外延层电阻率四探针与C－V测试的差异及校正

采用四探针与C－V两种测试仪器，对同一参数的外延片电阻率进行测试，测试结果表明，用四探测针试外延陪片和C－V测试处延片，测得的外延电阻率存在差异。分析造成差异的原因，得出了符合要求的校正系数。     

全自动四探针电阻率测试装置

一、概述全自动四探针电阻率测试装置是为硅单晶电阻率标准量值传递而研制的,但也可以作为一般硅单晶片的电阻率测试用.该装置已于去年十月通过国家鉴定.以后又经过半年多的应用考察,取得了满意的结果.故作如下介绍,仅供参考.     

p型硅外延层电阻率的控制

计算表明，ｐ型硅外延层的电阻率对其生长速度和生长温度的变化都是十分敏感的。为了保证ｐ型硅外延片的电阻率具有良好的可控性和重现性，除了充分抑制重掺硼衬底的自掺杂作用外，还需十分严格地控制硅外延片的生长温度和速度。     

硅外延层电阻率测量值一致性研究

外延层电阻率是外延片的重要特征参数之一。如何准确地测量外延层电阻率，以满足器件研制的需要，是检测人员所关注的一个重要课题，对目前常用的几种外延层电阻率测量方法进行了比较，指出了其各自的优缺点，讨论了测量中存在的问题，针对这些问题，采取了相应的措施，试验和分析结果表明，几种测试 方法的结果获得了相当好的一致性，测量相对误差可控制在５％以内，能够满足现有器件对外延片电阻率精度的要求。     

用高频电容法测量P／P外延层电阻率

高频电容法是测量P／P~+外延层电阻率的一种简单易行的新方法。这种方法，直接利用同质均匀掺杂外延层电阻率ρ与空间电荷电容Cs（势垒电容）平万的倒数关系，通过测量势垒电容Cs，直接得到P／P~+外延层的电阻率ρ。从而实现对P／P~+外延片的生产第艺过程，进行监控测试。这种方法，不但测试过程简单，而且，不损伤外延层。它既可以在国外仪器上完成，又可以在国内仪器上完成，适用于我国一般IC单位。在国外仪器上，测量范围为2．20×10~(－4)Ω·cm～1．95×10~5Ω·cm，测量误差为±0．02％：在国内仪器上，电阻率测量范围为1．0×10~(－3)Ω·cm～1．0×10~5Ω·cm，测量误差为±2％。     

测定外延层电阻率的面接触方法研究

评论了美国科学家C.C. Allen等于1966年发表的“测定外延层电阻率的点接触方法”之论文的局限性,从而提出了本方法。本方法从理论上解一维Poisson方程并与C.C。Allen法的公式相比较,获得某些公式。文中导出了面接触方法雪崩击穿电压V_(Ba)~∞(V)及点接触方法雪崩击穿电压V_(Bp)~∞(V)的比值为V_(Ba)~∞=0.456;同时还导出了点接触方法外延层耗尽层宽度为t_(min p)(μm)和面接触方法外延层耗尽层宽度t_(mina(μm)的比值为t_(minp)/t_(mina)=2.565。在实践上,为证实两种模型的功能,利用两种探针进行了对比测试。一种是通常被采用的点接触锇尖探针:另一种是利用φ0.8±0.1mm的银针,在银针顶上吸上φ0.4±0.1mm的汞球,以实现面接触。理论和实验吻合良好。     

非平面多层外延双极功率集成电路工艺

用廉价的方式把数字、模拟和功率元件集成在单片衬底上的市场需求,在许多应用方面的重要性正在持续的增长。本文描述非平面多层外延双极型功率集成电路的工艺,此工艺特别适用于低成本电源的应用,例如串联—通道稳压器。本概念能提高晶体管特性,并能扩展到更为复杂更高性能的智能功率集成电路的应用领域。     

混合电路用导电胶及其体电阻率的测试

介绍了MCM混合电路用导电胶的组成及其工艺特点，对两种测试导电胶体电阻率的方法进行了探讨，并对其优缺点进行了比较。此外，还简要介绍了混合电路用导电胶的发展动向。     

硅片少子寿命的直排四探针测试

用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时,减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少,根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系,求得少子寿命．     

硅片少子寿命的直排四探针测试

用直排四探针方法测试硅抛光片的电阻率时 ,减少表面复合和增大测试电流故意引进注入使电阻率减少 ,根据电导率与少数载流子寿命成正指数增加的关系 ,求得少子寿命     

积分C—V法测量杂质纵向分布均匀的硅外延层电阻率

本文提出了积分Ｃ－Ｖ法，它适用于杂质纵向分布均匀的外延层电阻率的测量。该方法简便。在上述外延层上，微分Ｃ－Ｖ法、Ｃ－Ｖ法和本法－积分Ｃ－Ｖ，实验结果三方法吻合良好。     

高压VDMOS用外延片的外延参数设计

通过理论计算,对VDMOS器件的外延层厚度和掺杂浓度进行了优化设计,探讨用于VDMOS的外延工艺,讨论了外延层厚度和过渡区的测试方法,提出了有效外延层厚度是影响击穿电压的最关键参数,应用此参数监控外延工艺,提高了片内及批次间的击穿电压一致性.特别通过对600 V的VDMOS外延参数及其器件结果分析得出,用此参数来调整中间和边缘厚度及不同外延设备之间的参数,使同种参数下有效外延层厚度保持相当,则可以大大减少离散性和设备间变差.     

直排四探针电阻率硅圆片非圆心点直径修正因子F2的简易求法

介绍Si片电阻率和薄层电阻的四探针法测量中,一种简便而精确的求非圆心处F_2值的方法.     

四探针Rymaszewski法电阻率测量新型电路

为了适应半导体生产工艺发展的要求,我们开发了一种利用改进的Rymaszewski法进行四探针硅片电阻率测量的单片机电路。它主要包括恒流源和电压测量电路两部分。它不仅可以显示恒流源电流以便在其发生变化时进行调整,而且可以方便地实现四根探针分别经过四次轮换供给电流和测量电压,进而提高测量结果的精确性。     

探针加力对电阻率测量的影响

电阻率是半导体材料的重要电学参数之一，对于最常见的硅单晶材料而言，也将直接影响到其功能特性，通过对单晶施加的不同探针加力得到所测量单晶的电阻率相对标准偏差与相对误差，探讨四探针法测量连续硅单晶电阻率的准确度问题，150gf加力下测试标准偏差相较于其他加力降幅明显，但120gf加力下测试相对误差相比于其他测试加力降幅最大可达 1％，因此120gf加力附近时，探针与硅片表面的接触相对另外选取几个加力选取值来说可以达到最优状态。     

在双极型集成电路生产中高阻外延的问题

在双极型集成电路生产中,某些品种的电路,特别是线性电路,要求其外延层的电阻率为1.0～7.0Ω·cm,通称为高阻外延层。 在生产实践中,我们发现,使用在水平反应室内用SiCl_4+H_2热还原法生长的n型高阻外延层制造管芯时,有些片子可以制出合格的     

单点圆形模型──直线四探针测量金属/半导体的接触电阻率

本文提出一种用直线四探针测量金属/半导体欧姆接触的接触电阻率ρ_c的简捷方法──单点圆形模型。样品制备只需一个圆形金属电极,导出了ρ_c的表达式。如果样品不是半无限大,而是有一定厚度的薄片,则必须进行修正,给出了导电与绝缘界面两种情况的修正因子。根据这个模型,进行实验测量和计算,所得结果与文献报道一致。