Mo/Al/Mo结构电极的坡度角和关键尺寸差研究

Mo/Al/Mo结构金属作为TFT的电极,刻蚀后的坡度角和关键尺寸差是重要的参数。明确影响坡度角和关键尺寸差的工艺参数,进而控制坡度角和关键尺寸差,这对工艺制程至关重要。本文探究了膜层结构、曝光工艺、刻蚀工艺对坡度角和关键尺寸差的影响,并对刻蚀工艺进行正交试验设计。实验结果表明:Al膜厚每减小60nm,坡度角下降约9°,关键尺寸差增加0.1μm。曝光工艺中,显影后烘烤会增加光阻粘附力,导致关键尺寸差减小0.1μm,同时坡度角增加约9°。刻蚀工艺中,过刻量每增加10%,坡度角下降3.3°,关键尺寸差增加0.14μm;正交试验结果表明,对关键尺寸差、刻蚀均一性、坡度角影响因素的重要性顺序是:液刀流量Air Plasma电压水刀流量。经上述探究表明,坡度角和关键尺寸差呈负相关关系,刻蚀程度增加,关键尺寸差增加,而坡度角则减小。可以通过调节工艺参数对坡度角和关键尺寸差进行控制。     

喷雾腐蚀机在Ti/Al腐蚀工艺中的应用

介绍了喷雾腐蚀机的主要结构和设计优点,简述了SiC功率器件Ti/Al湿法腐蚀工艺;并就生产过程中出现的腐蚀液温度控制、液位传感器、图像识别对中等方面存在的不足做了相应改进。提高了工艺稳定性和生产效率。     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

Ni3Al/聚酯复合材料的制备及电磁特性研究

采用高能球磨结合热处理工艺合成的金属间化合物Ni3Al粉体,与不饱和聚酯复合制备了Ni3Al/聚酯复合材料,应用微波网络S参数法测量了Ni3Al/聚酯生物复合材料的复介电常数、复磁导率及反射率等电磁性能,结果表明:Ni3Al/聚酯复合材料,在一定频率范围内具有良好的吸波性能,在1~3.25 GHz范围内其反射衰减率均小于–10 dB,该复合材料在民用电磁防护方面具有很好的应用前景。     

Al/Ag/Al复合薄膜电极的抗氧化性和电性能研究

为开发大尺寸场发射显示器需要的能承受高温热处理的薄膜电极,以Al作为Ag层的保护层和与玻璃衬底的粘附层,采用直流磁控溅射制备了Al/Ag/Al复合薄膜及其电极.采用XRD、AFM、光学显微镜和电性能测试系统,研究不同温度热处理对复合薄膜和电极结构、表面形貌和电性能的影响.由于表面致密的Al2O3膜的保护,使得加热退火(<600℃)不会对Al/Ag/Al薄膜和电极造成明显的氧化,然而Al层与Ag层发生的界面扩散和固相反应增大了电极的电阻率(从5.0×10~(-8) Ω·m 上升至23.6×10~(-8) Ω·m).另外热处理温度足够高时(500℃、600℃),Ag原子向表面的扩散一定程度上降低了电极的化学稳定性.尽管如此,与Cr/Cu/Cr薄膜电极相比Al/Ag/Al薄膜电极仍然是一种能够承受高温热处理并且保持较低电阻率的新型电极.     

电子封装用SiCp/Al复合材料的研究现状及展望

电子封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更为严格的要求。文章介绍了电子封装用SiCp/Al复合材料的研究现状和进展,讨论了其制备工艺和性能。文中着重介绍了空气气氛下的无压自浸渗制备方法,并进一步提出了SiCp/Al复合材料存在的主要问题以及今后的研究方向。     

Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性

研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30 0℃时接触电阻几乎不受温度的影响     

SiCp/2024Al基复合材料的界面行为

采用真空热压烧结工艺在580℃下制备了35%(体积分数)SiCp/2024铝基复合材料,利用透射电镜(TEM)、能谱(EDS)、高分辨透射电镜(HRTEM)对复合材料中SiC/Al,合金相/Al的界面结构进行了表征,研究了增强体SiC和基体Al以及热处理前后合金相与基体Al的界面类型,取向结合机制。结果表明,SiC/Al界面清晰平滑,无界面反应物和颗粒溶解现象,也无空洞缺陷。SiC/Al界面类型包括非晶层界面和干净界面。干净界面中SiC和Al之间没有固定或优先的取向关系,取向结合机制为紧密的原子匹配形成的半共格界面。热压烧结所得复合材料中的合金相以Al4Cu9为主,与基体Al的界面为不共格界面,热处理后,合金相Al2Cu弥散分布于基体中,与基体Al的界面为错配度较小的半共格界面。     

高Al组分n-AlGaN的Ti/Al/Ti/Au欧姆接触

采用Ti/Al/Ti/Au多层金属电极对高Al组分n-AlxGa1-xN(x=0.6)欧姆接触的制备进行了研究,通过优化Ti接触层厚度以及合金退火条件,获得了较低的比接触电阻率(5.67×10-5Ω.cm2)。研究证实,Ti接触层厚度对欧姆接触特性有着重要影响,同时发现,高低温两步退火方式之所以能够改善欧姆接触特性的本质是与Al3Ti及TiN各自的生成条件直接相关,即低温利于生成Al3Ti,高温利于生成TiN,而这对n型欧姆接触的有效形成至关重要。     

Long-term thermal stability of Ti/Al/Mo/Au ohmic contacts on n-GaN

Improved performance of the ohmic contacts on n-GaN has been demonstrated with the use of MoAu as the capping layer on TiAl metallization. Contact resistance as low as 0.13 Θ-mm was achieved in these ohmic contacts when annealed at 850°C for 30 sec. We have studied the long-term thermal stability of these contacts at 500°C, 600°C, 750°C, and 850°C, respectively. The Ti/Al/Mo/Au metallization forms low contact-resistance ohmic contacts on n-GaN that are stable at 500°C and 600°C after 25 h of thermal treatment. The ohmic-contact performance degrades after 10 h of thermal treatment at 750°C, while the contacts exhibit nonlinear current-voltage (I-V) characteristics after 1 h of thermal treatment at 850°C with the formation of oxide on the surface of the contacts accompanied by surface discoloration. The intermetallic reactions taking place in the contacts during the long-term thermal treatments were studied using Auger electron spectroscopy (AES), and the surface morphology was characterized using atomic force microscopy (AFM).     

SiCp/6061Al复合材料激光表面熔化及合金化显微组织与耐蚀性

为提高颗粒增强铝基复合材料耐蚀性，对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面熔化和激光表面合金化。结果表明：激光表面熔化后，因熔化层中形成大量耐蚀性低的针状Ａｌ_４Ｃ_３相及Ａｌ_４ＳｉＣ相而使激光表面熔化层耐蚀性降低，以Ｎｉ－Ｃｒ－Ｂ粉末为原料对ＳｉＣｐ／６０６１Ａｌ复合材料进行激光表面合金化后，合金层耐蚀性明显提高。     

Investigation of Ti/Al and TiN/Al thin films as the stable ohmic contact for p-type 4H-SiC

Interfacial reactions, surface morphology, and current-voltage (I-V) characteristics of Ti/Al/4H-SiC and TiN/Al/4H-SiC were studied before and after high-temperature annealing. It was observed that surface smoothness of the samples was not significantly affected by the heat treatment at up to 900°C, in contrast to the case of Al/SiC. Transmission electron microscopy (TEM) observation of the Ti(TiN)/Al/SiC interface showed that Al layer reacted with the SiC substrate at 900°C and formed an Al-Si-(Ti)-C compound at the metal/SiC interface, which is similar to the case of the Al/SiC interface. The I-V measurement showed reasonable ohmic properties for the Ti/Al films, indicating that the films can be used to stabilize the Al/SiC contact by protecting the Al layer from the potential oxidation and evaporation problem, while maintaining proper contact properties.     

新型Al/Mo底电极的顶发射有机发光二极管性能研究

提出了一种新型底电极结构,使用铝钼双层薄膜作为顶发射有机发光二极管的底电极。同时分别从底电极结构、顶电极结构、空穴注入以及出射光谱等方面对器件性能进行分析和优化,最终得到的器件电流效率达到6Cd/A以上,比优化前的器件效率提高了5倍以上,加强了对TEOLED器件的性能影响因素的理解。同时也比Mo作为底电极时的器件性能实现了提高,展示了此电极结构在顶发射OLED中的应用潜力,为下一步在硅基OLED显示器件中的应用打下基础。     

用于紫外探测器的AlGaN/GaN异质结构的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触特性

采用Ti/Al/Ni/Au多层金属体系在Al0.27Ga0.73N/GaN异质结构上制备了欧姆接触.分别采用线性传输线方法(LTLM)和圆形传输线方法(CTLM)对其电阻率进行了测试.当Ti(10nm)/Al(100nm)/Ni(40nm)/Au(100nm)金属体系在650℃高纯N2气氛中退火30s时,测量得到的最小比接触电阻率为1.46×10-5Ω·cm2.并制备了Al0.27Ga0.73N/GaN光导型紫外探测器,通过测试发现探测器的暗电流.电压曲线呈线性分布.实验结果表明在Al0.27 Ga0.73N/GaN异质结构上获得了好的欧姆接触,能够满足制备高性能AlGaN/GaN紫外探测器的要求.     

缓蚀剂对提高腐蚀箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,在扩孔液中分别加入乙酸、丙酸和乙二酸作为缓蚀剂,结合SEM分析对缓蚀剂在腐蚀扩孔中的缓蚀机理进行了探讨,研究了直流电侵蚀时缓蚀剂对腐蚀箔比容的影响。结果表明:缓蚀剂的引入提高了腐蚀箔比容,当乙酸、丙酸和乙二酸三种缓蚀剂的质量浓度ρ增加到0.5g/L时,所制腐蚀箔比容达到最大值,分别为1.10×10~(–6),1.07×10~(–6)和1.12×10~(–6)F/cm~2。乙二酸的缓蚀效果最好,可使腐蚀箔的比容提高25%以上。     

Ti/Al/Ni/Au在GaN N面上的欧姆接触

以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×10-4 Ω·cm2.通过扫描电子显微镜、原子力显微镜、阴极荧光和光致发光谱对GaN N面的表面、光学特性进行了对比表征.结果表明:未刻蚀GaN衬底的N面表面存在一定的损伤层,导致近表面处含有大量缺陷,不利于欧姆接触的形成;而ICP刻蚀处理有效地去除了损伤层.X射线光电子能谱(XPS)分析显示刻蚀后样品的Ga 3d结合能比未刻蚀样品向高能方向移动了约0.3 eV,其肖特基势垒则相应降低,有利于欧姆接触的形成.同时对Fe掺杂半绝缘GaN的N面也进行了刻蚀处理,同样实现了良好的Ti/Al/Ni/Au欧姆接触,其比接触电阻率为0.12 Ω·cm2.     

Ion bombardment-induced high orientation of Al/Ti films for surface acoustic wave device applications

Al/Ti films were deposited on 128° Y-X LiNbO₃ substrates by electron-beam (e-beam) deposition. Low-energy Ar ion beam bombardment was employed during the Ti underlayer deposition. Influence of low-energy beam bombardment on the texture of Al/Ti films was investigated by x-ray diffraction (XRD) analysis. It was found that Al films deposited on Ar-ion bombarded Ti underlayers possessed excellent (111) texture. With the textured Al/Ti films, a 2.3-GHz range image-impedance connection surface acoustic wave (SAW) filter was successfully fabricated.