晶闸管挖槽法制造工艺

介绍一种挖槽法制造晶闸管新工艺,它具有简化制作工序、提高器件芯片成品率的特点,适合批量生产.     

挖槽工艺在我国晶闸管制造历史上的作用

本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年，是一定要用大量黄金的。照此下去，电力电子势必成为国民经济的耗金大户；而且这种“扩散一合金工艺”限制了晶闸管向大面积(扩展电流容量)、高电压、快速性、高性能及派生新器件的方向发展。尽管开发了石墨粉压接、真空吸片、倒装等保证烧结质量(主要是保证金锑片、金硼钯片同扩散好的p-n-p结构的     

P型双质掺杂技术在快速晶闸管生产中的应用

高压快速晶闸管的Ｐ型双质掺杂新技术研究成功，经工艺论证和试用，该项成果具有可行性、先进性和实用性，为研究和制造快速晶闸管开辟了一条新工艺途径，本文阐述了工艺设计原理、掺杂机制、杂质浓度分布和试用结果。     

采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管

介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用了高级交叉指状辅助门极结构,合理确定了短路发射极的尺寸及分布形式。采用固态源闭管式扩散工艺,镓铝双质掺杂一次连续完成,扩散参数具有良好的均匀性和重复性,获得了较理想的杂质浓度分布,并采用12 MeV电子辐照技术控制少子寿命。研究了镓铝双质掺杂对快速晶闸管参数的影响,分析和讨论了器件特性得到改善的原理。研究结果表明,采用该掺杂技术制造的快速晶闸管,电气参数的一致性明显提高,综合性能明显改善,具有良好的阻断特性、门极特性和动态特性。     

高灵敏触发晶闸管的设计和制造

本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。     

一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺

针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究.通过大量试验和工艺论证,研制成一种气(Ga) -固(Al掺杂氧化物) -固(Si)掺杂新工艺.经应用证明,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率,为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主双质掺杂新工艺     

一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺

针对制造高压晶闸管p型杂质扩散工艺的不足,进行了开管式受主双质掺杂技术的研究.通过大量试验和工艺论证,研制成一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺.经应用证明,该掺杂技术能明显提高器件的电参数一致性、综合性能和成品率,为电力半导体器件研究和生产开辟了一条可行的受主双质掺杂新工艺.     

量子点的湿法腐蚀制备及尺寸分布研究

介绍了用可见光光刻后用湿法腐蚀制备了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子点的方法，并用小光点光荧光的方法检测了所制备量了点的均匀性，从理论上给出了量子点的尺寸分布，并结合多量子阱阱宽的涨落，分析了荧光峰的线型和展宽机制。