销售市场87亿美元的光刻机

信息网络（NewTripoli，Pa）的一份报告预测，2000年全世界光学光刻步进机的市场销售将达到87亿美元，几乎为1997年的二倍。1997年全世界步进光刻机市场增长1．3％，相当于前道设备增长5．7％。步进光刻机的平均售价增长9．6％，达到410万美元，从而增加了销售收入。步进光刻的     

缩小步进投影光刻机在碲镉汞红外探测器芯片工艺中的应用

光刻是制备碲镉汞红外探测器芯片过程中非常关键的工艺。目前绝大部分碲镉汞芯片制备都是使用接触式光刻技术,但是在曝光面型起伏较大的芯片时工艺均匀性较差,并且掩膜在与芯片接触时容易损伤芯片。针对接触式光刻的这些缺点,利用尼康公司生产的缩小步进投影光刻机开发了用于碲镉汞芯片的步进式投影曝光工艺。对设备的硬件和软件均进行了小幅修改和设置,使其适用于碲镉汞芯片。经过调试后,缩小步进投影光刻机在某些面型起伏较大的芯片上取得了更好的曝光效果,光刻图形的一致性得到了提升。实验结果表明,缩小步进投影光刻技术能够提高碲镉汞芯片的光刻质量,并在一定程度上改善了芯片制备工艺。     

1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机和混合光刻中的图形位置误差

本文主要参照1:1投影光刻机和10:1缩小片子步进机混合光刻中的套刻图形的差异,研究了这两种机器的特征图形位置误差。分析样品采用近年来由那些高度复杂的光刻机的用户所研制成,专用于精确鉴定大量元件的图形与图形之间的套准误差。通过使用这些样品和数据,就可以看出怎样使这两种类型的曝光设备能够成功地用于经济而有效地制作苛刻图形的器件。对于现今的高密度器件的制造来说,采用一次性全片对准的片子步进机与1:1投影光刻机的混合曝光方法是完全可以胜任的。并研究出了一个用于10:1片子步进机,1:1投影光刻机,以及用于这两种设备混合曝光的实际生产套刻值的预算表。     

用于IC封装的光刻设备

光刻是圆片级封装的一种最重要的工艺,无论是焊盘分布、焊凸形成、密封或其它新出现的需求,晶圆上精确的成像区域对每一种工序来讲是最重要的。评述了一些圆片级封装的光刻系统及为什么某些专门的设备能很好地适于应用,会是接近式光刻机、步进投影光刻机还是一些替代设备在未来的几年内来满足这种需求?我们将探索这种可能性。     

准分子激光在微光刻技术中的应用

<正>IBM公司研究人员于1982年首先将准分子激光技术应用在半导体光刻工艺中。此后,逐步商品化的准分子激光技术成功的用在接触式光刻和掩膜制造工艺中。但其最终目标是将这一技术用于分步投影光刻机中,因为它是当前半导体器件制造的关键设备。自从1986年AT&T贝尔实验室报导了他们研制的世界上第一台准分子激光分步投影光刻机之后,许多实验室及光刻机制造厂商开展了这个项目的研究工作。一些厂商开始接受用户订单。准分子激光用于分步投影光刻技术的前景看来是光明的。     

亚微米光栅曝光系统的应用及设备关键技术研究

半导体工艺中的光刻是芯片制造中最关键的工艺。DFB半导体激光器的腔体结构与普通半导体激光器的腔体结构不同,需要制作周期光栅,光栅周期为亚微米数量级;鉴于亚微米光栅曝光系统在半导体激光器的应用需求,瑞士一家公司研制了一款专用于亚微米周期光栅的设备Phabler 100M DUV光刻机;本系统采用了非线性晶体的倍频效应和周期性光栅的泰伯效应。这些关键技术用较低的成本实现了极高的分辨率,可以制作周期性光栅并达到100 nm的线条分辨率;掩模版和晶片的不平行将造成光刻线条的不均匀,应用CCD探测器和计算机相结合的办法是做平行度的关键调试。     

步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术研究

讨论了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制技术 ,详细阐述了步进扫描投影光刻机中的曝光剂量控制原理 ,提出了一种曝光剂量控制算法。实验表明 ,应用此剂量控制技术使系统的曝光剂量控制精度达到 1.3 7% ,剂量重复精度达到 0 .3 1% ,满足亚半微米光刻图形的曝光剂量控制要求     

用于光刻机模拟运动的精密工件台宏动定位系统研制

为给步进扫描光刻机的设计研究提供理论指导,解决光刻机工件台宏动定位平台的设计和控制问题,根据工业应用中步进扫描光刻机的运动特点和工作要求,设计了一种H型精密工件台宏动定位系统和同步控制方案。试验结果表明,其各项性能指标均满足设计要求,对指导实际工业应用具有一定的参考价值。     

应用于数字光刻机的DMD数据处理及控制系统

无掩膜数字光刻机已在PCB光刻及半导体光刻领域逐渐开始应用,相比传统掩膜式光刻机,可缩减光刻流程,节省光刻成本,使光刻数据在线实时调整变得更为简单。而DMD（数字微镜器件）目前作为数字光刻机常用的一种SLM（空间光调制）图形发生器,对其所需要进行的数据处理及控制较为关键。会直接关系到数字光刻机的曝光效率和产能。文章从DMD的驱动控制原理,探讨研究DMD在数字光刻机中的数据处理和控制流程、方法,实现较高的设备光刻效率。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

光刻机的演变及今后发展趋势

微电子技术的发展一直是光刻设备和技术发展与变革的动力。通过介绍光刻机的演变和所面临的挑战，揭示下一代光刻设备的发展潜力，结合比较极紫外光刻机和电子束曝光机的开发现状和特点，预言将来以极紫外光刻机、电子束曝光机和某种常规光刻机结合，来实现工业需要的各种图形的制备。     

新闻

Nemotek技术公司向SUSS订购多项光刻设备.用于图像传感器晶圆级封装 2009年4月22日,德国便携式晶圆片级照相机零部件生产商Nemotek技术公司购买了SLISS的多项光刻设备.sLISS是三维集成、先进封装、MEMS、纳米技术等创新方案的设备供应商.此次订购包括200 mm生产性光刻机、涂胶台、烘烤、显影设备.这些设备将用于图像传感器晶圆片级封装(WLP)和晶圆片级光学系统(WLO),现已成功安装于Nemotek在摩纳哥拉巴特科技园的工厂.     

63.5mmX127mm英寸UT 1X光刻版的设计及制造

提出一种新的UT1X光刻版规格63.5mm×127mm,与原来的76.2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种UltraTech步进光刻机。相应的光刻版数据处理以及夹具进行了调整。新规格的光刻版将127mm×127mm的基材的产出提高了一倍,加快了光刻版的生产速度,同时减少了废弃物的产生,有利于降低成本和环境保护。     

63.5 mm×127 mm英寸UT 1×光刻版的设计及制造

提出一种新的UT 1X光刻版规格:63.5mm×127mm,与原来的76.2mm×127mm的UT1X光刻版适用于同一种UltraTech步进光刻机.相应的光刻版数据处理以及夹具进行了调整.新规格的光刻版将127mm×127mm的基材的产出提高了一倍,加快了光刻版的生产速度,同时减少了废弃物的产生,有利于降低成本和环境保护.     

先进的H谱线步进光刻机

无论从技术还是从经济方面来讲,人们都要求采用先进的硅片光刻技术。这就迫切要求各种硅片步进光刻机在性生能上有所改进。预计,特征尺寸将越来越小,对于套刻精度的要求也会越来越严格。这一发展趋势迫切要求光刻系统能适应宽范围的生产条件、具有多层抗蚀剂加工能力及调整时间短,而且可靠性要进一步提高。本文对于这些新的要求中的某些项目进行了评述,介绍了为适应这些要求而开发的一种新型硅片步进光刻机及其在模拟的生产环境下所获得的性能数据。     

Ricmar联手SMEE开拓中国半导体市场

奥地利Ricmar集团是一家综合半导体制造设备与服务供应商,拥有自动化系统、真空镀膜系统等产品。作为国家光刻设备工程技术研究中心依托单位,上海微电子装备有限公司(SMEE)主要从事用于IC制造的中高端光刻机等关键设备开发,     

通信设备及其他

通信设备及其他增强光刻机成像能力的多功能高亮度光源查询号２９１ＡＳＭＬｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ的ＡＥＲＩＡＬ是一种增强分辨率自动化高亮度照明系统，它既可用于轴外光刻，也可用于常规光刻。ＡＥＲＩＡＬ提供环形和四极形模式轴外照明选件，使半导体厂商能扩展使用ｉ...     

国产首台直写式光刻机在合肥问世

据《中国电子报》2008年1月1日报道,中国首台拥有完全自主知识产权的直写式光刻机在合肥面世,标志着我国亚微米级光刻机完全依赖进口的局面将被打破。光刻机是生产电子芯片的最关键设备之一,电子芯片内的电路图案都是由光刻机产生的。每一代半导体技术的发展都是以光刻线宽为代     

用于光刻的小型KrF准分子激光器及光学系统

本文报道了用于半导体光刻的一体化小型ＫｒＦ准分子激光器及光学系统的性能。     

以创新推动本土光刻设备的发展——访上海微高精密机械工程有限公司总经理程建瑞先生

在集成电路IC装备领域,先进的光刻设备和技术长期被外资厂商占据。在国家振兴制造装备业规划的宏观形式下,上海微高通过自身努力,以创新推动本土光刻设备的发展。当前上海微高承担着国家“863”重点攻关项目,是国家光刻机研发的主要力量;上海微高正通过不断的研发和创新投入,努力使其打造成中国的光刻机专家。