MOS大规模集成电路的可靠性(续)

4.装配MOS LSI电路在分离器件中出现的所有与装配有关的失误形式,包括接头、管芯接触、密封性、引线的疲劳和封壳中间的问题,同样在LSI器件中也都发生。LSI器件包括有更多的外部导线和内部接头,因此比分离器件在封装上更大些。大的密封的双列直插封装具有较小的厚度/长度比,当操作时容易弯曲致损。LSI的封装要足够坚固,能耐住生产者和使用者的正常操作以及根据MIL-STD-883要求将遇到的周围环境和机械应力。但是粗心地操作仍可能使密封损坏而造成漏气或电路断开。而当外部导线和内部接头的数量很大时,用于密闭封装封口用的盖就比较大,这增加了漏气的机率和电路断开     

改进MOS存贮器大规模集成电路制作技术的可靠性试验

在工业技术院大型计划超高性能电子计算机予定使用的144位MOS大规模集成电路随机存取存贮器研究的时候,以检查和改进从试制阶段到大量生产的制作技术为主要目的进行了可靠性试验。 本文的主要目的是报告可靠性试验的数据,同时描述可靠性试验中所采用的测量环形振荡器频率的方法和效果。 试验大体上可以分为三个阶段。从1位单元到144位大规模集成电路存贮器试验的第一阶段。在第二阶段里产生的大部份不良情况是与表面有关。最后第三阶段的样品,把防止衬底泄漏电流的p型扩散作了改进;作为SiO_2针孔的解决办法,加厚了栅氧化膜并改进表面保护;随着进一步减少操作中的灰尘,在设计上对原图进行了修改,把源和漏配置成梳状图形,以减小芯片面积,增大电流和工作容限。 由于以上改进,使寿命从第一阶段到第三阶段得到大约10~3的提高。     

MOS大规模集成电路袖珍机简介

MOS大规模集成电路袖珍机是我厂和广州南华机械厂共同研制成功的我国第一台袖珍机,该机由三片MOS电路组成,如逻辑框图所示,即一,CD—301(集成度为1000个元件),二,CD—32(集成度为1200个元件),三、CD—303(集成度为860个元件)     

MOS集成电路分析程序

在大规模集成电路(LSI)设计中,电路模拟是很重要的,因为LSI电路,特别是MOS器件,不可能用分立元件来模拟。本文对于MOS器件提出一种新的算法,编了一套瞬态分析程序。这个程序(MICAP)只用于MOS电路,但是由于 MICAP 能够同时模拟许多 MOS 管,所以很适于 LSI 电路的模拟。例如,仅40KB的存储量就足够去分析含有500只MOS管的集成电路。     

MOS VLSI可靠性浅析

本文论述了ＭＯＳＶＬＳＩ主要失效机理，即薄氧化层击穿，热载流子效应，铝－硅接触失效，电迁移以及软错误，并给出了预防上述失效的一些技术措施。     

语音大规模集成电路综述

本文综述语音大规模集成电路的种类、工作原理、应用领域以及发展情况等。使读者能了解语音电路的全貌和各种电路特点,以便根据自己的实际需要进行正确地选择。     

大规模集成电路的焊接技术

一、大规模集成电路的焊接技术的背景 在硅晶体管和集成电路的生产中,广泛采用热压焊接和超声波焊接,即所谓线条焊接。这对于生产集成度高的中规模和大规模集成电路来说也是适用的。但为了提高生产率和可靠性,最近又研制成一种高效率和高可靠性的焊接法。即所谓正焊。本文就大规模集成电路的焊接技术加以叙述。     

CMOS大规模集成电路制造工艺

一.引言CMOS 集成电路即互补 MOS 型集成电路,系指在同一块半导体村底片上制造 n 型和 P 型两种不同导电沟道的 MOS 场效应晶体管,从而构成的集成电路。与 PMOS 及 NMOS 相比,CMOS 电路有一系列优点。CMOS倒相器在两种不同的逻辑状态下总有一个晶     

大规模集成电路IRDC1733简介

<正> 大规模集成电路IRDC1733是美国模拟器件工业公司(ANALOG DEVICES Inc)生产的,用于将感应同步器输出信号转换为数字信号的专用A/D转换器。感应同步器是将位移信号(直线的或角度的)转换为电信号的高精度位移传感器。以感应同步器为传感器的位移数字显示仪表(简称数显表),在机械行业中应用十分普遍。IRDC1733的出现,标志着感应同步器数显表达到大规模集成电路的先进水平。现将IR-     

数字MOS集成电路的计算机辅助设计和表征

发展计算机辅助电路仿真方法使MOS集成电路的设计、表征和最佳化成为可能。直流特性和瞬态特性的计算,是根据制造工艺数据摘录的并结合分析器件模型得出的物理器件参数来进行的。已经证明任何MOS电路结构(具有相关的串联阻抗和寄生器件)可以利用一个等效反相器来分析。用负载I-V特性曲线和晶体管I-V特性曲线的叠加得到输入-输出转换特性曲线,以提供直流“最坏情况”设计所必需的数据。可用一个简单的器件模型来计算电路瞬态响应。所有计算出的特性曲线与对集成电路进行的测量相当符合。     

VMOS—一种新的MOS集成电路工艺

叙述了一种新的V型槽MOS集成电路工艺(VMOS)。这种工艺是利用硅的选择蚀刻原理来确定MOS晶体管的沟道。整个制作过程包括三次或四次掩蔽工序,并且利用这种工艺能够形成硅栅或者普通金属栅晶体管。这种工艺在要求不高的对准误差条件下,产生非常短的沟道。除了沟道短而外,VMOS晶体管的输出电导要比普通MOS晶体管小,而击穿电压更高。 介绍了VMOS晶体管的一阶理论,并对不同沟道长度的器件进行了测量。也介绍了运用这种工艺制作的某些集成电路,其中包括R—S触发器和27级戽斗式移位寄存器。讨论了在这些应用中VMOS的优点。     

集成电路的原理及可靠性分析

集成电路(Integrated Circuit,通常简称IC),是指将很多微电子器件集成在芯片上的一种高级微电子器件。本文通过分析集成电路失效模型,对集成电路可靠性进行了理论探讨,从而提高集成电路的质量。     

大规模数字集成电路标准矩阵功能测试新方法

本文提出了一种对VLSI电路功能测试的方法,可以同时检测和定位VLSI电路输入和输出端上的固定故障和桥接故障,而不需要知道它们的内部逻辑结构。因而,对于简化测试过程、降低测试成本,具有十分重要的实际意义。     

大规模集成电路(LSI)控制开关电源

取代50个以上分立元件,单片控制简化设计,减少部分计算,降低成本,改善可靠性。     

SOPC大规模可编程专用集成电路的快速开发

从开发周期、成本、设计复杂度等方面分析入手,介绍了一种高性能、低功耗、低成本、产品开发周期短的ASIC设计开发方案.为此,结合Quartus Ⅱ及NiosⅡ系统开发平台,综述了Stratix FPGA及HardCopy ASIC开发的完整过程,指出基于IP复用的SOPC技术开发的FPGA向ASIC的无缝移植是未来快速生...     

我国大规模集成电路封装材料实现突破

由中国科学院化学研究所成功开发出的可用于超大规模集成电路(VLSI)先进封装材料光敏型BTPA-1000和标准型BTDA1000聚酰亚胺专用树脂，目前已申请7项国家发明专利。国内多家半导体企业和科研院所准备将这种新型树脂用于芯片及光电器件的制造，年产几十吨的工业中试装置正在建设，可望于今年7月投产。     

短沟道NMOS大规模集成电路的实验研究

本文分析了短沟道 NMOS 器件的特点,比较了在多种假设条件下导出的短沟道 NMOS 器件的 V_T 模型。在此基础上,着重介绍了遵循按比例缩小的 HMOS 电路设计原则,采用常规的 NMOS 电路生产设备和加以改进的常规NMOS 工艺条件,研制成功了具有4μ线宽结构的,已用于整机组装的两种DJS-061微型计算机分片电路:数据总线缓冲器 Bl 和外部通用接口适配器 PIA-A。与常规工艺比较,芯片面积缩小1倍多,而集成度可增加1倍以上。为获得4μ线宽,在工艺上我们作了以下几个方面的探索:①用正性胶进行细线条光刻;②采用盐酸清洗法和掺氯氧化相结合的优质氧化工艺;③对 Si_3N_4,Poly-S_1,Al 进行干法腐蚀;④除场区注入以外,还对沟道区进行 B~ 注入。     

一种具有学习能力的大规模集成电路

<正> 日本理光公司宣布,该公司研制出一种具有学习能力的大规模集成电路“神经LST”。这是仿照人脑的神经细胞——神经和神经网原理研制成功的将成为神经电子计算机头脑的一种大规模集成电路。它利用生物的神经信息传送方式,在一块芯片上载有一个神经元,然后把所有的芯片连接起来,     

用于大规模集成电路的FLT-I型探针卡片

<正> 采用探针卡片(prober card)测试,是半导体器件测试的必由之路。特别对于大规模集成电路,当探针数目超过二、三十根时,传统的手动探针就很难对准,电信号的相互干扰也更加严重,其分布电容以及因接触不良所致感应电压,往往使测试失误。用FLT-I 型探针卡片取代手动探针,将会大大增强测试的可靠性。现将FLT-I 型探针卡片的主要技术指标介绍如下:一、FLT-I 型探针卡片可接46根探针,并有自动测试所用探边系统(profile sensor),以48线插座输