAs(样品A)、原生的和塑性形变的直法拉制半绝缘GaAs(样品C和D),都给出一组四线谱,但在不同的样品中呈现不同的退火特性:样品A经125℃三小时退火后,EPR谱有部分光猝灭效应,加长退火时间,光猝灭效应消失,表现出异常的退火特性;而样品C和D,则无光猝灭效应.     

X光衍射法测量YAG的钕含量

YAG的钕含量,通常应用X光荧光数据这方法灵敏度较高且迅速,但分析结果与标准样品及被分析样品表面状态有关,数据不易统一,加上晶体生长条件不同,数据差别很大,如资料[1]测出k为0.21,资料[2]大约在0.12至0.14之间,资料[3]为0.18,并把它作为平衡分布系数。本工作是在X光荧光工作基础上试用X光衍射法作为测量晶格中钕含量的一种辅助手段。     

基于超短脉冲激光光谱技术诊断癌症的研究

目的:研究用于癌症诊断与治疗的光敏剂血卟啉(HPD)的超快光动力学过程;方法:采用超短脉冲激光光谱技术和皮秒时间相关单光子计数系统,测量经血卟啉培养的活体癌细胞与正常细胞的荧光光谱、荧光寿命特性及荧光峰值强度随时间变化曲线,并测量单一细胞内部不同位置的荧光寿命特性;结果:癌细胞样品在645nm处具有特有的光谱谱峰;癌细胞样品荧光寿命的快成分约150ps慢成分约1200ps,而正常细胞样品快成分约300ps慢成分约2500ps;癌细胞样品的荧光峰值强度经12小时衰减约10%,而正常细胞样品衰减约55%;在细胞内部荧光寿命300ps的快成分十分显著,且中心部位血卟啉浓度最高;结论:癌细胞与正常细胞的荧光光谱、荧光寿命特性及荧光峰值强度随时间变化曲线相差十分明显,反映了癌细胞与正常细胞对血卟啉亲和性有显著的差异;测量结果确认了荧光光谱技术诊断与治疗癌症的可行性,并对发展超短脉冲激光光谱技术早期诊断与治疗癌症具有重要的指导意义和临床应用价值。     

维生素B2固体粉末荧光偏振特性及其检测

将固体表面荧光法和荧光偏振测量相结合,直接利用固体粉末进行荧光偏振检测,研究了维生素B2固体粉末的荧光偏振度及其特性。实验结果表明,维生素B2固体粉末的荧光偏振度受激发光入射角影响;当样品粉末紧密度大于0.6667时,紧密度不会对荧光偏振度产生影响。在激发光入射角为45°条件下其荧光偏振度为0.4178。该结果为使用维生素B2水溶液进行荧光偏振检测的结果的1.42倍。对维生素B2固体粉末连续进行6h照射激发,其荧光偏振度检测结果在误差范围内保持稳定。     

利用二次荧光测定镀膜厚度的研究

为了弥补目前采用的各种镀层厚度测量方法之不足,本文提出利用镀层元素一次X光激发的基底金属二次荧光进行膜厚测量的设想,并推导出相应的计算公式。在扫描电镜—X射线能谱仪及电子探针仪上对不同镀膜厚度样品的镀层及基底元素的荧光强度进行测量并按上述公式计算出镀膜厚度,其数值与扫描电镜截面法直接测量的结果吻合,证明这种方法是适用的。与电镜下直接测量膜厚的方法相比,二次荧光法不破坏样品的完好性,而且可以同时对镀层的表面质量进行观察和分析。     

退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响

首次报道了用不同浓度的Al离子注入于蓝宝石衬底上的GaN薄膜（注入能量为500keV、注入浓度为10^14-10^15cm^-2），在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在12K下用He-Cd激光（325nm）激发得到其发射谱。结果显示，经大剂量Al注入后的样品，其光致发光谱中3.45eV的带边激子发光以及2．9－3．3eV的4个声子伴随峰消失，此表明大剂量Al注入对GaN的晶体结构造成严重的损伤，以致本征发光消失。经10^14cm^-2剂量Al注入后的样品，在N2气氛中退火处理后，2．2eV缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且，经常规退火处理后，此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好（其积分光强高3倍）。相似的结果亦显示于10^15cm^-2浓度的Al注入的样品。2.2eV黄色荧光源于GaN的缺陷(如Ga空位VGa)，或VGa-H2,或VGa-ON复合体），其能级位于价带顶以上约1.1eV处。荧光发射可以来自“导带－缺陷能级”的跃迁，也可能来自浅施主（如N位O，能有位于导带下－10meV）至上述缺陷能级之间的跃迁。I－V测量显示，Al的注入区成为－10^12Ω.cm^-1高阻膜，这表明Al的注入可能产生了某种深的电子陷阱，由于电子陷阱可俘获导带电子，导致发光猝灭，而退火可使与黄色荧光相关的缺陷得到部分恢复，因而2.2eV发射峰有所恢复。     

Zn-ZnO纳米结构的制备及退火条件对其光学性能的影响

用电化学沉积方法在Si衬底上制备出Zn-ZnO纳米结构,并在空气中不同温度的条件下对其进行退火处理.分别用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和荧光光度分光计对所得样品进行表征.通过对测试结果的分析和讨论发现,退火过程改变了Zn-ZnO纳米结构的物相、结构和晶体质量,进而改变了它的荧光性能.重点关注退火过程对样品紫外荧光峰的影响,并通过高斯拟合揭示了各条件下紫外荧光峰的发光机理.通过比较,800℃的退火条件能明显改善Zn-ZnO纳米结构的表面形貌和晶体质量,显著增强其紫外荧光峰的强度.     

利用光丝诱导荧光光谱测量单质碘升华过程

利用飞秒激光大气成丝高强激光诱导荧光非线性光谱对碘单质升华过程进行了研究。研究结果发现飞秒光丝可诱导升华到空气中的碘分子产生清晰特征荧光谱。通过监测碘分子在341.6nm(D→X~1Σ_g~+跃迁)处的荧光谱线,利用时间分辨测量方法观察到碘分子荧光强度随着加热温度以及测量位置与固态碘样品距离的变化而明显变化,展示了光丝诱导荧光光谱技术应用于物态变化规律探索的可行性。     

溅射GaAs SOI电子束退火再结晶及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶

本文首次报道了溅射GaAs SOI电子束退火再结晶以及MBE GaAs SOI高频感应石墨棒热退火再结晶.对实验所得SOI样品,用ED和TEM分析GaAs 薄膜的结晶性,用X-射线衍射测量薄膜表面的择优取向,用霍耳效应测量定出载流子浓度和迁移率.