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在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE工艺各参数,后处理等许多方面;给出实用化的工艺程序;最小加工线宽达到2μm,体刻蚀速率达870nm/min,均匀性±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2的刻蚀选择比为4∶1,对AZ1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于1.8∶1;该工艺使用效果良好,达到实用化水平。 相似文献
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对HBr反应离子刻蚀硅和SiO2进行了实验研究。介绍了HBr等离子体的刻蚀特性,讨论了HBr反应离子刻蚀硅的刻蚀机理,研究了HBr中微量氧、碳对HBrRIE刻蚀过程的影响。实验表明,HBr是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用HBrRIE,可获得高选择比(对Si/SiO2)和良好的各向异性。 相似文献
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二氧化硅的反应离子刻蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
对电子束曝光和反应离子刻蚀(RIE)进行了研究。刻蚀使用JR-2B型溅射-刻蚀机,分别采用100W、150W、200W、250W、300W的功率,对SiO2进行了刻蚀,反应气为:CHF3,对影响刻蚀的射频功率以及压力、气体流量等工艺参数作了调整,得出了刻蚀速率与射频功率和压力之间、气体流量的关系曲线。实验结果表明:随着射频功率、压力的增大,刻蚀速率不断加快,在某一值上达到最大值。再继续增加射频功率、压力,刻蚀速率反而会下降。随着气体流量的增加,刻蚀速度不断降低。 相似文献
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金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和选择比的方法。 相似文献
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硅传感器反应离子刻蚀的观察 总被引:1,自引:0,他引:1
六十年代发展起来的微电子技术,已大大影响了人类社会的面貌,而由微电子技术与机械学相互交叉而诞生的微机械技术,正成为一项新的产业。微电子技术以硅的平面加工技术为主,其制造工艺一般在表面几十微米以内。而微机械的厚度(或深度)往往达到几百微米,因此,必须研究硅的深加工技术以适应微机械的需求。本文以制作一种以玻璃为衬底的单晶硅叉指电容式加速度传感器为目的,开展了离子刻蚀技术的研究[1]。硅的反应离子刻蚀是一个复杂的辉光放电等离子体物理一化学作用过程。该技术早期存在刻蚀速率低,不能获得高的深宽比,掩膜选择比不高等技术障… 相似文献
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铌酸锂的反应离子刻蚀 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍了铌酸锂晶体在四氟化碳气氛中的反应离子刻蚀。对刻蚀参数的选择原则从机理上加以探讨,并对掩膜的选择进行了试验,最后得到线宽为3.5mm的铌酸锂光栅和槽深为1.1mm的铌酸锂沟道的刻蚀样品。 相似文献
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以芳香族双迭氮基化合物为交联剂,苯氧基二苯甲酮为光敏剂,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基质树脂,合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应,所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀(RIE)。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。 相似文献
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本文叙述了在反应离子刻蚀(ReactiveIonEtching)系统中采用无碳含氟原子刻蚀气体(SF_6,NF_3)对硅的深槽刻蚀;分析了真空压力、射频功率、气体组合及其流量和电极温度对刻蚀速率、刻蚀剖面的影响;并根据实验结果,绘出了刻蚀速率与以上物理变量的函数关系曲线;得到刻蚀速率0.5~0.7μm/min,糟宽≤5.0μm,深度大于6.0μm,横向腐蚀小于1.5μm的各向异性刻蚀剖面。本研究技术将应用于超高速ECL分频器电路,双极高可靠抗辐射加固稳压器件和BiCMOS模拟电路的实际制作中。 相似文献
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贯穿晶片的背面通孔已成为GaAsMMIC和功率MESFET的有效接地方式。本文介绍了利用Cl2/SiCl4作为反应气体,以正性光刻胶为掩模的反应离子刻蚀背孔工艺。利用该工艺刻蚀出的深孔具有倾斜的剖面和光滑的侧壁,孔的横向侧蚀小,在50mmGaAs圆片上获得了良好的均匀性和重复性。 相似文献
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在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2、SiCl_4为主要刻蚀气体进行了Al-Si1.2%的反应离子刻蚀,研究了各参数对刻蚀结果的影响。在此基础上,本文着重围绕线宽控制和后处理等关键性问题进行了实用化应用研究,并得到了最佳的刻蚀程序。最小加工线条宽度达到1.5μm,实用达2~3μm,体刻蚀率大于1μm/min,均匀性小于±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2和AE1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比分别达8:1和3:1。此技术已用于多种多批量电路的制作工艺之中,效果良好。 相似文献