亚微米电子束曝光机工件台控制系统

激光工件台是电子束曝光机关键部件之一。它主要任务是完成图形的拼接。本文描述双频激光干涉仪为测量系统的计算机控制的数字伺服系统以及真空条件下的Ｘ－Ｙ工件台。该系统用于亚微米圆形矢量扫描电子束曝光机中。     

锁相技术在电子束曝光机工件台稳速控制中的应用

采用锁相技术，对电子束曝光机工件台运动实现速度环的全数字控制。设计了数字差频积分回路和数字差频比例控制器，能有效消除速度的静态误差和改善系统的动态特性。     

基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器设计

基于激光干涉仪的精密工件台是电子束曝光机的关键设备。为了改进工件台控制器的运算速度．设计了一种基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器。本控制器由上位机接口、激光干涉仪测量系统接口、电机控制接口、手动面板接口和主处理器组成,以美国Xilinx公司Spantan3系列的FPGA芯片XC3s400为核心。实现控制器与上位机、激光干涉仪测量系统、伺服驱动系统、手动控制面板之间的数据交换和指令传递。完成工件台的精确移动。满足电子束曝光的定位精度和拼接精度的要求。     

电子束曝光机激光工件台系统研制

介绍了nm级电子束曝光机激光定位精密工件台系统的结构组成、各部分技术措施及总体性能指标。该工件台采用HP5527激光干涉测量系统,测量分辨率达0.6nm,结构上成功将导向与承载分离,对承片台、机械手等进行重大创新。无论是整机性能还是关键技术单元均处于国内领先水平,是一台性能优良、高精度的电子束曝光机工件台。     

电子束曝光系统中精密工件台的测量系统

介绍了电子束曝光技术的原理。根据精密工件台对测量系统的需要,设计了三轴工件台测量系统布局方式,并简单介绍了激光干涉测量系统所需元器件数量的计算方法。重点讨论了双频激光干涉测量原理、双频光束与运动方向敏感性的关系以及读出装置信号处理方法。在此基础上,对研制的电子束曝光系统精密工件台进行了直线性和垂直性实验测试,其测量分辨率达到0.6nm,测量重复性精度达到±0.06μm,测量绝对误差达到0.011μm。结果表明,采用双频激光测量系统可确保工件台系统测量和定位准确性。     

亚微米电子束曝光机激光工件台位置显示系统

介绍了工件台位置显示系统的组成,工作原理及软件设计。由于采用单片机控制技术,从而保证了系统的显示精度和运行可靠性。     

电子束曝光机激光工件台测量系统研究

由于电子束曝光机采用的修正技术,工件台的测量系统显得十分重要。介绍了电子束曝光机激光定位精密工件台的工作原理,其测量系统首次采用国际先进的HP5527双频激光干涉仪。对测量系统进行了详细的误差分析,在此基础上提出了系统误差的补偿方法。     

基于FPGA的电子束曝光村工件台控制器设计

基于激光干涉仪的精密工件台是电子束曝光机的关键设备。为了改进工件台控制器的运算速度．设计了一种基于FPGA的电子束曝光机工件台控制器。本控制器由上位机接口、激光干涉仪测量系统接口、电机控制接口、手动面板接口和主处理器组成,以美国Xilinx公司Spantan3系列的FPGA芯片XC3s400为核心。实现控制器与上位机、激光干涉仪测量系统、伺服驱动系统、手动控制面板之间的数据交换和指令传递。完成工件台的精确移动。满足电子束曝光的定位精度和拼接精度的要求。     

电子束曝光机的一种新型精密工件台结构特点及几何精度分析

介绍了电子束曝光机的一种新型精密工件台,在结构上成功地将工件台的承载力与导轨的导向作用分离开来,极大地提高了工件台的运动精度和运行的平稳性。论述了精密工件台的结构设计要点、几何精度以及达到的技术指标。     

对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析

本文通过对一台先进电子束曝光机制作掩模过程的分析,阐明设计图经计算机辅助设计系统数字化后,生成PG格式数据,再由PG格式数据转换成电子束格式数据的处理;论述了光栅扫描的原理及特点;介绍了图形发生器的作用及电子束在控制系统作用下在基片上描绘图形的过程。     

对一台光栅扫描电子束曝光机制作掩膜版质量的分析

本文在成熟使用电子束曝光机制作各处掩膜版的基础上，针对主人掩膜版质量的三大因素即：图形尺寸精度，图形套准精度，芯片合格率逐一详细分析，以研究探讨如何应用电子束曝光机制作高质量的掩膜版。     

一种新型电子束曝光文件格式设计及其应用

提出一种新型的电子束曝光数据格式，引入了面向对象的设计和适应于矢量型电子束扫描方式的设计，提高了对通用图形数据格式转换的精确度和效率，同时更便于对电子束曝光机的曝光控制。该设计已在电工所的科研项目“纳米级电子束曝光系统”中得到应用，被称之为EDF数据格式。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的发展

阐述了100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的功能与构成，并通过对国内外100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的技术现状的分析，总结出了100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台所包含的各项关键技术，为100nm步进扫描投影光刻机工件台、掩模台的研制奠定了基础。     

单片机在激光工件台中的应用

本文介绍单片机在双频激光干涉工件台位置显示和微动控制中的应用，由于采用单片机使激光工件台位置显示精度高，微动控制简单、可靠。显示分辨率０．０１μｍ，位置测量精度０．０２μｍ，测量最大距离３３０ｍｍ，（实际距离１００ｍｍ），微动距离５μｍ、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ四档。     

步进扫描投影光刻机工件台和掩模台的进展

着重介绍了当前国外步进扫描投影光刻机的工件台和掩模台的发展状况，并对套刻精度和整机精度进行了分析。