基于平面肖特基二极管的W波段检波器

肖特基二极管技术为常温下毫米波信号的检测提供了有效的解决方案。它具有极低的寄生电容和级联电阻,可用于该频段的倍频器、混频器和检波器当中。相比于Galey Cell和热辐射测定器(Bolometer),基于肖特基二极管的直接检波技术具有低噪声、高反应率和常温使用的特点。本文介绍了一种基于波导结构的零偏置肖特基二极管检波器,采用E面探针传输波导基模电磁波,通过阻抗匹配实现微带线到二极管的耦合。测试结果表明,在-30 dBm输入功率下：电压反应率的峰值可达8 900 V/W;在75 GHz~105 GHz的频率范围内,电压反应率在1 000 V/W以上。     

二极管包络检波器无惰性失真的条件

图1所示的二极管检波器是无线电电子设备的基本电路之一,广泛用于检取调幅信号的包络.电路中,时间常数(τ=RC)的选择对检波器的质量影响很大,τ值过小将使检波效率下降,高频干扰增大.τ值过大,则因输出电压U_o跟不上调幅信号包络     

微波固体噪声二极管

本文根据Hines雪崩噪声理论,提出了微波固体噪声二极管参数的设计考虑。分析了据此研制成的噪声性能可控的固体噪声二极管,及用它制成的微波宽带同轴噪声源的主要特性。最后讨论了以Hines雪崩噪声理论为基础的二极管设计的可行性和存在的问题。     

白光图象处理系统的振幅噪声

本文在理论分析和实验结果的基础上讨论了白光图象处理系统的主要噪声一输入面振幅噪声,以及频谱滤波对输出噪声形态的影响。     

0.34 THz肖特基二极管高速OOK信号直接检波器

为了满足340 GHz高速OOK无线通信的需求,完成了340 GHz零偏置波导检波器的设计、加工和测试。首先,在高频电磁仿真软件HFSS中对准垂直结构二极管（QVD）进行建模仿真,并结合二极管的非线性模型确定二极管的阻抗;随后设计了输入波导-微带转换以及低通滤波器等无源结构,并同时对二极管进行阻抗匹配;最后进行了检波器的加工和测试。测试结果表明该检波器的电压灵敏度在334 GHz时最佳,最大值为2 210 V/W,并且在315 GHz~357 GHz频率范围内的典型值为1 400 V/W,其对应的等效噪声功率典型值为5 pW Hz-0.5。最后,还利用该检波器进行了340 GHz频段的高速OOK信号接收实验,结果表明,该检波器能够近乎无误地检测10 Gbps的OOK信号,并且在OOK信号速率为15 Gbps时,检波器解调得到的误码率为3.1510-7,证明了该检波器的高速信号检测能力能够满足高速OOK无线通信系统的需求。     

肖特基二极管检波器在标量网络分析仪中的应用

本文分析了低势垒肖特基二极管的检波特性和温度特性。介绍了标量网络分析仪的特点,对检波器非线性修正系统进行了描述,同时介绍了温度补偿电路的设计。     

基于零偏置肖特基二极管的毫米波宽带高灵敏度检波器

Two broadband detectors at W-band and D-band are analyzed and designed with low barrier Schottky diodes. The input circuit of the detectors is realized by low and high impedance microstrip lines, and their output circuit is composed of a radio frequency (RF) bandstop filter and a tuning line for optimum reflection phase of the RF signal. S-parameters of the complete circuit are exported to a circuit simulator for voltage sensitivity analysis. For the W band detectors, the highest measured voltage sensitivity is 11800 mV/mW at 100 GHz, and the sensitivity is higher than 2000 mV/mW in 80-104 GHz. Measured tangential sensitivity (TSS) is higher than-38 dBm, and its linearity is superior than 0.99992 at 95 GHz. For the D band detector, the highest measured voltage sensitivity is 1600 mV/mW, and the typical sensitivity is 600 mV/mW in 110-170 GHz. TSS is higher than-29 dBm, and its linearity is superior than 0.99961 at 150 GHz.     

锑化铟光电二极管的低频噪声

用温度T_φ分别为77°K和300°K的黑体,照射液氮冷却的合金型和扩散型锑化铟光电二极管,研究了它们的噪声,并在20赫～20千赫的范围内,对有正、反偏压的二极管作了测量。研究表明,这两种类型的二极管因有偏压,而存在过剩噪声,这种过剩噪声是由欧姆漏电流的起伏而引起的,并且随着T_φ中的升高而增大。因此,不同的二极管有不同的噪声特性。合金型二极管噪声频谱的形式为S_i～f~(-1),其中S_i是电流噪声的频谱密度,f是频率,而且S_i值对可见光的照射是很敏感的。有时,这部分频谱随着f的增高而转变为S_i～f~(-0.5)的另一谱段。在研究的整个频率范围内,扩散型二极管噪声频谱的形式为S_i～f~(-0.5),S_i值与光照无关。虽然扩散型二极管的漏电导相当大,但是合金型二极管的这种噪声电平,比扩散型二极管的要高得多。这就表明,在零偏压时,不论在T_φ=77°K或T_φ=300°K,合金型二极管的最小噪声电平要比扩散型二极管的低,而扩散型二极管的这种噪声电平,在这两种温度下,都与热噪声电平相一致,但合金型二极管的这种噪声电平仅在T_φ=300°K时才与散粒噪声相符合。     

自然反型层硅光电二极管

业已证实,硅上生长的热氧化层中及硅与二氧化硅界面处,存在正的表面电荷,它将在硅片表层形成感生电荷层。在P型硅情形,在一定条件下,将形成表面反型层,为与用掺杂方法形成的反型层相区别,称之为自然反型层。利用自然反型层与衬底间形成     

自然反型层硅光电二极管

自然反型层光电二极管是利用在P型硅片上生长热氧化层时形成的自然反型层作为感应的NP结的一侧而制得的。本文报导作者试制的IL90型自然反型层光电二极管的初步结果。器件暗电流小于7×10~(-10)A(在100mV下测试,有效光敏面积1cm~2);光谱响应峰值向短波方向明显移动;光谱响应与人眼视见函数相近;对短波长光有较高的绝对响应度,例如,在365um处,为0.293μA/μW;在254um处,为0.113μA/μW。     

基于零偏置肖特基二极管的270 GHz高性能波导检波器

根据InP二极管的物理结构, 采用三维高频电磁仿真软件对其精确建模仿真, 获得二极管的物理模型和匹配电路的精确参数, 而后将此模型利用谐波平衡进行仿真设计.最后, 在此基础上采用InP肖特基二极管, 设计制作并测试了国内首款270GHz的零偏置检波器.检波器的最大电压响应度为1600V/W, 在260~280GHz范围内, 电压响应的典型值为1400V/W, 其对应的等效噪声功率典型值为18pW/Hz.实验结果与仿真结果比较吻合, 其结果表明, 设计方法较为精确, 具有设计简单、优化方便等优点.     

混频二极管及混频器的噪声分析

本文讨论了混频二极管在直流偏置和交流信号激励时的噪声温度比,提出了以“有效噪声温度比(tD)_(eff)”来表征二极管在交流激励下的噪声性能.文中还讨论了在信号及镜像频率的变频损耗不同时混频器输出噪声温度比和二极管噪声温度比的关系.根据分析结果对倒极性并联二极管对的噪声性能作了分析,表明这种复合管的(tD)_(eff)为一常数(0.5).这对降低混频器的系统噪声系数是十分有利的.可以相信:利用倒极性并联二极管对于研制优良性能的毫米波段混频器是一种很有希望的办法.     

PiN硅光二极管的噪声测试

在反偏、无光照、室温条件下测量了PiN硅光二极管(其光谱响应从0.4～1.2μm)中的电流噪声频谱。利用硅光二极管与高阻低噪声前置放大器的最佳组合法,在美国H-P3585A频谱分析仪上测量了20Hz～70kHz带宽内的噪声频谱。实验证实了对硅光二极管噪声机理的物理分析:在低频时,1/f噪声的贡献是主要的;在中频区,产生复合噪声(散粒噪     

微波固体噪声二极管噪声功率谱密度的理论分析

本文根据PN结雪崩噪声理论、有限倍增因子和合适的二极营模式提出了微波固体噪声二极管噪声功率谱密度的表示式,并对其谱特性进行分析.指出了提高微波固体噪声二极管噪声输出功率的途径.     

肖特基二极管检波器用于微波功率探头的理论分析与研制

对低势垒肖特基二极管检波器进行了微波特性分析，给出了小信号情况下的检波特性。利用优化方法对检波器内各种寄生及分布参量对频率响应和驻波特性的影响作出了定量分析，并以此研制出了标网检波器。理论分析与实验结果吻合良好。     

目标振幅噪声的形成和误差分析

分析了雷达目标信号振幅噪声的产生原因及特点,从理论和实验的角度给出了振幅噪声的相关函数。对噪声经过目标跟踪系统后的变化及对雷达跟踪精度的影响进行了定量分析。     

18-26.5GHz固体噪声二极管

本文根据Hines的里德二极管噪声理论和Haitz的噪声频谱功率密度的数学表达式对18—26.5GHz固体噪声二极管参数进行了设计,并根据器件的特点和要求对制作工艺作了考虑.给出了实验结果.     

半导体二极管和三极管中的散弹噪声

本文综合已有资料，对半导体二极管和三极管中散弹噪声产生的机理作了详细的叙述，说明了载流子的随机产生与复合以及随机扩散运动所产生的噪声都是白噪声。     

Insb光电二极管的漏电流和噪声

关于InSb二极管的制作方法早有报导,即在Ge掺杂P型InSb基片上,用液相生长的方法,长一层Te掺杂n~+型InSb,形成p-n结。然后用通常的光刻法,制成台式二极管。因为这样制成的结表面漏电大,所以要在KOH溶液中进行阳极氧化,再用低熔点In球焊接细金丝作为引出线。InSb光电二极管容易受InSb材料的性能和环境温度的影响。因此,测量用图1结构进行。     

微波固体噪声二极管频率上限和噪声输出功率性能的研究

本文以带有隧道穿透的PN结雪崩倍增理论,研究了微波固体噪声二极管。比较了纯PN结雪崩二极管和带有隧道穿透的PN结雪崩二极管的噪声功率谱密度。讨论了微波固体噪声二极管使用频率的上限和影响噪声输出功率的因素。这对微波固体噪声源的设计、制造和应用提供了有用的依据。