非晶氧化铁气敏元件的制备与性

众所周知,与γ-Fe_2O_3相比,α-Fe_2O_3气敏材料的灵敏度较低,而且工作温度较高(一般在400℃左右),但是由于α-Fe_2O_3具有很高的稳定性,而且具有热、电、光等多种功能,因而近年来对此气敏材料的研究受到了普遍的重视.γ-Fe_2O_3是根据表面的氧化还原而导致的电导变化进行检测的,但α-Fe_2O_3的气敏机理还不很清楚,一般认为它也具有与γ-Fe_2O_3相似的体控制机理,即还原性气体与α-Fe_2O_3表面接触还原α-Fe_2O_3生成Fe_3O_4而使元件的电导增加,Fe_3O_4再与空气反应生成α-Fe_2O_3使电导降低.     

QM-Y1型ZnSnO_3气敏元件的研究

<正> 半导体气敏元件是一种“气-电”转换元件,目前进入实用阶段的有SnO_3系列、ZnO系列及Fe_2O_3系列。除Zn_3SnO_4的气敏性质有报导外,以ZnSnO_3为主体材料的气敏元件则至今未见文献和专利报导。本文研究了ZnSnO_3     

常温α-Fe_2O_3气敏元件

研制成功一种新型常温α—Fe_2O_3~-气敏元件。该元件是在 SnO_2基质材料中加入适量的α—Fe_2O_3~-,而不加任何贵金属。该元件具有大的比表面积,142m~2/g,以及具有微晶和无定型结构,因此对 H_2、LPG、煤气有较高的灵敏度。然而,对 CO 和 CH_4不敏感,所以该元件有一定的选择性。该元件还有一个特点就是不需要加热,这样具有低功耗、工艺结构简单、成本低、稳定等优点。对元件机理进行简单讨论。     

掺杂α—Fe_2O_3的气敏材料特性

报道了在SnO_2、ZnSnO_3基体材料中掺有α—Fe_2O_3金属氧化物作催化剂的半导体气敏材料的性能。实验表明,在不同基体材料中掺入不同比例的α—Fe_2O_3后,元件静态电阻R_0及元件对甲烷(CH_4)、丁烷、乙醇等气体性能随掺杂比例不同而改善,而对一氧化碳(CO)、汽油等气体性能改善不大。此外,α—Fe_2O_3掺杂使元件的可靠性、长期稳定性得到明显提高。     

γ—Fe_2O_3陶瓷气体敏感元件

利用半导体r赤铁矿(即γ—Fe_2o_3陶瓷)研制出一种对易燃气体敏感元件,这种气敏元件是利用γ—Fe_2o_3半导体陶瓷具有显著的对气体敏感的现象制成的。从加速试验可以估算气敏元件的寿命,解释敏感性和老化机理。这种气敏元件适于作液化石油气的检测器和气体安全系统,它的优点是灵敏度高,稳定性好。文中还将阐述气敏元件的敏感特性,工作机构和可靠性。     

Fe2O3的CO气敏特性的研究

本文研究了γ-Fe_2O_3材料的制备和掺杂对CO气敏特性的影响。实验表明用硫酸盐制备的γ-Fe_2O_3材料具有相对高的灵敏度,进行适当的Ti-Rh复合氧化物掺杂又明显提高了γ-Fe_2O_3材料对CO的灵敏度。讨论了该掺杂的量对CO灵敏度的影响,及相应元件的基本性质。     

补偿式气敏元件的研究

提出了由n型气敏材料和p型气敏材料构成的补偿式气敏元件的原理及实现补偿的条件.据此原理制作了由γ-Fe_2O_3和LaFeO_3构成的补偿式元件.该元件有效地克服了乙醇的干扰,提高了对丁烷的选择性.     

γ一Fe_2O_3气敏材料的制备及掺杂研究

作者以不同铁盐与NaOH反应,用共沉淀法遴选出了较好的γ-fe_2O_3气敏材料;再通过多种掺杂,研究杂质对材料灵敏度的影响,寻找γ-Fe_2O_3,对CO、H_2、LPG灵敏的适宜掺杂剂,以促进γ-Fe_2O_3,气敏元件的实用化.同时,作者又通过对掺杂物热力学数据的研究,初步发现了一条选择合宜掺杂剂的规律.     

过渡金属氧化物掺杂氧化铁气敏性能的研究

<正> 金属氧化物气敏材料,目前主要有SnO_2系、ZnO系、Fe_2O_3系商品化的三大类。其中氧化铁系气敏材料价格低廉,粘着力好,不需要贵金属催化剂等优点,八十年代开始大量研究。但是由于α-Fe_2O_3灵敏度较低,而γ-     

氧化铁薄膜的PCVP过程 及其气敏性能初探

由于α-Fe_2O_3具有较高的化学稳定性,一般认为它无气敏效应,后来才发现微细化、低结晶化及薄膜化的α-Fe_2O_3具有显著的气敏性,因此其气敏效应的发现晚于γ-Fe_2O_3。现已有了实用化的α-Fe_2O_3气敏元件,因而研究微细化的α-Fe_0O_3薄膜气敏村料成为必要,这对于材料的稳定生长和质量控制以及薄膜生长的微机控制都具有现实的意义,而研究氧化铁气敏薄膜的成膜工艺及动力学目前还未见详细报道。 实验是在一个真空反应管内进行的,衬底用电炉加热,温度由水银计显示,用10.5MHz高频电场等离子体激发源,以二茂铁为源材,以氧气为氧化剂兼作载气。氧     

基于复合气敏材料WO3/SrAl2 O4的硫化氢气体传感器

采用溶胶—凝胶法制得WO3/SrAl2 O4复合气敏材料.经过工艺加工制得旁热式厚膜陶瓷元件在密封的气室内测试,获得了对H2 S气体具有良好灵敏度、选择性和响应恢复性的气敏元件.为检测和治理生产生活中的H2 S污染,提供了可供参考应用的气敏传感元件.     

NiFe2O4纳米材料的气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和NiCl2*6H2O为原料,通过新型化学共沉淀法制备了纳米尺寸的NiFe2O4粉体,利用XRD、TEM等手段研究了其结构特性.NiFe2O4是一种新型的P型半导体气敏材料.以NiFe2O4纳米粉体为原料制备了烧结型旁热式气敏元件,该元件对甲苯具有较高的灵敏度和好的选择性,并对气敏机理给予了解释.     

PCVD法超微粒α—Fe2O3的敏感特性

普通的α—Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。由于加入了SO_4~(2-)和 M~(4+)(M=Sn,Ti,Zr)使其微细化后成了具有实用价值的气敏材料。通常被用于检测烷烃等可燃性气体。在此基础上,用超微粒 Au 敏化的 Ti—α—Fe_2O_3材料实现了对 CO 的选择性检测。研制超微粒化、薄膜化和复合化的α—Fe_2O_3新型材料是当前气敏材料研究领域的一个重要课题。一、实验方法利用文献的方法合成超微粒氧化铁,并制成管状气敏元件,经热处理获得所需气敏元件。采用外加热动态脉冲法测试其气敏性能,用 Ra/Rg 表示气敏元件的灵敏度。     

超微粒氧化铁的制备与气敏性能的研究

本文采用PCVD法制备了纳米级的超微粒氧化铁气敏材料.用这种材料制备的气敏元件具有工作温度低、灵敏度高、响应速度快、稳定性好等优点.不需掺杂,改变工作温度和热处理温度便可获得对酒精蒸汽和C_2H_2气体具有选择性的气敏元件.这种材料像SnO_2,ZnO气敏材料一样,在205℃左右出现电导极值.超微粒α-Fe_2O_3的气敏机制属表面控制型.     

常温一氧化碳气敏元件制备及气敏机理研究

介绍了以SnO2 为主 ,掺入Al2 O3 ,MgO ,InO ,Pd等添加剂的常温CO气敏元件的制备方法。根据其晶体结构特点对气敏机理进行了探讨。论述了传感器的信息传感机制 ,即晶界势垒控制和晶粒大小控制机制同时存在。为获得性能良好的气敏元件 ,需要最佳的制备方法和最好的添加剂     

掺Sb2O3 的SnO2与Fe2O3厚膜的 电学行为及气敏特性

介绍掺入Sb_2O_3后的SnO_2和FeO_3(由γ-Fe_2O_3-热处理得到)气敏厚膜元件电阻和灵敏度的变化规律:对于SnO_2基元件,Sb_2O_3具有低掺杂(<4%wt)电阻变小,高掺杂电阻增大的作用,但气敏性降低;对于Fe_2O_3基元件,掺入Sb_2O_3后不但能降低电阻、提高气敏性,而且对丙酮的选择性也增强.指出Sb~(3+)→Sb~(5+)变化对上述效应起着重要作用,并探讨了Fe_2O_3基元件表面化学吸附增强的原因.     

γ-Fe_2O_3烧结感应体的气敏特性

本文介绍γ-Fe_2O_3气敏感应体气敏特性的研究结果。研究表明, 烧结型γ-Fe_2O_3气敏感应体对丙烷等气体具有较高的灵敏度以及较好的选择性,具有良好的湿度特性。它的失效机理主要在于一定温度下转变为无气敏性的α-Fe-2O_3。选择适当的添加剂及工艺处理可以推迟这种转变的发生。     

掺入α-Mn_2O_3和Al_2O_3对改善半导体气敏元件抑制乙醇气体能力的研究

γ-Fe_2O_3陶瓷气敏元件具有制作成本低、寿命长、对可燃性气体检测灵敏度高等特点。但是,这种元件用于家庭报警器存在一个致命的弱点,就是对乙醇气体的灵敏度较高,极易产生误报。为了解决这个问题,本文介绍一种抑制乙醇气体灵敏度的方法,即适当地选择α-Mn_2O_3和A_2O_的比例,便可以获得最佳的抑制效果。     

掺杂对CdSnO_3气敏性能的影响

研究了贵金属及金属氧化物对CdSnO_3气敏性能的影响.发现不同的Fe_2O_3、La_2O_3的掺入量对材料的气敏性能有不同的影响,贵金属Pt、Pd、Ag及某些金属氧化物对CdSnO_3的灵敏度和选择性也有影响.掺入La_2O_3及MgO的CdSnO_3可作酒敏材料,掺Pd的CdSnO_3可作乙炔敏材料.     

Fe_2O_3气敏器件制作工艺的研究

<正> 在制作Fe_2O_3气敏器件过程中,通常采用压制成形工艺和AU或Pt等贵重金属作电极。为简化工艺和降低成本,我们采用注塑成形工艺和Ni作电极,即用水把Fe_2O_3粉末拌成泥桨、注入细瓷管内,两端插入Ni丝作为电极,烘干和烧结后,靠材料收缩使器件自动与瓷管脱离。