离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I-V、RD-V特性的研究（下）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD—V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆（反型沟道）漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生一复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结I—V、RD—V特性的研究（上）

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结I-V特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的I-V、RD-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性的研究(下)

本文推导了一种可简便,准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、RD-Ⅴ特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数.计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能.HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加.     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ—Ⅴ、R_D—V特性的研究(下)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

离子束刻蚀HgCdTe环孔pn结Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性的研究(上)

本文推导了一种可简便、准确、直观计算和分析pn结Ⅰ-Ⅴ特性的公式和方法,并应用该方法对两类典型HgCdTe环孔pn结的Ⅰ-Ⅴ、R_D-V特性进行了计算和拟合;得到了表面欧姆(反型沟道)漏电导、二极管理想因子n随电压的分布等反映二极管结特性的重要参数。计算结果表明,对于长波HgCdTe光伏器件而言,表面漏电流在整个暗电流中所占的比重相当大,表面漏电流严重地制约着器件性能。HgCdTe材料的晶体缺陷会使二极管的理想因子n增大,从而使产生-复合电流及陷阱辅助隧穿电流增加。     

恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算

通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论.     

低能离子束轰击碲镉汞制备pn结电学特性的研究

用低能离子束轰击工艺制备了３－５μｍ及８－１０μｍ碲镉汞ｐｎ结，研究了它们的电流－电压及电容－电压特性，发现该ｐｎ结为缓变结，与通常认为的关于低能离子束轰击ｐ型碲镉汞造成表面转型的机制主要是汞扩散的假说相符合。     

HgCdTe光伏器件反常I－V特性分析

对ＨｇＣｄＴｅ光伏器件研制中出现的光电二极管伏安特性反常现象提出了寄生ｐ－ｎ结模型，并以此模型为基点，结合工艺实验对此现象进行了解释和分析。     

中子辐照下的6H-SiC pn结电特性分析

用中子辐照在6H-SiCpn结中引入的复合中心和深能级陷阱解释了SiCpn结辐照后电特性退化的现象,并推导了辐照后SiCpn结理想因子与外加电压的关系,给出了SiCpn结中子辐照电特性退化的模型,模拟结果和实验数据的对比说明关于SiCpn结电特性退化的理论解释是正确的.     

Si/NiO异质pn结的光电性能研究

利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实 验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异 质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整 流特性,正向开启 电压达到3.5VV时出现漏电流。这可 能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力 释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微 镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。     

Si/NiO异质pn结的光电性能研究

利用磁控溅射方法成功制备了Si/NiO异质pn结。实验表明,退火温度升到400℃时,Si/NiO异质结呈现一定的整流特性;600℃退火的Si/NiO异质结呈现很好的整流特性,正向开启电压达到3.5V,-7V时出现漏电流。这可能是因为600℃退火后,样品结晶转好,应力释放,缺陷减少,从而改善了样品的整流特性。这一结果得到了X射线衍射(XRD)、原子显微镜(AFM)和紫外(UV)结果的充分支持。     

利用I2V 正向特性提取PN 二极管主要参数的研究

研究了利用电流－电压（I－V）正向特性提取PN结二极管参数的方法，与通常使用的PN结二极管模型不同，本文模型考虑了并联电导对电流的影响，在I－V特性曲线上读取四级（V，I）值，用牛顿法对模型方程组进行数值求解，可提取出PN结二极管的主要参数：反向饱和电流，串联电阻，发射系数以及并联电导。结果表明，该方法简便，实用。     

O2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响

利用磁控溅射方法在n型Si衬底上制备了NiO:Na薄膜构成异质pn结,并研究了其光电特性。 实验结果表明,当O₂/Ar+O₂比例从0%升高到30%时,Si/NiO:Na的pn结表现出最佳整流特性,正向开启电压达到 4.9V时才出现漏 电流。这可能是由于NiO:Na薄膜结晶度得到改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加O₂/Ar+ O₂比例,薄膜 结晶质量转差,相应也削弱了其整流特性,这一结果得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(A FM)和紫外(UV)透射结果的充分支持。     

HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究（上）

介绍了HgCdTe MIS器件的制备及由其C-V特性计算、分析界面电学特性的基本原理和步骤．利用MIS器件高频C-V曲线耗尽区的电学特性推导了衬底杂质浓度随深度分布的计算公式。     

I/V特性扫描在静电放电试验中的应用

随着超大规模集成电路工艺的高速发展,特征尺寸越来越小,而静电放电(Electrostatic Discharge)对器件可靠性的危害变得越来越显著。因此,静电放电测试已经成为对器件可靠性评估的一个重要项目。I/V特性扫描是静电放电试验中必不可少的一环。文章介绍了I/V特性扫描的目的、波形、程序、扫描过程中遇到的问题和应用。     

HgCdTe MIS器件的制备及其界面电学特性的研究(下)

介绍了用高、低频组合电容法测量HgCdTe MIS器件钝化层界面态密度能量分布的基本原理和步骤．研究表明,自身阳极硫化 单层ZnS对HgCdTe的表面钝化已经达到光伏焦平面器件表面钝化的各项要求．     

NiO/SiC异质结的光电特性（英文）

NiO是一种天然p型直接带隙半导体材料,首次采用磁控溅射的方法在n型4H-SiC(0001)衬底上淀积NiO薄膜,制作p-NiO/n-4H-SiC异质结。研究了氧气和氩气体积流量对NiO薄膜特性的影响,并研究了NiO/SiC异质结的光电特性。结果表明:所制备的NiO薄膜为多晶结构,当氧气和氩气体积流量均为30 cm~3/min时,NiO薄膜出现[200]晶向的择优生长,呈现p型导电,薄膜平整致密,粒径约为15 nm。采用Ni作为金属电极,J-V测试结果表明异质结具有较好的整流特性,开启电压约为1.4 V,在13.5 mW的紫外灯照射下,异质结出现了光响应,开路电压Voc约为30 mV,光电流密度Jph为0.89 mA/cm~2。     

Cd1—xZnxTe（x=0.04）表面处理的低温拉曼散射和电学特性研究

测量了几种不同处理的Cd1-xZnxTe(x=0.04)表面的傅里叶变换拉曼散射光谱和电流－电压（I－V）特性。通过分析拉曼光谱反Stokes分量,并与表面I－V特性进行比较,结果表明与表面处理相联系的晶格声子的行为反映了表面完整性的变化,Te沉淀是影响表面质量的关键因素,并对有关表面处理方法的实际应用进行了讨论。     

Fe93–xZr7Bx（x=10,12,14）合金的微观结构、热性能和磁性能研究

采用单辊快淬法制备了Fe93–x Zr7Bx(x=10,12,14)合金,并对三种合金进行了不同温度退火处理,利用X射线衍射仪(XRD)、差热分析仪(DTA)和振动样品磁强计(VSM)研究了该系列合金的微观结构、热性能和磁性能。研究结果表明:B含量的增加提高了合金的第一晶化峰峰值温度。在Fe83Zr7B10合金晶化初期仅观察到α-Fe相,而在Fe93–x Zr7Bx(x=12,14)合金晶化初期可观察到α-Fe相和Fe23B6相。三种合金淬态时的Ms随B含量的增加而增大。在高于823 K的温度下退火后,三种合金的Ms随B含量的增加而减小。高于773 K退火后,三种合金的Hc随B含量的增加而增大。     

（英）磁控溅射制备纳米晶GZO/CdS双层膜及GZO/CdS/p-Si异质结光伏器件的研究

本文中,采用磁控溅射制备Ga掺杂ZnO (GZO)/CdS双层膜在p型晶硅衬底上以形成GZO/CdS/p-Si异质结器件。纳米晶GZO/CdS双层膜的微结构、光学及电学特性,通过XRD、SEM、XPS、紫外-可见光分光光度计和霍尔效应测试系统表征。GZO/CdS/p-Si异质结J-V曲线显示良好的整流特性。在±3V时,整流比IF/IR(IF和IR分别表示正向和反向电流)已达到21。结果表明纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结具有好的二极管特性,在反向偏压下获得高光电流密度。纳米晶GZO/CdS/p-Si异质结显示明显的光伏特性。由于CdS晶格常数在GZO和晶Si之间,它能作为一个介于GZO和晶Si之间的缓冲层,能有效地减少GZO和p-Si之间的界面态。因此,我们获得了GZO/CdS/p-Si异质结明显光伏特性。